3lte系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)：mimo-展示頁
2025-05-06 01:09本頁面
【正文】 ◆ 取消電路交換（ CS）域， CS域業(yè)務(wù)在包交換（ PS）域?qū)崿F(xiàn) 。 ◆ 實(shí)現(xiàn)合理的終端復(fù)雜度、成本和耗電 。 ◆ 支持增強(qiáng)型的廣播多播業(yè)務(wù) 。 ◆ 提高小區(qū)邊緣的比特率 ◆用戶面延遲（單向）小于 5ms，控制面延遲小于 100ms 。 ◆ 峰值數(shù)據(jù)率：上行 50Mb/s，下行 100Mb/s。TDLTE LTE系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)： MIMO 1 TDLTE 目錄 3GPP LTE系統(tǒng)概述 LTE系統(tǒng) OFDM技術(shù) LTE系統(tǒng)多天線技術(shù) 2 3 TDLTE LTE：下一代寬帶移動(dòng)技術(shù) 10kbps 200kbps 300kbps10Mbps 50Mbps 50M1Gbps 數(shù)據(jù)速率 (OFDM/MIMO) 3GPP FDD IMTAdvanced WCDMA HSPA HSPA+ LTE FDD LTE+ GSM GPRS/EDGE TDD TDSCDMA HSPA HSPA+ TDLTE TD LTE+ IS95 cdmaOne cdma20001X DO Rev A DO Rev B UMB UMB+ 3GPP2 DO Rev 0 注： 彼此兼容 IEEE TDLTE是 LTE中的 TDD模式，是 TDSCDMA標(biāo)準(zhǔn)的長(zhǎng)期演進(jìn) TDLTE LTE系統(tǒng)需求 TDLTE是 LTE中的 TDD模式，是 TDSCDMA標(biāo)準(zhǔn)的長(zhǎng)期演進(jìn) LTE是 3GPP為了保證未來 10年 3GPP系列技術(shù)的生命力，抵御 來自非 3GPP陣營(yíng)技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)而 啟動(dòng)的最大規(guī)模的標(biāo)準(zhǔn)項(xiàng)目。 可變帶寬 、 ， 1 20MHz 高速率 下行 : 100Mbps 上行 : 50Mbps 高效率 下行 : 5bit/s/Hz， 上行 : 低時(shí)延 控制面 : 100ms 用戶面 : 10ms 4 TDLTE 3GPP LTE詳細(xì)需求 ◆支持 ～ 20MHz帶寬 。頻譜效率達(dá)到 3GPP Release 6的 2～ 4倍 。 ◆ 支持與現(xiàn)有 3GPP和非 3GPP系統(tǒng)的互操作 。 ◆ 降低建網(wǎng)成本，實(shí)現(xiàn)從 Release 6的低成本演進(jìn) 。 ◆ 支持增強(qiáng)的 IMS（ IP多媒體子系統(tǒng)）和核心網(wǎng) 。 ◆ 對(duì)低速移動(dòng)優(yōu)化系統(tǒng)，同時(shí)支持高速移動(dòng) 。 ◆ 盡可能支持簡(jiǎn)單的鄰頻共存 。 ◆ 支持 120 Km/小時(shí)、 350 Km小時(shí)的移動(dòng)速度 。 主瓣的寬度通常用功率密度為最大方向上功率密 度之半的兩點(diǎn)間夾角表示，稱為半功率點(diǎn)（或 3dB）波瓣寬度 Peak 3dB 3dB波瓣 寬度 Peak Peak 3dB 半功率波瓣寬度（ HPBW） 第一零點(diǎn)波瓣寬度（ FNBW） 副瓣 /第一副瓣 /最大副瓣 /后瓣 TDLTE 天線的阻抗特性 天線的輻射電阻：天線的輻射能力 輸入阻抗：饋線與天線的匹配狀態(tài) 反射系數(shù)：反射電壓比入射電壓 駐波比： VSWR = 1 + Γ 1 ? Γ 阻抗匹配：共扼匹配；電抗為 0，反射系數(shù)為 0， 駐波比為 1 10 TDLTE 天線效率與增益 在輸入功率相等的條件下，被研究天線與參考標(biāo)準(zhǔn)天線在其 最大輻射方向上的功率密度之比。 45度 極化 E E 線極化 圓極化 12 TDLTE 雙極化天線參數(shù) 經(jīng)過無線信道多次隨機(jī)反射，使得信號(hào)在不同極化方向 上變成相互獨(dú)立，從而可以獲得極化分集增益 13 TDLTE 天線相關(guān)參數(shù)：前后比 把處于主瓣正后方的波瓣稱為后瓣，定義天線正前方和 正后方的輻射強(qiáng)度之比為“前后比” 前后比表明系統(tǒng)對(duì)后瓣抑制的好壞，前后比差將給系統(tǒng) 帶來更多干擾，惡化系統(tǒng)性能 后向功率 前向功率 14 TDLTE 天線相關(guān)參數(shù)參數(shù)：天線下傾 電下傾的原理是通過改變共線陣天線振子的相位，從而改變 合成分量場(chǎng)強(qiáng)強(qiáng)度，使天線的垂直方向性圖下傾。 以二陣元天線陣為例加以說明。所以在 A點(diǎn)各產(chǎn)生相同的場(chǎng)強(qiáng) ，由于兩個(gè)天線單元在 A點(diǎn)波程差為 0，場(chǎng)強(qiáng)為同向 疊加，合成場(chǎng)強(qiáng)為 。 A點(diǎn) A點(diǎn) A點(diǎn)： 波程差 Δd = 0 相位差 Δφ= 0 a 單天線 二陣元天線陣 17 θ Δ d TDLTE 天線陣原理 陣列天線的輻射電磁場(chǎng)是組成該天線陣的各單元輻射場(chǎng)的總和（矢量和）。如果波程差為 λ/2，場(chǎng)強(qiáng)為反向疊加，合成場(chǎng)強(qiáng)為 0 根據(jù)波程差，對(duì)不同單元天線饋入不同相位的信號(hào)，則天線陣可實(shí)現(xiàn)在某個(gè)方向上 形成場(chǎng)強(qiáng)同向疊加 A點(diǎn) B點(diǎn) A點(diǎn) B點(diǎn) A點(diǎn)： 波程差 Δd = 0 相位差 Δφ= 0 B點(diǎn)： 單天線 900 900 a 二陣元天線陣 波程差 Δd = a*cosθ 相位差 Δφ= 2πΔd/λ 18 originalpattern ( ( ? ? j j TDLTE 均勻直線陣 0 5 10 15 20 25 30 20 40 60 80 100 120 140 160 180 degree a(θ ( k ) w ? ) = ?1Le ? 2π ( ka ?1) d λ cos(θ wk ) ) Le 2π ( Ka ?1) d λ cos(θ wk ) ) T
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