【正文】 檢鍋電路 振蕩波形通過(guò)電阻分壓送到電壓比較器正負(fù)輸入端，在從輸出端會(huì)產(chǎn)生脈沖，CPU對(duì)此脈沖記數(shù)，當(dāng)脈沖數(shù)大于9個(gè)信號(hào)時(shí)認(rèn)為無(wú)鍋具；小于己于5個(gè)信號(hào)時(shí)認(rèn)為放上了鐵質(zhì)鍋具，其它鍋具均不加熱，另外電流檢測(cè)電路也會(huì)對(duì)電流進(jìn)行監(jiān)控，當(dāng)檢測(cè)到電流大于2A時(shí)認(rèn)為有鍋。它由電壓比較器構(gòu)成正端輸入外接一個(gè)參考電壓，所以當(dāng)負(fù)端電壓高于正端電壓時(shí)，輸出端，就會(huì)輸出一個(gè)低電平出現(xiàn)。 瑞德一代 瑞德中間一代 12345678ABCD87654321DCBAR003200K/R3014K3FR005200K/D301IN4148R3052KJR3071KJC302102K+（低漏）C303101KR3036K2FC301102KQ801（+IC301LM339131110R001200K/IN4148D402C306104ZC304100uF16V/25V4TP一定要靠近電源線339的地單獨(dú)回選用）R3048K06FR302430KFC10222J滌綸+5V+5VR2427KR1116kR20470K/1WRJ52kD171N4148D181N4148D251N4148R21470K/1WRJ62KR19470K/+18VAD221N4148D211N4148C15222J滌綸+18VA滌綸滌綸IGBT驅(qū)動(dòng)控制電路 前鋒 IGBT驅(qū)動(dòng)電路主要是控制IGBT的導(dǎo)通和截止。 波形發(fā)生模塊主要是產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)鋸齒波形。它由電壓比較器構(gòu)成，電壓比較器的正極檢測(cè)IGBTC極電壓，當(dāng)檢測(cè)的電壓值大于負(fù)輸入端時(shí)，比較器的輸出端會(huì)有一個(gè)高電平；當(dāng)檢測(cè)電壓值低于負(fù)輸入端時(shí)，在比較器的輸出端就會(huì)有一個(gè)低電平。從這個(gè)時(shí)候開(kāi)始，諧振電容開(kāi)始放電，此時(shí)C極電壓變低，當(dāng)達(dá)到接近0V時(shí)，由控制電路檢測(cè)、監(jiān)控到這個(gè)值，再次打開(kāi)IGBT，又一循環(huán)開(kāi)始；所以電感（線圈）與振蕩電容不停的進(jìn)行充電，產(chǎn)生振蕩波形。 LC振蕩電路 LC振蕩電路電路是電磁爐的主要電路之一，主要是利用了LC并聯(lián)諧振的原理時(shí)行工作。當(dāng)外加電壓較低時(shí)，流過(guò)電阻的電流很小壓敏電阻呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，當(dāng)外界的電壓達(dá)到或超階級(jí)過(guò)壓敏電壓UC時(shí)，流過(guò)電阻的電流陡增，壓敏電阻的阻值將大大降低。主要是由、壓敏電阻、濾波電容、分壓電阻組成。電感濾波電路通常用在負(fù)載電流很大，而對(duì)濾波效果要求不嚴(yán)的場(chǎng)合。交流電通過(guò)前端濾波處理，進(jìn)過(guò)橋堆后，變成310V的直流電。一旦發(fā)生電網(wǎng)上存在浪涌電壓（例如雷擊或斷開(kāi)電感性負(fù)載時(shí)容易在電網(wǎng)上產(chǎn)生浪涌）時(shí)壓敏電阻就會(huì)將這部份能量消耗掉。壓敏電阻器（ZMR）主要用以防止過(guò)高的浪涌電壓進(jìn)入電磁爐造成爐子損壞。ACDC轉(zhuǎn)換部分。 