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led照明燈的設(shè)計(jì)制作畢業(yè)設(shè)計(jì)-展示頁(yè)

2025-07-08 08:23本頁(yè)面
  

【正文】 1萬(wàn)小時(shí)。D LED光源顏色豐富:既有白色的LED,也有發(fā)各種單色光的LED,而且顏色飽和度高,在需要色光的場(chǎng)合,不再需要用濾色片來(lái)進(jìn)行濾光,有利于節(jié)約電能。B光線(xiàn)質(zhì)量高:由于光譜中幾乎沒(méi)有紫外線(xiàn)和紅外線(xiàn),故沒(méi)有輻射,產(chǎn)生的熱量很小,LED屬于典型的綠色照明光源。也就是說(shuō),理論上LED幾乎能把所有的電能都轉(zhuǎn)化為光能,而白熾燈的可見(jiàn)光效率僅為1020%。 LED的優(yōu)點(diǎn)LED是一種新型的光源,目前廣泛用于指示性照明和特種照明市場(chǎng)上,隨著性能的不斷提高,正向通用照明光源的方向發(fā)展。理論和實(shí)踐證明,光的峰值波長(zhǎng)與發(fā)光區(qū)域的半導(dǎo)體材料禁帶寬度Eg有關(guān),即 (nm),式中Eg的單位為電子伏特(eV),若能產(chǎn)生可見(jiàn)光(波長(zhǎng)在380nm紫光~780nm紅光),~。必須在半導(dǎo)體內(nèi)激發(fā)載流子,形成不平衡載流子,即需正向電流注入,它們的復(fù)合才會(huì)導(dǎo)致顯著的光發(fā)射,實(shí)現(xiàn)電能向光能的直接轉(zhuǎn)換,如圖11所示。由于不管是p區(qū)還是n區(qū)中少數(shù)載流子(少子)密度都很小,這種復(fù)合是很弱的。放出能量的方式有兩大類(lèi):② 射光子,成為輻射復(fù)合;②不發(fā)射光子,成為非輻射復(fù)合,最后轉(zhuǎn)換為熱能或激發(fā)別的載流子。這些電子與空穴的區(qū)別是其能量與動(dòng)量的不同,能量之差稱(chēng)之為半導(dǎo)體材料禁帶寬度Eg。當(dāng)p層加上正向電壓而n層加上負(fù)向電壓,電子就從n層流入p層,空穴從p層遷入n層。目 錄LED照明燈的設(shè)計(jì)制作畢業(yè)設(shè)計(jì) 目 錄. ………………………………………………………1 LED的特性………………………………………………………………………1 LED照明現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)………………………………………………………4…………………………………………………………7……………………………………………………………72 LED的封裝與組裝…………………………………………………………………8 LED封裝方法的分類(lèi)…………………………………………………………8…………………………………………………9…………………………………………………………………9——流體自組裝……………………………….103 LED光源的光電參數(shù)………………………………………………………………13 LED發(fā)白光的原理……………………………………………………………13 LED特征參數(shù)簡(jiǎn)介……………………………………………………………13………………………………………………144 LED照明光源的制備……………………………………………………………17 LED吊頂燈與射燈的設(shè)計(jì)……………………………………………………17 LED光源驅(qū)動(dòng)電路……………………………………………………………18………………………………………………23…………………………………………………26………………………………………………………………28…………………………………………………………295 LED的散熱問(wèn)題及解決方案………………………………………………………32………………………………………………………………32 