【正文】 受器件電抗 X或電納 B的影響，因此可以通過改變器件電抗來改善開關(guān)的性能。此時的隔離度也是由 R和 X用高阻狀態(tài)下相應值代入給出的；同理，并聯(lián)結(jié)構(gòu)是由式用低阻狀態(tài)下的 G和 B值給出的。 隔離度定義為理想開關(guān)在導通態(tài)傳給負載的功率與開關(guān)處于斷開態(tài)時傳遞到負載實際功率之比，它是開關(guān)在斷開態(tài)時開關(guān)性能的度量。 對于串聯(lián)結(jié)構(gòu)通過分析可以得出： LL1012VVZZ? ?則插入損耗為： ? ? ? ?2220 0 0 0111 / 2 1 / / /44I L Z Z R Z R Z X Z? ? ? ? ? ?8 167。 射頻開關(guān) 2. 插入損耗和隔離度 插入損耗定義為理想開關(guān)在導通狀態(tài)傳遞給負載的功率與實際開關(guān)在導通狀態(tài)真正傳給負載功率之比值，常以分貝數(shù)表示。 串接開關(guān)器件及高、低阻等效電路 并聯(lián)開關(guān)器件及高、低阻等效電路 這兩種結(jié)構(gòu)是對稱的：對于并聯(lián)結(jié)構(gòu)，當器件處于高阻抗狀態(tài)時信號就傳遞到負載；對串聯(lián)結(jié)構(gòu)，器件低阻狀態(tài)才允許信號傳輸。 FET開關(guān)的線性工作區(qū)域 FET開關(guān)的橫截面圖 6 167。FET的兩個工作區(qū)域可以用圖（ a）形象表示。 5 167。當PIN結(jié)反偏或者零偏時，本征層 I內(nèi)的電荷被耗盡，表現(xiàn)出高電阻 (Rp)，如圖（ c）所示。 a 基本 PIN結(jié)橫截面圖 b 正偏 c 反 偏 正偏條件下的電阻記為 Rs，與偏置電流 ，使 PIN結(jié)二極管在高頻下有很好的隔離度。 能力 要求 2 本章目錄 ?第一節(jié) 射頻開關(guān) ?第二節(jié) 射頻移相器 ?第三節(jié) 射頻衰減器 ?第四節(jié) 射頻限幅器 3 知識結(jié)構(gòu) 射 頻 控 制 電 路 射頻開關(guān) PIN二極管 GaAs FET 電路設計 射頻移相器 射頻衰減器 射頻限幅器 概述 移相器的主要技術(shù)指標 開關(guān)線型移相器 加載線型移相器 反射型移相器 高通 /低通濾波器型移相器 放大器型移相器 數(shù)字衰減器 模擬衰減器 用于限幅的各種現(xiàn)象 PIN二極管限幅器 微帶結(jié)構(gòu)限幅器 4 167。 了解：由二極管、三極管組成的射頻開關(guān)的原理、結(jié)構(gòu)、 性能指標和設計時應該注意的問題。1 第 12章 射頻控制電路 教學 重點 本章重點介紹了由二極管、三極管組成的射頻開關(guān)的原理、結(jié)構(gòu)和性能改善方法；介紹了射頻移相器的各種性能指標，分析了移相器的電路結(jié)構(gòu)和性能參數(shù)等；介紹了射頻衰減器的結(jié)構(gòu)和設計方法；介紹了二極管限幅器和微帶限幅器的原理結(jié)構(gòu)、性能、電路組成等。 教學重點教學 重點 掌握：射頻移相器的各種性能指標，常見移相器的移相原 理、電路結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)等。 熟悉：射頻衰減器和射頻限幅器的原理結(jié)構(gòu)和電路組成。 射頻開關(guān) PIN二極管 微波開關(guān) 利用 PIN管在直流 正、反偏壓下呈現(xiàn)近似導通和關(guān)斷的阻抗特性，實現(xiàn)了控制微波信號通道轉(zhuǎn)換的作用。（ b）為正偏時等效電路。其中 CT為 PIN結(jié)二極管的總電容，包括了結(jié)電容 Cj和封裝寄生電容 Cp。 射頻開關(guān) GaAs FET pV gs pVV? 在典型的開關(guān)模式中，當柵源負偏置在數(shù)值上大于夾斷電壓 即（ ）時，漏源之間電阻很大，可視為一個高阻抗狀態(tài)；當零偏置柵電壓加載到柵極時，則產(chǎn)生一個低阻抗狀態(tài)。 FET中與電阻性和電容性區(qū)域相關(guān)的部分如圖（ b）所示。 射頻開關(guān) 電路設計 1. 結(jié)構(gòu)組成 我們有兩種基本 結(jié)構(gòu)可以采用來設計控制 RF信號沿著傳輸線傳輸?shù)暮唵蔚膯蔚秵螖S（ SPST）開關(guān)，如圖所示。 7 167。 LV 如果用 表示在理想開關(guān)負載兩端的電壓，則 插入損耗 IL可 寫為： 2LL1VILV?L1V其中 是實際負載兩端電壓。 射頻開關(guān) 對并聯(lián)結(jié)構(gòu)負載兩端電壓應為： LL1022/VVYY? ?此時插入損耗為： ? ? ? ?22220 0 0 00111 / 2 1 1 / / /2 4 4G j BI L Y Y G Y G Y B YY?? ? ? ? ? ? ? ?0 01Y Z?式中， ， G和 B是開關(guān)器件在高阻狀態(tài)下導納 Y的 實部和虛部。對串聯(lián)結(jié)構(gòu)，當器件在高阻狀態(tài)時處于“斷開”狀態(tài)。 9 167。 高阻抗狀態(tài)的總導納可用接一個與電容并聯(lián)的幅度相等的感性電納來降低。圖畫出了這兩種方法的具體電路。 射頻開關(guān) 4. 單刀雙擲開關(guān) 單刀雙擲開關(guān)（ SPDT）在任意時刻總有一個支路閉合。 SPDT的串聯(lián)和并聯(lián)結(jié)構(gòu) 在串聯(lián)結(jié)構(gòu)中，當開關(guān)器件 SD1在低阻狀態(tài)和器件 SD2在高阻狀態(tài)時，輸入信號到輸出 1，否則到輸出 2。因此，在這兩