繞阻 四、電磁爐電路分析 電磁爐方框圖 220V 電磁爐各電路分析 整流濾波電路EMC防護(hù)電路 EMC防護(hù)模 塊 整流模 塊 濾波模 塊 LC振蕩模 塊 同步模 塊 電源模 塊 5V、16V直流電壓 IGBT 高壓保護(hù) 功率控 制 振蕩模 塊 過(guò)零檢測(cè)模塊 過(guò)壓檢測(cè)模塊 過(guò)流檢測(cè)模塊 CPU 負(fù)載檢測(cè)模塊 溫度檢測(cè)模塊 控制顯示模塊 整流濾波電路主要是進(jìn)行ACDC變換，其核心元件是整流橋。 當(dāng)電壓比較器輸入端電壓反向時(shí)(輸入端電壓高于+輸入端電壓), 置于LM339內(nèi)部控制輸出端的三極管導(dǎo)通, 將比較器外部接入輸出端的電壓拉低,此時(shí)輸出端為0V。電壓偏低時(shí)，就會(huì)使高壓保護(hù)電壓偏低，430鍋功率容易上不去，IGBT反壓點(diǎn)降低。5V主要用于主芯片的工作電源，比較器的電壓基準(zhǔn)。 18V、5V 18V主要用于 IGBT管的驅(qū)動(dòng)、339的工作電源、風(fēng)扇的電源。 顯示芯片74HC164主要用于數(shù)碼管類(lèi)的電磁爐顯示，是一移位送數(shù)寄存控制器。用于電磁爐的主要有東芝、三星、HOLTEK、義隆，現(xiàn)代等品牌。 快速反應(yīng)二極管 主要用于開(kāi)關(guān)電源中，主要特性為工作頻率高，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通速度快，由于有些此管與1N4007外表像，使得兩種容易混料、錯(cuò)插件，造成故障主要有無(wú)電壓輸出，或工作一段時(shí)間后器件損壞。故障主要表現(xiàn)為變值、開(kāi)路 散熱器 散熱片用于IGBT、整流橋發(fā)熱器件的降溫。 高壓取樣電阻 用于電壓、IGBT工作波形的檢測(cè)，由于工作在高壓，大電流甚至高頻的工作環(huán)境中，所以售后故障率較高。 電流互感器 電流互感器 起電流檢測(cè)的作用，用于整機(jī)的功率控制。一般耐溫130~200度。 扼流圈 在整流橋后級(jí)，主要起兩個(gè)作用，一將外界來(lái)的干擾擋住門(mén)外，二將IGBT、線盤(pán)工作時(shí)自產(chǎn)生的干擾關(guān)在門(mén)內(nèi)，不讓給跑出到市電上，從而影響其它電器工作。 此電容在工作中需承受超過(guò)1000VDC的電壓，且會(huì)發(fā)熱，如果耐溫耐壓不過(guò)關(guān)，則在工作過(guò)程中極易損壞。 一般情況下，在同一規(guī)格線盤(pán)下，容值越大的，電磁爐工作中心頻率就越低，430材質(zhì)鍋具功率就越易上來(lái)。在實(shí)際的電路中，可以通過(guò)調(diào)節(jié)V1與V2的電壓來(lái)控制t1與t1’之間的時(shí)間間隔，其中V1是一個(gè)參考電壓，V2是反饋電壓，通過(guò)使用比較器起到同步的作用。首先這個(gè)時(shí)間是允許的，因?yàn)镮GBT有一個(gè)柵極電壓VGE，這個(gè)電壓的具體值根據(jù)不同的器件而定的，大概為2V～5V，說(shuō)明在t1’時(shí)刻IGBT不一定已經(jīng)導(dǎo)通了。一個(gè)振蕩周期大概為40祍，如圖4中所示，t1’要比t1滯后2個(gè)祍，這個(gè)滯后是允許的，但是這個(gè)時(shí)間不能太長(zhǎng)。同樣如果R14與R12的匹配的值過(guò)小，會(huì)提前促使IGBT導(dǎo)通，這樣一來(lái)由于反壓過(guò)高，此時(shí)IGBT一旦導(dǎo)通，就會(huì)被損壞。在靜態(tài)的時(shí)候，V2 要略高于V1，以保證比較器1的輸出為高。 