LED光源的熱傳導(dǎo)和疏散……………………………………………………32………………………………………………326結(jié)論………………………………………………………………………………34參考文獻(xiàn)……………………………………………………………………………35致謝…………………………………………………………………………………36外文資料原文………………………………………………………………………37譯文…………………………………………………………………………………391 引 言 5 LED的特性 LED發(fā)光原理發(fā)光二極管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs、AlGaInN、GaAsP等半導(dǎo)體材料在襯底(藍(lán)寶石,硅或SiC等)上外延生長(zhǎng)而成,通常采用雙異質(zhì)結(jié)和量子阱結(jié)構(gòu),其核心是PN結(jié)。P-N結(jié)是攜帶電子的n型半導(dǎo)體和攜帶空穴的p型半導(dǎo)體間的過(guò)渡層。在p層中電子較少而存在大量的空穴,反之在n層中,空穴較少而存在大量的電子。導(dǎo)帶中的電子與價(jià)帶中的空穴相互復(fù)合時(shí),要釋放出多余的能量。在熱平衡狀態(tài)下存在著熱激發(fā)與載流子間復(fù)合的平衡。即使有輻射復(fù)合,由于材料的本征吸收,從外部是觀察不到光發(fā)射的。圖11 LED發(fā)光原理圖為了獲得高的發(fā)光效率,需要保證以下幾點(diǎn):無(wú)輻射復(fù)合的壽命要長(zhǎng)于輻射復(fù)合的壽命,為此需要提高少子的密度;要使晶體中的缺陷密度盡可能少而使注入的載流子密度高,一般是把帶隙寬度小的發(fā)光層夾到禁帶寬度大的層內(nèi),制成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),如圖12所示。目前已開(kāi)發(fā)出發(fā)射紅外、紅、黃、綠及藍(lán)光的發(fā)光二管,其中藍(lán)光二極管是近來(lái)人們研究的重點(diǎn),它具有輸入功率大、發(fā)光亮度高、易于轉(zhuǎn)換得到白光等優(yōu)點(diǎn),是大功率發(fā)光二極管的主要代表。與傳統(tǒng)人工照明光源相比,LED照明光源具有很多優(yōu)點(diǎn),其發(fā)展?jié)摿Ψ浅>薮螅篈發(fā)光效率高:基于特別的材料構(gòu)成,在電子轉(zhuǎn)移的過(guò)程中,LED釋放的能量主要集中在可見(jiàn)光范圍內(nèi),不像鎢絲燈發(fā)出的電磁能很多集中在紅外線(xiàn)區(qū),令人感覺(jué)到非常熱。現(xiàn)在商品化的LED的發(fā)光效率已超過(guò)35流明每瓦,這幾乎是鎢絲燈泡的兩倍。C光色純:與白熾燈全頻段光譜不同,典型的LED光譜狹窄,發(fā)出的光線(xiàn)很純。E能耗?。?,通過(guò)集群方式可以量體裁衣地滿(mǎn)足不同的需要,浪費(fèi)很少。G可靠耐用:沒(méi)有鎢絲、玻殼等容易損壞的部件,非正常報(bào)廢的可能性很小,維護(hù)費(fèi)用極為低廉。I綠色環(huán)保:廢棄物可回收,沒(méi)有污染,不像熒光燈含有汞等有害成分。當(dāng)時(shí)所用的材料是GaAsP,發(fā)紅光(λp=650nm),在驅(qū)動(dòng)電流為20毫安時(shí),光通量只有千分之幾個(gè)流明, lm/W。到80年代初,出現(xiàn)了GaAlAs的LED光源,使得紅色LED的光效達(dá)到10lm/W。這樣整個(gè)可見(jiàn)光波譜內(nèi)的單色LED已經(jīng)完整,能夠滿(mǎn)足各種單色發(fā)光的應(yīng)用場(chǎng)所。B.按發(fā)光強(qiáng)度分按發(fā)光強(qiáng)度分有普通亮度的LED(發(fā)光強(qiáng)度100mcd),高亮度LED(發(fā)光強(qiáng)度l00mcd),發(fā)光強(qiáng)度在10000mcd以上的稱(chēng)超高亮度發(fā)光二極管。