【正文】 要求必須給柵極G加正向偏壓。 增強(qiáng)型耗盡型N溝道 柵極電流就是PN結(jié)的反向飽和電流。： 工作在放大狀態(tài)時(shí)要求有： 并且應(yīng)有 UD US，才能收集電子。 VCCS 靠 UDG和 USG使兩個(gè)PN結(jié)全部反偏，使耗盡層加寬。 ： ： N溝道 P溝道 場(chǎng)效應(yīng)管分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管。 輸入阻抗十分高。（電場(chǎng)效應(yīng)來工作。 三極管是靠多子、少子一起來導(dǎo)電的,又叫雙極型晶體管。它只依靠一種載流子導(dǎo)電。 場(chǎng)效應(yīng)管只靠多子來導(dǎo)電。 共基極輸入電阻： 167。 集電極最大允許功耗PCM 。 反向擊穿電壓BUCEO ： 當(dāng)基極開路時(shí)集電極和發(fā)射極之間的反向擊穿電壓。 集電極最大允許電流ICOM ： IC 值。 ； ； 共基極接法電流放大系數(shù) 直流電流放大系數(shù) 六、晶體三極管的主要參數(shù) 飽和區(qū)： iC 不受 iB 控制。 各條曲線近似水平， iC 和 UCE 的變化基本無關(guān)，呈近似恒流特性。 放大區(qū)： iC 受 iB 控制。 截止區(qū)： iB = 0 ； iC = 0 。有： 因?yàn)槿龢O管有三個(gè)電極，要想在二維坐標(biāo)系上表示出三個(gè)變量之間的關(guān)系。輸出特性曲線 (ICUCE)IB 有： 共射組態(tài)放大電路的特性曲線：五、晶體三極管特性曲線 (UBE 187。 (IC 187。 【共射】 對(duì)電壓、電流都有放大倍數(shù)。（C結(jié)漏電流大）四、晶體管工作的三種組態(tài) PNP──UC UB UE ； IE=IB+IC 三個(gè)電極電流滿足： 即三極管實(shí)際上是一個(gè)電流控制電流源CCCS。 三、放大狀態(tài)下晶體管中的電流 注： 交流有效值── 大寫小寫； 交流值── 小寫小寫 ； 瞬時(shí)值 ── 小寫大寫 ； 靜態(tài)值── 大寫大寫 ；*注意： 實(shí)際電流的流向是與電子流的方向相反的。 例：P52 1－2 167。P2426 串聯(lián)、并聯(lián)、雙向。 二極管應(yīng)用： 1． 整流：略2． 穩(wěn)壓：穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路。 特殊二極管：穩(wěn)壓二極管；變?nèi)荻O管；發(fā)光二極管； 例：用萬用表測(cè)電阻和二極管換不同檔測(cè)量電阻，結(jié)果一樣嗎？ 交流電阻 ── 216。 直流電阻（靜態(tài)電阻）── 216。 4．二極管的等效電阻C) 令： （室溫下 UT = 26mV ） 伏安關(guān)系式簡(jiǎn)化為： 當(dāng)外加電壓大于反向擊穿電壓 UB時(shí)，反向電流隨電壓急劇增大（擊穿）。 當(dāng)正向電壓超過某一門限電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通，電流隨電壓的增加成指數(shù)率的關(guān)系迅速增大。13 二極管一、構(gòu)成與符號(hào)正偏：擴(kuò)散電流很大，以擴(kuò)散電容為主。（對(duì)外等效為三個(gè)容性電流相加。外電壓增量引起空穴－電子對(duì)存儲(chǔ)就象電容充電一樣。 擴(kuò)散電容：當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時(shí)，由于擴(kuò)散作用，從另一方向本方注入少子，少子注入后，將破壞半導(dǎo)體的電中性。對(duì)外等效為非線性微變電容。 勢(shì)壘電容：外加電壓變化引起勢(shì)壘區(qū)寬窄的變化引起。 當(dāng)反向電壓在4V和7V之間的時(shí)候，兩種擊穿均有。 7V 4V 【PN結(jié)的反向擊穿】： 擴(kuò)散電流 （趨近于0） 175。 結(jié)論： 勢(shì)壘高度 173。 擴(kuò)散電流 173。 結(jié)論： 勢(shì)壘高度 175。 總電流為零。 （很小，約零點(diǎn)幾伏）漂移運(yùn)動(dòng)： 由于內(nèi)建電場(chǎng)的吸引，個(gè)別少數(shù)載流子受電場(chǎng)力的作用與多子運(yùn)動(dòng)方向相反作運(yùn)動(dòng)。由正、負(fù)離子區(qū)形成了一個(gè)內(nèi)建電場(chǎng)（即勢(shì)壘高度）。留下了正、負(fù)離子。 什么是PN結(jié) 167。 o 空 o 摻雜后由B提供的空 原理： Si──＋4價(jià) B與Si形成共價(jià)鍵后多余了一個(gè)空穴。 如：硼；鋁 使空穴大大增加 穴──少子 o 自由電子──多子 o 摻雜后由P提供的自由電子──數(shù)量多。 