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西北工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)基礎(chǔ)課后題答案-展示頁

2025-07-05 05:29本頁面
  

【正文】 單位體積自由能的變化可知,只有?T0,才有?GB0。由于離子鍵及共價(jià)鍵很強(qiáng),故陶瓷的抗壓強(qiáng)度很高,硬度極高。22. 因?yàn)榇蠖鄶?shù)陶瓷主要由晶相和玻璃相組成,這兩種相的熱膨脹系數(shù)相差較大,由高溫很快冷卻時,每種相的收縮不同,所造成的內(nèi)應(yīng)力足以使陶瓷器件開裂或破碎。(4)Si—OSi的結(jié)合鍵形成一折線。(2)每一個氧最多只能被兩個[Si04]四面體所共有。 硅酸鹽結(jié)構(gòu)的基本特點(diǎn):(1)硅酸鹽的基本結(jié)構(gòu)單元是[Si04]四面體,硅原子位于氧原子四面體的間隙中。 (1)和(2)如下:(3)每摩爾的水()形成時,—O及N—H鍵,同時形成0.6X1024的C—N及H—O鍵。18.17.16. (1)單體質(zhì)量為12X2+1X2+=97 g/mol;(2)聚合度為14.13. 模子的尺寸l= mm。11. (1)WLi+=16/102,WMg2+=24/1020,WF=44/102,WO2—=16/102(2)該固熔體的密度ρ= g/cm3。 (1) nm;(2) nm(3) nm;(4) nm;(5) nm。9.熔質(zhì)與熔劑原子尺寸相差越大,點(diǎn)陣畸變的程度也越大,則畸變能越高,結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性越低,熔解度越小。8.7.6.5.故上述原子熔入時均處在八面體間隙的中心。中的固熔度(摩爾分?jǐn)?shù))較大一些。氫在αFe中的固熔度(摩爾分?jǐn)?shù))也很小,且隨溫度下降時迅速降低。αFe中的八面體間隙是不對稱的,形為扁八面體,[100]方向上間隙半徑r=,而在[110]方向上,r=,當(dāng)碳原子熔入時只引起一個方向上的點(diǎn)陣畸變。假若碳原子熔入。例如N在αFe中的固熔度(摩爾分?jǐn)?shù))在590℃時達(dá)到最大值,約為WN=,在室溫時降至WN=;C在αFe中的固溶度(摩爾分?jǐn)?shù))在727℃時達(dá)最大值,僅為WC=,在室溫時降至WC=。H,N,C,B等元素熔人。4.式中,ZA,ZB分別為A,B組元的價(jià)電子數(shù);xB為B組元的摩爾分?jǐn)?shù)。 在原子尺寸因素相近的情況下,上述元素在Ag中的固熔度(摩爾分?jǐn)?shù))受原子價(jià)因素的影響,即價(jià)電子濃度e/a是決定固熔度(摩爾分?jǐn)?shù))的一個重要因素。有序化的推動力是混合能參量(εm=εAB-1/2(EAA+EBB))εm 0,而有序化的阻力則是組態(tài)熵;升溫使后者對于自由能的貢獻(xiàn)(TS)增加,達(dá)到某個臨界溫度以后,則紊亂無序的固熔體更為穩(wěn)定,有序固熔體消失,而變成無序固熔體。結(jié)合能愈大,原子愈不容易結(jié)合。 有序固熔體,其中各組元原子分別占據(jù)各自的布拉菲點(diǎn)陣——稱為分點(diǎn)陣,整個固熔體就是由各組元的分點(diǎn)陣組成的復(fù)雜點(diǎn)陣,也叫超點(diǎn)陣或超結(jié)構(gòu)。別間隙固熔體間隙化合物相 同 點(diǎn)一般都是由過渡族金屬與原子半徑較小的C,N,H,O,B等非金屬元素所組成 1.(8) 共格界面。(6) 始終是柏氏矢量方向。因?yàn)槲诲e環(huán)是通過環(huán)內(nèi)晶體發(fā)生滑移、環(huán)外晶體不滑移才能形成。