圓形燈按直徑分為φ2mm,φ5mm,φ8mm,φ10mm及φ20mm等。D.按發(fā)光強(qiáng)度角來(lái)分從發(fā)光強(qiáng)度角分布圖來(lái)分有三種:高指向型,標(biāo)準(zhǔn)型和散射型。 LED照明現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)LED的研制起始于上世紀(jì)六十年代,隨著技術(shù)的進(jìn)步,其出光顏色的種類(lèi)、芯片尺寸、發(fā)光效率、輸入功率和封裝結(jié)構(gòu)等都有了很大的飛躍。進(jìn)入90年代,隨著LED制造材料的革新、工藝的改進(jìn)和生產(chǎn)規(guī)模的提高,AlGaInP等超高亮度LED逐漸進(jìn)入市場(chǎng)并占據(jù)重要地位。此后國(guó)內(nèi)外科研機(jī)構(gòu)對(duì)高亮度LED器件中存在的散熱、光衰和顯色指數(shù)的控制等重大問(wèn)題進(jìn)行了深入的研究,獲得了很大的進(jìn)步,其發(fā)光效率迅速提高,高亮度LED顯示出在照明領(lǐng)域的巨大潛力??茖W(xué)界預(yù)測(cè),到2007年,光電子產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)到電子產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值水平;2010年至2015年,光電子產(chǎn)業(yè)可能會(huì)取代傳統(tǒng)電子產(chǎn)業(yè),成為21世紀(jì)最大的產(chǎn)業(yè),并成為衡量一個(gè)國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展和綜合國(guó)力的重要標(biāo)志。整個(gè)計(jì)劃的財(cái)政預(yù)算為60億日元?,F(xiàn)在,日本正在實(shí)施第二期計(jì)劃,計(jì)劃到2010年將LED的發(fā)光效率提高到120 lm/W。為了指導(dǎo)LED照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,美國(guó)光電工業(yè)發(fā)展協(xié)會(huì)(OIDA)制定了相應(yīng)的技術(shù)路線(xiàn)圖,計(jì)劃到2020年,將LED的發(fā)光效率提高到200lm/W,而照明成本降低到3美元,如下表。希望通過(guò)該計(jì)劃實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能、不使用有害環(huán)境的材料、模擬自然光的半導(dǎo)體照明。其研究項(xiàng)目包括以GaN為研究材料的白光LED,藍(lán)、綠光激光二極管及高功率電子組件三大領(lǐng)域。從2006年的“十一五”開(kāi)始,國(guó)家將把半導(dǎo)體照明工程作為一個(gè)重大工程進(jìn)行推動(dòng),這對(duì)于節(jié)約能源,保護(hù)環(huán)境,提高照明質(zhì)量具有重要的意義。世界三大照明工業(yè)巨頭通用電氣(GE)、飛利浦(Philips)和歐斯朗(OSRAM)集團(tuán)都已經(jīng)啟動(dòng)了大規(guī)模商用開(kāi)發(fā)計(jì)劃,紛紛與半導(dǎo)體公司合作或進(jìn)行并購(gòu),成立半導(dǎo)體照明企業(yè):全球最大的照明光源廠商Philips ,成立了Lumileds公司致力于白光LED研發(fā)工作,其Luxeon系列高亮度LED已經(jīng)取得了重大進(jìn)展,生產(chǎn)的芯片尺寸為1平方毫米、功率為1w和5w的白光LED光通量分別達(dá)到45lm和180lm;美國(guó)Cree、德國(guó)Siemens光電公司與Osram GmbH聯(lián)合,進(jìn)行白光LED光源的開(kāi)發(fā)研究工作;日本的Toshiba和Honda也進(jìn)行LED聯(lián)合研發(fā)等。