t0t2的過(guò)程就是一個(gè)電磁振蕩的過(guò)程，也是電磁振蕩的一個(gè)周期，以后的過(guò)程與這段時(shí)間相同，如圖3中，t2t3過(guò)程與t0t1過(guò)程完全相同，t3t4過(guò)程與t1t2過(guò)程完全相同。 t1t2過(guò)程：IGBT為導(dǎo)通狀態(tài)，這個(gè)時(shí)間段內(nèi)，電感L2的電流急劇增加，如圖3所示，反饋電壓V2接近0，比較器1的輸出口V5也為低電平。當(dāng)電容電壓達(dá)到最大值的時(shí)候，如圖3中的V2的峰值時(shí)刻，這時(shí)電容的電壓能夠達(dá)到1000V，電感的電流為0，接下來(lái)能量從電容C3轉(zhuǎn)向電感。 t0t1過(guò)程：IGBT為截止?fàn)顟B(tài)，L、C正在發(fā)生振蕩。勵(lì)磁線圈（爐盤(pán)）和電容C3為并聯(lián)的，用以產(chǎn)生電磁振蕩。如圖2中所示，當(dāng)V3Vref時(shí)，比較器的輸出端相當(dāng)于開(kāi)路，通過(guò)外接上拉電阻，可以得到高電平，從而驅(qū)動(dòng)IGBT導(dǎo)通，而當(dāng)V3Vref 時(shí)，比較器的輸出口相當(dāng)于接地，輸出為低電平。 在脈寬調(diào)制電路中，通過(guò)改變Vref電平的值，可以控制功率，它是由單片機(jī)輸出與電流負(fù)反饋信號(hào)共同決定的。驅(qū)動(dòng)矩形脈沖信號(hào)的脈寬決定了電磁振蕩工作的功率，但是這個(gè)寬度是通過(guò)同步電路和脈寬調(diào)制電路共同決定的。在完整的電磁振蕩電路中還包括電源電路、電流負(fù)反饋電路、過(guò)壓保護(hù)電路、以及單片機(jī)控制電路。  圖3 電磁振蕩過(guò)程中的一些重要信號(hào)波形 圖4 把驅(qū)動(dòng)電壓與反饋電壓合成的效果圖 IGBT在電磁振蕩中的應(yīng)用 圖2為電磁振蕩的原理圖，其中包括電源主回路、同步電路、脈寬調(diào)制電路、IGBT的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路。 通過(guò)對(duì)接的兩個(gè)穩(wěn)壓二極管可以有效低鉗位D點(diǎn)的電壓不能超過(guò)15V，在D點(diǎn)與地線之間接上一個(gè)幾十K電阻在IGBT關(guān)斷的時(shí)候，二極管D4導(dǎo)通，則此時(shí)柵極電阻RG則相當(dāng)于是R1與R2兩個(gè)電阻并聯(lián)的電阻，這樣使得柵極電阻RG更小，這樣可以有效地起到集電極電流變化過(guò)大保護(hù)作用。當(dāng)發(fā)生過(guò)流情況時(shí)，IGBT的C、E兩端的電壓會(huì)升高，使得D7相當(dāng)于斷開(kāi)了，這個(gè)時(shí)候IGBT為導(dǎo)通的，B點(diǎn)電壓為15V，二極管D6導(dǎo)通，然后通過(guò)R6,R7為電容器C1充電，如果過(guò)流時(shí)間超過(guò)2s后，C點(diǎn)的電壓使得穩(wěn)壓二極管D5導(dǎo)通，導(dǎo)致Q3處于導(dǎo)通狀態(tài)，在電路中選用的穩(wěn)壓二極管D3為10V的，這樣由于D3的鉗位作用，這樣有效地降低了IGBT的柵極電壓VGE，根據(jù)IGBT的驅(qū)動(dòng)特性，可以延長(zhǎng)IGBT的短路電流的承受時(shí)間。 圖 1 IGBT驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路  IGBT的保護(hù)電路 首先是過(guò)流保護(hù)措施，IGBT的短路電流的大小與柵極電壓有關(guān),在實(shí)際應(yīng)用中,可以通過(guò)減少柵極電壓來(lái)降低短路電流或延長(zhǎng)承受短路電流的時(shí)間。