這是因?yàn)樵右M量保持自己所占的體積不變或少變 [原子所占體積VA=原子的體積(4/3πr3+間隙體積],當(dāng)晶體結(jié)構(gòu)的配位數(shù)減小時,即發(fā)生間隙體積的增加,若要維持上述方程的平衡,則原子半徑必然發(fā)生收縮。(2) 密排六方結(jié)構(gòu)。晶界的能量γ由位錯的能量E構(gòu)成,設(shè)l為位錯線的長度,由位錯的能量計(jì)算可知,取R=D (超過D的地方,應(yīng)力場相互抵消),r0=b和θ=b/D代入上式可得:式中20.19. (說明形成亞晶界后,位錯能量降低)。D= nm時,即位錯之間僅有5~6個原子間距,此時位錯密度太大,說明當(dāng)θ角較大時,該模型已不適用。 當(dāng)θ=1176。(2) τNi=107 Pa。16. (1) 能夠進(jìn)行。 ∑b后2=,即反應(yīng)后能量升高。(4) 不能。幾何條件:∑b前=a/b[557],∑b后=a/b[11175。能量條件:∑b前2=∑b后2,兩邊能量相等。 (1) 能。(2) 。13.在位錯線沿滑移面旋轉(zhuǎn)360176。 (1)應(yīng)沿滑移面上、下兩部分晶體施加一切應(yīng)力τ0,的方向應(yīng)與de位錯線平行。為負(fù)刃型位錯。為正刃型位錯,D39。為左螺型位錯;B39。為右螺型位錯,C39。(2) A39。在位錯環(huán)運(yùn)動移出晶體后,滑移面上、下兩部分晶體相對移動的距離是由其柏氏矢量決定的。 1014倍。 9. 1018/個原子。 (2) 。 (1) 1028個矽原子/m3; l013個原子/mm2;;1013個原子/mm2。106個原子/mm。6. 單位晶胞的體積為VCu= nm3(1028m3)5.共12個等價(jià)面。{110}=(110)十()+(101)+()+(011)+(),共6個等價(jià)面。3.2.1. 。 。 {100}=(100)十(010)+(001),共3個等價(jià)面。{111}=(111)+()+()+(),共4個等價(jià)面。4. (1) nm;(2) nm。 106個原子/mm。7.8.9.10.11.(1) 這種看法不正確。位錯環(huán)的柏氏矢量為b,故其相對滑移了一個b的距離。B39。D39。C39。A39。12.(2)在上述切應(yīng)力作用下,位錯線de將向左(或右)移動,即沿著與位錯線de垂直的方向(且在滑移面上)移動。后,在晶體表面沿柏氏矢量方向產(chǎn)生寬度為一個b的臺階。 (1),其大小為。14.幾何條件:∑b前=∑b后=;能量條件:∑b前2=∑b后2=(2) 不能。(3) 不能。1],不能滿足。能量條件:∑b前2=a2 15.因?yàn)榧葷M足幾何條件:∑b前=∑b后=,又滿足能量條件:∑b前2=∑b后2=(2) b合=;該位錯為弗蘭克不全位錯。 (1)假設(shè)晶體中位錯線互相纏結(jié)、互相釘扎,則可能存在的位錯源數(shù)目個/Cm3。17.D=14 nm;θ=10176。18. 設(shè)小角度晶界的結(jié)構(gòu)由刃型位錯排列而成,位錯間距為D。 (1)晶體點(diǎn)陣也稱晶體結(jié)構(gòu),是指原子的具體排列;而空間點(diǎn)陣則是忽略了原子的體積,而把它們抽象為純幾何點(diǎn)。(3) 原子半徑發(fā)生收縮。(4) 不能。(5) 外力在滑移面的滑移方向上的分切應(yīng)力。(7) 位錯的交割。(9) 否,扭轉(zhuǎn)晶界就由交叉的同號螺型位錯構(gòu)成。 。 間隙固溶體與間隙化合物的比較類不同點(diǎn)晶體結(jié)構(gòu)屬于固熔體相,保持熔劑的晶格類型屬于金屬化合物相,形成不同于其組元的新點(diǎn)陣表達(dá)式用α、β、γ等表示用化學(xué)分子式MX,M2X等表示機(jī)械性能強(qiáng)度、硬度較低,塑性、韌性好高硬度、高熔點(diǎn),甥性、韌性差2.