自1998年白光LED研制成功以后,LED照明才真正進(jìn)入了實(shí)施階段。目前單顆高亮度白光LED芯片的發(fā)光效率已超過(guò)50lm/W,而輸入功率則超過(guò)3W。安捷倫的前任技術(shù)科學(xué)家Roland Haitz預(yù)測(cè),LED的價(jià)格每十年將為原來(lái)的十分之一,性能則提高二十倍,這個(gè)預(yù)測(cè)后來(lái)被業(yè)界稱(chēng)為Haitz定律,如圖13所示。圖13 Haitz預(yù)測(cè)的LED性能與價(jià)格發(fā)展趨勢(shì)LED應(yīng)用于照明領(lǐng)域,涉及到材料器件研制、散熱設(shè)計(jì)、光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝材料以及測(cè)試方法等眾多科技領(lǐng)域。隨著LED性能的迅速提高,價(jià)格的不斷下降,LED光源取代白熾燈和熒光燈必將很快實(shí)現(xiàn)??萍疾俊皣?guó)家半導(dǎo)體照明工程”計(jì)劃2007年半導(dǎo)體照明逐步取代白熾燈,2012年后取代熒光燈。LED照明涉及到光度學(xué)方面的知識(shí),先做一介紹。了解光度學(xué)中相關(guān)的參數(shù)是光源計(jì)量與設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)。能引起人視覺(jué)感應(yīng)的可見(jiàn)光波長(zhǎng)在380~780nm之間,實(shí)驗(yàn)表明:正常視力的觀察者,107米(555nm)的黃綠色光最敏感,而對(duì)紫外光和紅外光,則無(wú)視力感覺(jué)。107米的黃綠光視見(jiàn)率的比稱(chēng)為該波長(zhǎng)的相對(duì)視見(jiàn)率。它等于單位時(shí)間內(nèi)某一波段的輻射能量和該波段的相對(duì)視見(jiàn)率的乘積,單位為流明(lm):光通量(lm)=683視見(jiàn)率輻射能量(W)。隨著發(fā)光效率的提高和輸入功率的增加,高亮度LED已進(jìn)入景觀照明明領(lǐng)域,并逐漸向通用照明市場(chǎng)發(fā)展。本課題的研究?jī)?nèi)容主要集中在以下幾個(gè)方面:1)論述LED封裝發(fā)展趨勢(shì);2)組裝幾種LED光源樣品并測(cè)試、評(píng)價(jià)其性能;3)關(guān)注LED發(fā)熱問(wèn)題,探討改善其散熱能力的方法并實(shí)際制作出幾種不同的散熱器。2 LED2 LED的封裝與組裝2 LED的封裝與組裝LED封裝技術(shù)大都是在分立器件封裝技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展與演變而來(lái)的,但是作為發(fā)光器件,LED的封裝又有自己的特點(diǎn):LED封裝不但要完成電信號(hào)的輸入輸出,保護(hù)芯片在正常的電流下工作,還得維持工作狀態(tài)下芯片的溫度不超過(guò)允許的范圍,這對(duì)于功率型LED的封裝來(lái)說(shuō)顯得尤為重要;另外封裝結(jié)構(gòu)和材料要有利于提高出光效率,降低生產(chǎn)成本,實(shí)現(xiàn)電性能和發(fā)光效率的最優(yōu)化。這種封裝形式的LED是典型的點(diǎn)狀光源,最適合作指示燈用,而且生產(chǎn)插件時(shí)極其方便,但是其封裝熱阻比較高。,并在焊接電極陰線(xiàn)后用透明環(huán)氧材料包封,如“食人魚(yú)”式封裝。比如40W的白熾燈能發(fā)出約600流明的光通量,而一個(gè)40W的普通熒光燈發(fā)出的光通量超過(guò)3000流明。輸入功率的不斷增加使得散熱問(wèn)題變得非常突出,因此功率型封裝中LED芯片多為倒裝式互連以提高散熱性能。,近來(lái)出現(xiàn)了多芯片封裝技術(shù)并獲得了很大的發(fā)展。