DD2為15V的穩(wěn)壓二極管，他們可以控制IGBT的G點(diǎn)在15V, 控制IGBT導(dǎo)通。 其中A點(diǎn)為IGBT的控制輸入信號(hào)。 IGBT的驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路 IGBT的驅(qū)動(dòng)電路 根據(jù)不同的功能要求，可以選取不同的驅(qū)動(dòng)電路，在有些重要的大電流或者是昂貴的電子設(shè)備中，我們可以選取專(zhuān)門(mén)的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)芯片，可靠性很高，但是在一些低成本，如家用電器中，這些驅(qū)動(dòng)模塊就不太實(shí)用了。目前，這種電磁振蕩方案以其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單清晰、可靠性高、成本低的特點(diǎn)，在實(shí)際中已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。 通過(guò)電磁振蕩產(chǎn)生的強(qiáng)大磁場(chǎng)，然后作用在鍋具(磁性的)上形成渦流，實(shí)現(xiàn)加熱功能的。 IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。 整流橋，220V電源的，2000W內(nèi)的，一般使用15~25A，600V規(guī)格，各品牌均可通用，目前市場(chǎng)上有很多種品牌，質(zhì)量較好的有日本新電源，那些質(zhì)量較差的，主要表現(xiàn)在耐壓較差，或外表粗糙、不平、有凸起現(xiàn)象，在裝配時(shí)，若不注意螺絲批的力度，就很容易使整流橋打裂。在裝配過(guò)程中應(yīng)均勻涂抹散熱硅脂，并緊接觸散熱片進(jìn)行安裝。 二、電磁爐產(chǎn)品的最新命名方式 電磁爐的命名方法 根據(jù)QB/T 123691《電磁灶》，對(duì)電磁爐的產(chǎn)品型號(hào)命名方法如下： C ① ② ③ ④ ⑤ ① C表示電磁爐② 為型式代號(hào)： 單加熱單元 不用符號(hào) 雙加熱單元 用“S”表示 ③ 為最大輸入功率的1/100 ④ 為特征代號(hào)：用大寫(xiě)英文字母表示 例如：S——表示數(shù)碼顯示 Y——表示液晶顯示 V——表示VFD大屏幕液晶顯示 A——表示按鍵式無(wú)液晶數(shù)碼顯示 K——表示線控 ⑤ 為設(shè)計(jì)序號(hào)：二位阿拉伯?dāng)?shù)字表示 以 C10A01為例： C表示電磁爐 10表示最大輸入功率1000W A表示按鍵式無(wú)液晶數(shù)碼顯示 01表示第一款 . 由兩個(gè)或兩個(gè)以上單一產(chǎn)品（含組合包裝的另部件）組合而成的套裝產(chǎn)品 T ① ② ③ ④ . ① T表示組合套裝產(chǎn)品 . ②為產(chǎn)品類(lèi)型：大寫(xiě)英文字母表示 ③為年號(hào)的后兩位數(shù)字 ④為順序號(hào)，阿拉伯?dāng)?shù)字表示 以 TD0601T為例： T表示組合套裝產(chǎn)品 D表示電器產(chǎn)品 06表示2006年 . 01表示2006年第一款套裝產(chǎn)品 三、電磁爐上關(guān)鍵元器件的介紹 IGBT功率管、整流橋堆 IGBT功率管，功率輸出控制器件，主要有西門(mén)子、仙童等品牌 IGBT在大致相同工作電流下各品牌一般都可通用，2000W以下一般使用額定電流在20~25A的IGBT管。 . 