模擬電子技術(shù)課后習(xí)題答案康華光等編-展示頁(yè)
2025-07-03 23:32本頁(yè)面
【正文】 2．4．8a所示，設(shè)輸入電壓vI（t）波形如圖 b所示，在 0＜t＜5ms的時(shí)間間隔內(nèi)，試?yán)L出vo（t）的波形，設(shè)二極管是理想的。因此，當(dāng)vi≥0．5V時(shí)有 同理，vi≤－，可求出類似結(jié)果。當(dāng)0＜|Vi|＜0．5 V時(shí)，D1，D 2均截止，vo=vi； vi≥0．5V時(shí)，D1導(dǎo)通，D2截止。 解 （1）恒壓降等效電路法 當(dāng)0＜|Vi|＜，DD2均截止，vo＝vi；當(dāng)vi≥；D1導(dǎo)通，D2截止，vo ＝0. 7V；當(dāng)vi≤，D2導(dǎo)通，D1截止，vo＝－0．7V。圖c：將D斷開(kāi)，以“地”為參考點(diǎn)，有 D被正偏而導(dǎo)通。 試判斷圖題 ，為什么？解 圖a：將D斷開(kāi)，以“地”為電位參考點(diǎn)，這時(shí)有 D被反偏而截止。圖c：對(duì)D1有陽(yáng)極電位為 0V，陰極電位為－12 V，故D1導(dǎo)通，此后使D2的陰極電位為 0V，而其陽(yáng)極為－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。解 圖a：將D斷開(kāi)，以O(shè)點(diǎn)為電位參考點(diǎn)，D的陽(yáng)極電位為－6 V，陰極電位為－12 V，故 D處于正向偏置而導(dǎo)通，VAO= –6 V。，試判斷圖中的二極管是導(dǎo)通還是截止，并求出AO兩端電壓VAO。解（1）求二極管的電流和電壓（2）求vo的變化范圍，溫度 T＝300 K。模擬電子技術(shù)習(xí)題答案第二章。（1）利用硅二極管恒壓降模型求電路的ID和 Vo的值；（2）在室溫（300K）的情況下，利用二極管的小信號(hào)模型求vo的變化范圍。 當(dāng)rd1=rd2=rd時(shí)，則 的變化范圍為，～。設(shè)二極管是理想的。圖b：D的陽(yáng)極電位為－15V，陰極電位為－12V，D對(duì)被反向偏置而截止，VAO＝－12V。圖d：對(duì)D1有陽(yáng)極電位為12 V，陰極電位為0 V，對(duì)D2有陽(yáng)極電位為12 V，陰極電位為－6V．故D2更易導(dǎo)通，此后使VA＝－6V；D1反偏而截止，故VAO＝－6V。 圖b：將D斷開(kāi)，以“地”為參考點(diǎn)，有 D被反偏而截止。，D1，D2為硅二極管，當(dāng) vi＝ 6 sinωtV時(shí)，試用恒壓降模型和折線模型（Vth＝ V，rD＝200Ω）分析輸出電壓 vo的波形。（2），圖中Vth＝0．5V，rD＝200Ω。vi≤－ V時(shí)，D2導(dǎo)通，D1 截止。vi與vo波形如圖解2．4．7c所示。解 vI（t）＜6V時(shí)，D截止，vo（t）＝6V；vI（t）≥6V時(shí)，D導(dǎo)通 電路如圖題2．4．13所示，設(shè)二極管是理想的。解 （a）畫(huà)傳輸特性 0＜vI＜12 V時(shí)，D1，D2均截止，vo＝vI； vI≥12 V時(shí)，D1導(dǎo)通，D2截止 －10V＜vI＜0時(shí)，D1，D2均截止，vo＝vI； vI≤－10 V時(shí)，D2導(dǎo)通，D1 截止 傳輸特性如圖解 2．4 13中 a所示。 兩只全同的穩(wěn)壓管組成的電路如圖題2．5．2所示，假設(shè)它們的參數(shù)V2和正向特性的Vth、rD為已知。解 當(dāng)| vI |＜（Vz＋Vth）時(shí)，Dzl、DZ2均截止，vo＝vI；| vI |≥（Vz＋Vth）時(shí)，Dzl、DZ2均導(dǎo)通傳輸特性如圖解2．5．2所示。解 由于鍺BJT的|VBE|≈，硅BJT的|VBE|≈0．7V，已知用BJT的電極B的VB＝一6 V，電極C的Vc＝–6．2 V，電極A的VA＝－9 V，故電極A是集電極。．2．1所示各電路對(duì)正弦交流信號(hào)有無(wú)放大作用。（設(shè)各電容的容抗可忽略） 解 圖題3．2．la無(wú)放大作用。 圖題3．2．1b有交流放大作用，電路偏置正常，且交流信號(hào)能夠傳輸。圖題3．2．id無(wú)交流放大作用，因電源 Vcc的極性接反。 （a）VC＝6 V VB＝ V VE＝0 V （b）VC＝6 V VB＝2 V VE＝ V （c）VC＝6 V VB＝6V VE＝ V （d）VC＝6 V VB＝4V VE＝ V （。 （b）放大區(qū)，VBE＝（2—l．3）V＝0．7 V，VCB＝（6－2）V＝4 V，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 （d）截止區(qū)。 設(shè)輸出特性如圖題 3．3．1所示的 BJT接成圖題 3．，具基極端上接VBB＝3．2 V與電阻Rb＝20 kΩ相串聯(lián)，而 Vcc＝6 V，RC＝200Ω，求電路中的 IB、IC和 VCE的值，設(shè) VBE＝0．7 V。由Q點(diǎn)的位置可知，IB ＝20181。 （2）由基極回路得： 由集－射極回路得 （3）求輸出電壓的最大不失真幅度 由交流負(fù)載線與輸出特性的交點(diǎn)可知，在輸人信號(hào)的正半周，輸出電壓vCE從3V到0．8V，；在輸入信號(hào)的負(fù)半周，輸出電壓vCE從3V到4．6V，變化范圍為1．6V。 （4）基極正弦電流的最大幅值是20 181。 ，設(shè)電路中各電容容抗均可忽略，并注意標(biāo)出電壓、電流的正方向。＝50。解（1）估算Q點(diǎn) （2）。（1）寫(xiě)出靜態(tài)電流Ic及電壓VCE的表達(dá)式；（2）寫(xiě)出電壓增益、輸人電或Ri．和輸出電阻Ro的表達(dá)式；（3）若將電容C3開(kāi)路，對(duì)電路將會(huì)產(chǎn)生什么影響？ 解（1）Ic及VCE的表達(dá)式 （2）、Ri．和Ro的表達(dá)式 （3）C3開(kāi)路后，將使電壓增益的大小增加同時(shí)Ro也將增加。
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