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正文內(nèi)容

基于topswitch的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)-展示頁(yè)

2025-07-04 18:12本頁(yè)面
  

【正文】 振蕩器 內(nèi)部振蕩器通過(guò)內(nèi)部電容線(xiàn)性地充電放電,產(chǎn)生脈寬調(diào)制器所需的的鋸齒波電壓。 帶隙基準(zhǔn) TOPSwitch Ⅱ內(nèi)部電壓取自具有溫度補(bǔ)償?shù)膸痘鶞?zhǔn)電壓。此時(shí)高壓電流源接通,并再次給電容CT充電。在啟動(dòng)時(shí),控制極的電流由內(nèi)部接在漏極和控制極之間的高壓開(kāi)關(guān)電流源提供。接在控制極和源極之間的外部旁路電容CT,為柵極提供驅(qū)動(dòng)電流,并設(shè)置自動(dòng)恢復(fù)時(shí)間及控制環(huán)路的補(bǔ)償。系統(tǒng)關(guān)閉時(shí),可激發(fā)輸入電流,同時(shí)也是提供旁路、自動(dòng)重啟和補(bǔ)償功能的電容連接點(diǎn)。 控制極 誤差放大電路和反饋電流的輸入端。 漏極 連接內(nèi)部MOSFET的漏極,在啟動(dòng)時(shí),通過(guò)內(nèi)部高壓開(kāi)關(guān)電流源提供內(nèi)部偏置電流。 TOPSwitch Ⅱ是一個(gè)自偏置、自保護(hù)的電流-占空比線(xiàn)性控制轉(zhuǎn)換器。 TOPSwitch Ⅱ系列器件是TOPSwitch的升級(jí)產(chǎn)品,同后者相比,內(nèi)部電路做了許多改進(jìn),器件對(duì)于電路板布局以及輸入總線(xiàn)瞬變的敏感性大大減少,故設(shè)計(jì)更為方便,性能有所增強(qiáng)。2 TOPSwitch Ⅱ器件簡(jiǎn)介 TOPSwitch系列器件是三端脫線(xiàn)式PWM開(kāi)關(guān)(Three-terminal Off-line PWM Swtich)的英文縮寫(xiě)。 90年代以來(lái),出現(xiàn)了PWM/MOSFET二合一集成芯片,他大大降低了開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的復(fù)雜性,減少了開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)所需的時(shí)間,從而加快了產(chǎn)品進(jìn)入市場(chǎng)的速度。7 / 7基于TOPSwitch Ⅱ的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì) 1
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