nor,sram,sdram,nand結(jié)構(gòu)和容量計(jì)算-展示頁(yè)
2025-07-08 10:23本頁(yè)面
【正文】 16位數(shù)據(jù)總線：DQ15~DQ0。l HY57V641620 有兩個(gè)Bank地址。RAS行地址鎖存有效時(shí)，地址為行地址，A11~A0。但要注意：SDRAM的行地址和列地址是公用這12根地址線的。 DDR的讀寫(xiě)頻率從DDR200到DDR400，DDR2從DDR2400到DDR2800，DDR3從DDR3800到DDR31666。之后的第二，三，四代DDR（Double Data Rate）內(nèi)存則采用數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率作為命名標(biāo)準(zhǔn)，并且在前面加上表示其DDR代數(shù)的符號(hào)，PC即DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3。 SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM. 第一代與第二代SDRAM均采用單端（SingleEnded）時(shí)鐘信號(hào),第三代與第四代由于工作頻率比較快，所以采用可降低干擾的差分時(shí)鐘信號(hào)作為同步時(shí)鐘。 動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失。3. SDRAM 結(jié)構(gòu)和容量分析l SDRAM基礎(chǔ)知識(shí)SDRAM : Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。 基本的SRAM的架構(gòu)如圖1所示，SRAM一般可分為五大部分:存儲(chǔ)單元陣列(core cells array)，行/列地址譯碼器(decode)，靈敏放大器(Sense Amplifier)，控制電路(control circuit)，緩沖/驅(qū)動(dòng)電路(FFIO)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。主要用途： SRAM主要用于二級(jí)高速緩存(Level2 C ache)。 ○CPU外部擴(kuò)充用的COAST高速緩存。 ◎SRAM使用的系統(tǒng)： ○CPU與主存之間的高速緩存?！‖F(xiàn)將它的特點(diǎn)歸納如下： ◎優(yōu)點(diǎn)，速度快，不必配合內(nèi)存刷新電路，可提高整體的工作效率。最新的Pentium II又把L2 Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。 SRAM一種是置于CPU與主存間的高速緩存，它有兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（Cache Memory ）；另一種是插在卡槽上的COAST（Cache On A Stick）擴(kuò)充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲(chǔ)我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以： 容量=220(地址線)X16(數(shù)據(jù)位數(shù))bit =1MX16bit=1MX2B =2MB2. SRAM簡(jiǎn)單介紹 SRAM是英文Static RAM的縮寫(xiě)，它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。NOR flash，NAND flash，SDRAM結(jié)構(gòu)和容量分析1. NOR flash結(jié)構(gòu)和容量分析 例如：HY29LV160 。 引腳分別如圖： HY29LV160 有20根地址線，16位的數(shù)據(jù)線?！RAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。所以在主板上SRAM存儲(chǔ)器要占用一部分面積。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計(jì)有高速緩存，故在Pentium CPU就有所謂的L1 Cache（一級(jí)高速緩存）和L2Cache（二級(jí)高速緩存）的名詞，一般L1 Cache是內(nèi)建在CPU的內(nèi)部，L2 Cache是設(shè)計(jì)在CPU的外部，但是Pentium Pro把L1和L2 Cache同時(shí)設(shè)計(jì)在CPU的內(nèi)部，故Pentium Pro的體積較大。SRAM顯然速度快，不需要刷新的操作，但是也有另外的缺點(diǎn)，就是價(jià)格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。 ◎缺點(diǎn)，集成度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價(jià)格較高，少量用于關(guān)鍵性系統(tǒng)以提高效率。 ○CPU內(nèi)部的L1／L2或外部的L2高速緩存。 ○CMOS 146818芯片（RT＆CMOS SRAM）。它利用晶體管來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 SRAM SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM, 流水式突發(fā)SRAM)，還有INTEL沒(méi)有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。 SRAM是靜態(tài)存儲(chǔ)方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲(chǔ)單元，SRAM不象DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲(chǔ)單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。 同步是指Memory工作需要步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)。 隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。 SDR SDRAM的時(shí)鐘頻率就是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的頻率，第一代內(nèi)存用時(shí)鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時(shí)鐘信號(hào)為100或133MHz，數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速率也為100或133MHz。如PC2700是DDR333，其工作頻率是333/2=166MHz。 例如：HY57V641620： HY57V641620引腳分布：l HY57V641620 有12根地址線。行地址：A11~A0，列地址：A7~A0。CAS列地址鎖存有效時(shí)，地址為列地址，A7~A0。AB1,。所以HY57V641620的容量計(jì)算公式是：容量=212(行地址)X28(列地址)X16(數(shù)據(jù)位數(shù))X22(片內(nèi)bank數(shù))bit =220X16X4bit =1MX2X4Byte =8MB4. NAND flash結(jié)構(gòu)和容量分析 l NAND FLASH 和NOR FLASH 的區(qū)別NAND FLASH在對(duì)大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需要中日益發(fā)展，到現(xiàn)今，所有的數(shù)碼相機(jī)、多數(shù)ＭＰ３播放器、各種類型的Ｕ盤(pán)、很多PDA里面都有NAND FLASH的身影。 NAND FLASHu 以
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