通過(guò)倒裝封裝工藝,該多芯片組裝器件的發(fā)光亮度在840cd/in2以上,流明效率超過(guò)40lm/W,而使用壽命長(zhǎng)達(dá)10年,并且能在較高的溫度環(huán)境下正常工作。2006年2月,美國(guó)OPTEK公司推出了最新型的3D封裝的高亮度LED光源[16],它的輸入功率為10W,輸出光通量為330流明,而視角則達(dá)到了120度。作為新型照明光源,LED的發(fā)展?jié)摿κ俏鹩怪靡傻?。但目前功率型LED封裝還存在一些問(wèn)題有待解決,比如散熱效率低和成本過(guò)高,另外靜電防護(hù)和新出現(xiàn)的無(wú)鉛化互連等問(wèn)題也需注意。根據(jù)美國(guó)OIDA發(fā)展規(guī)劃,到2012年,每個(gè)LED單元的發(fā)光量將達(dá)1000流明,發(fā)光效率為150lm/W,因此需要的輸入功率為7瓦,這其中由于產(chǎn)生熱量而浪費(fèi)的功率將達(dá)4瓦((1klm)/(400lm/W-150lm/W)),這還不考慮其它的能量損失,假如驅(qū)動(dòng)電路與發(fā)光單元是集成的,那么還得算上30%以上的能量損失。成本過(guò)高是LED光源面臨的另一個(gè)挑戰(zhàn)。而一個(gè)出光量為3000多流明的40W熒光燈的價(jià)格卻不到10元。上述的多芯片封裝技術(shù)有望加速LED照明光源進(jìn)入通用照明市場(chǎng)。由于芯片的正負(fù)電極均位于芯片的同一個(gè)面上,間距很??;對(duì)于InGaN/AlGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié),InGaN活化層的厚度僅幾十納米,對(duì)靜電的承受能力很小,極易被靜電擊穿,使器件失效。芯片輸入功率的提高還帶來(lái)一個(gè)新的問(wèn)題——熱遷移。這些熱量在微小的芯片上產(chǎn)生很大的熱流密度,使得芯片與基板間形成一個(gè)較高的溫度梯度。隨著大功率LED芯片性能的迅速提高,功率型LED的封裝技術(shù)不斷改進(jìn)以適應(yīng)形勢(shì)的發(fā)展,如圖25所示:從開(kāi)始的引線(xiàn)框架式封裝到多芯片陣列組裝,再到如今的3D陣列式封裝,其輸入功率不斷提高,而封裝熱阻顯著降低。為了實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),進(jìn)一步改善LED封裝的熱管理將是關(guān)鍵之一,另外芯片設(shè)計(jì)制造與封裝工藝的有機(jī)融合也非常有利于產(chǎn)品性?xún)r(jià)比的提升,如美國(guó)Cree公司與Berkeley國(guó)家實(shí)驗(yàn)室合作,開(kāi)發(fā)出了光通量超過(guò)1000 lm,發(fā)光效率達(dá)57 lm/W的LED燈泡,并已進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用;隨著表面貼裝技術(shù)(SMT)在工業(yè)上的大規(guī)模應(yīng)用,采用透明型封裝材料和功率型MOSFET封裝平臺(tái)將是LED封裝發(fā)展的一個(gè)方向,功能集成(比如驅(qū)動(dòng)電路)也將進(jìn)一步的推動(dòng)LED封裝技術(shù)的發(fā)展?!黧w自組裝功率型LED封裝采用的是大尺寸、高輸入電流的芯片。因此,人們?cè)O(shè)想能否采用發(fā)光效率高、散熱性能好的小尺寸LED芯片()進(jìn)行陣列式封裝,這不但能提高元件的發(fā)光效率,而且能形成高光通量的面光源,并有利于成本的降低。FSA具有并行地、大批量地、高精度地將LED芯片組裝到基板上的能力,而且操作簡(jiǎn)單靈活、散熱性能良好,有望實(shí)現(xiàn)多LED芯片的陣列式封裝。組裝系統(tǒng)一般包括四個(gè)組成部分:微元件、組裝基板、載體溶液和粘結(jié)材料。FSA
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