這種排列和原子之間的結(jié)合能(鍵)有關(guān)。如果異類原子間結(jié)合能小于同類原子間結(jié)合能,即EAB (EAA十EBB)/2,則熔質(zhì)原子呈部分有序或完全有序排列。3.它們的原子價(jià)分別為2,3,4,5價(jià),Ag為1價(jià),相應(yīng)的極限固熔度時的電子濃度可用公式c=ZA(1一xB)+ZBxB計(jì)算。上述元素在固溶度(摩爾分?jǐn)?shù))。 ΑFe為體心立方點(diǎn)陣,致密度雖然較小,但是它的間隙數(shù)目多且分散,因而間隙半徑很?。簉四=,R=;r八=,R=。αFe中形成間隙固熔體,由于尺寸因素相差很大,所以固熔度(摩爾分?jǐn)?shù))都很小。所以,可以認(rèn)為碳原子在室溫幾乎不熔于αFe中,微量碳原子僅偏聚在位錯等晶體缺陷附近。αFe中時,它的位置多在αFe的八面體間隙中心,因?yàn)?。硼原子較大,熔人間隙更為困難,有時部分硼原子以置換方式熔人。以上元素在γFe。這是因?yàn)棣肍e具有面心立方點(diǎn)陣,原子堆積致密,間隙數(shù)目少,故間隙半徑較大:rA=,R=;r四=,R= nm。如碳在γFe中最大固熔度(質(zhì)量分?jǐn)?shù))為WC=;氮在γFe中的最大固熔度(質(zhì)量分?jǐn)?shù))約為WN=。 密度ρ= g/cm3。 nm。 %的八面體間隙位置;%的八面體間隙位置。 這是因?yàn)樾纬晒倘垠w時,熔質(zhì)原子的熔入會使熔劑結(jié)構(gòu)產(chǎn)生點(diǎn)陣畸變,從而使體系能量升高。一般來說,間隙固熔體中熔質(zhì)原子引起的點(diǎn)陣畸變較大,故不能無限互溶,只能有限熔解。 910. 故理論強(qiáng)度介于之間,即4900~7000 MPa12. 故可能是丙酮。 畫出丁醇(C4H9OH)的4種可能的異構(gòu)體如下:15. n=60000/97=620。 (1) nm;(2)分子質(zhì)量m=7125 g。 理論上的最大應(yīng)變?yōu)?380%。 單體的摩爾分?jǐn)?shù)為:X苯烯=20/102,X丁二烯=40/102,X丙烯晴=40/10219.凈能量變化為15 kJ/mol。20.硅—氧之間的結(jié)合鍵不僅是純離子鍵,還有相當(dāng)?shù)墓矁r(jià)鍵成分。(3)[Si04]四面體可以是互相孤立地在結(jié)構(gòu)中存在,也可以通過共頂點(diǎn)互相連接。硅酸鹽分成下列幾類:(1)含有有限硅氧團(tuán)的硅酸鹽;(2)鏈狀硅酸鹽;(3)層狀硅酸鹽;(4)骨架狀硅酸鹽。21. 陶瓷材料中主要的結(jié)合鍵是離子鍵及共價(jià)鍵。因?yàn)樵右噪x子鍵和共價(jià)鍵結(jié)合時,外層電子處于穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)狀態(tài),不能自由運(yùn)動,故陶瓷材料的熔點(diǎn)很高,抗氧化性好,耐高溫,化學(xué)穩(wěn)定性高。1.即只有過冷,才能使?G0。由臨界晶核形成功A=1/3σS可知,當(dāng)形成一個臨界晶核時,還有1/3的表面能必須由液體中的能量起伏來提供。因此,結(jié)構(gòu)起伏是結(jié)晶過程必須具備的結(jié)構(gòu)條件。 凝固驅(qū)動力?G= J/mol。 (1)rk= m;4.其問題實(shí)質(zhì)是分析當(dāng)界面粗糙化時,界面自由能的相對
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