電磁感應(yīng)加熱的基本過(guò)程，可以看出實(shí)現(xiàn)電磁感應(yīng)加熱至少需要整流單元、功率開(kāi)關(guān)管、功率開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)控制單元、加熱線圈單元及鍋具等部件。一般采用的鍋有：鑄鐵鍋，生鐵鍋，不銹鐵鍋。 由于非導(dǎo)磁性材料不能有效匯聚磁力線，幾乎不能形成渦流（就像一個(gè)普通變壓器如果沒(méi)有硅鋼片鐵心，而只有兩個(gè)繞組是不能有效傳送能量的），所以基本上不加熱；另外，導(dǎo)電能力特別差的磁性材料由于其電阻率太高，產(chǎn)生的渦流電流也很小，也不能很好產(chǎn)生熱量。 . 當(dāng)內(nèi)部初級(jí)發(fā)熱盤(pán)有交變電壓輸出，若次級(jí)及負(fù)載（鍋）不存在，則輸出功率將非常低。 00 . 鍋和電磁爐內(nèi)部發(fā)熱線圈盤(pán)組成一個(gè)高頻變壓器，內(nèi)部線圈是變壓器初級(jí)，次級(jí)是鍋。蘇泊爾電磁爐維修手冊(cè)+.txt我爸說(shuō)過(guò)的最讓我感動(dòng)的一句話：“孩子，好好學(xué)習(xí)吧，爸以前玩麻將都玩兒10塊的，現(xiàn)在為了供你念書(shū)，改玩兒1塊的了?！彪姶艩t異常問(wèn)題問(wèn)答 一、電磁爐的工作原理 . 電磁爐是利用電磁感應(yīng)原理，將電能轉(zhuǎn)化為熱能的廚房電器在電磁灶內(nèi)部，由整流電路將２２０Ｖ５０Ｈｚ／６０Ｈｚ的交流電變成脈動(dòng)的直流電，在由直流電逆變成頻率２０Ｈｚ～～３０Ｈｚ高頻的交流電通過(guò)感應(yīng)線圈產(chǎn)生高頻交流電磁場(chǎng)（渦流）．當(dāng)磁力線通過(guò)鍋底時(shí)產(chǎn)生無(wú)數(shù)個(gè)小渦流，渦流克服鍋體的內(nèi)阻時(shí)完成了，電能向熱能轉(zhuǎn)換，所產(chǎn)生的熱，就是烹調(diào)的熱源，從而使鍋體本身高速發(fā)熱達(dá)到用戶使用的需要。當(dāng)內(nèi)部初級(jí)發(fā)熱線圈盤(pán)有交變電壓輸出后，必然在次級(jí)鍋體上產(chǎn)生感應(yīng)電流，感應(yīng)電流通過(guò)鍋體自身的電阻發(fā)熱（所以鍋本身也是負(fù)載），產(chǎn)生熱量。當(dāng)然在實(shí)際電路中，我們必須要很快的檢測(cè)到此功率的變化，并將輸出到發(fā)熱線圈盤(pán)的交變電流關(guān)斷。所以：電磁爐使用的鍋體材料是導(dǎo)電性能相對(duì)較好，鐵磁性材料的金屬或者合金以及它們的復(fù)合體。鋁、銅由于表面電阻率太小，而不易被加熱，陶瓷、木等又由于表面電阻率太大，使產(chǎn)生電流太小，所以也不易被加熱。當(dāng)電磁爐在正常工作時(shí)，電磁爐線盤(pán)上的線圈產(chǎn)生的交變磁場(chǎng)在鍋具底部反復(fù)切割變化使鍋具底部產(chǎn)生環(huán)狀電流（渦流），并利用小電阻大電流的短路熱效應(yīng)產(chǎn)生熱量。 IGBT管在工作過(guò)程中會(huì)發(fā)熱，應(yīng)加散熱片進(jìn)行散熱。 IGBT是高阻抗器件，對(duì)靜電特敏感。整流橋是微發(fā)熱器件。它是一種新型的功率開(kāi)關(guān)器件，電壓控制器件，具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、耐壓高方面的優(yōu)點(diǎn)，因此在現(xiàn)實(shí)電力電子裝置中得到了廣泛的應(yīng)用。使用這種方案的器具，憑借其衛(wèi)生、使用方便可靠，尤其是節(jié)能方面優(yōu)點(diǎn)更顯著，熱效率一般能夠達(dá)到90%多，所以在人們的日常生活中得到了廣泛的應(yīng)用。而且這種IGBT驅(qū)動(dòng)