原理： Si──＋4價(jià) P與Si形成共價(jià)鍵后多余了一個(gè)電子。 如：磷；砷 P──＋5價(jià) 使自由電子大大增加 （＋） 三、雜質(zhì)半導(dǎo)體──N型、P型 ──電子跳走以后留下的坑 （－） 自由電子──受束縛的電子 光照──光敏元件等 摻雜──管子 （略） 本征半導(dǎo)體――純凈、晶體結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。 （如：硅Si 鍺Ge等＋4價(jià)元素以及化合物）二、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 半導(dǎo)體就是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。11 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)一、什么是半導(dǎo)體 14 晶體三極管 167。12 PN結(jié)167。8－3 自動(dòng)相位控制（APC）PLL第一章 半導(dǎo)體器件167。8－1 自動(dòng)增益控制（AGC）167。7－4 頻率解調(diào)的基本原理和方法 第八章7－3 調(diào)頻及調(diào)相信號(hào)的產(chǎn)生 7－2 調(diào)角信號(hào)分析 7－1 概述 非線性頻率變換 ──角度調(diào)制與解調(diào) 變頻 第七章 檢波電路167。 調(diào)幅電路167。 調(diào)幅波的基本特性167。 ──振幅調(diào)制、檢波、變頻 167。5－5 RC正弦波振蕩器第六章5－3 LC振蕩器的頻率穩(wěn)定度167。反饋型正弦波振蕩器的工作原理 167。 正弦波振蕩器 167。4－44－34－2模擬乘法器 第四章 功率放大電路 167。 限幅器（二極管接于運(yùn)放輸入電路中的限幅器） 167。3－53－3 集成運(yùn)算放大電路167。3－1 恒流源電路167。2523 頻率特性的分析法167。21 晶體三極管基本放大電路167。14 晶體三極管 167。12 PN結(jié)167。硬件電子電路基礎(chǔ)關(guān)于本課程 第一章 半導(dǎo)體器件 167。11 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)167。13 二極管167。15 場(chǎng)效應(yīng)管 第二章 基本放大電路 167。22 反饋放大器的基本概念167。24 小信號(hào)選頻放大電路 167。場(chǎng)效應(yīng)管放大電路 第三章 模擬集成電路 167。3－2 差動(dòng)放大電路167。3－4 集成運(yùn)放的應(yīng)用 167。3－6 4－1 功率放大電路的主要特點(diǎn)167。乙類功率放大電路167。丙類功率放大電路167。丙類諧振倍頻電路 第五章5－15－2 LC正弦波振蕩電路 167。5－4 石英晶體振蕩器167。 線性頻率變換6－16－26－36－4 167。 167。 167。 167。 反饋控制電路 167。8－2 自動(dòng)頻率控制（AFC） 167。11 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)167。13 二極管167。15 場(chǎng)效應(yīng)管 167。（導(dǎo)電能力即電導(dǎo)率） 硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。 半導(dǎo)體的導(dǎo)電率會(huì)在外界因素作用下發(fā)生變化 溫度──熱敏元件 半導(dǎo)體中的兩種載流子──自由電子和空穴 空穴（前講）摻雜可以顯著地改變半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性，從而制造出雜質(zhì)半導(dǎo)體。 N型半導(dǎo)體 （自由電子多） 摻雜為＋5價(jià)元素。 載流子組成：o 本征激發(fā)的空穴和自由電子──數(shù)量少。 o 空 P型半導(dǎo)體 （空穴多） 摻雜為＋3價(jià)元素。 B──＋3價(jià) 載流子組成：o 本征激發(fā)的空穴和自由電子──數(shù)量少。 穴──數(shù)量多。 穴──多子 o 自由電子──少子 結(jié)論：N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子為自由電子； P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子為 空穴 。12 PN結(jié)一、PN結(jié)的基本原理 將一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體緊密第結(jié)合在一起時(shí)，交界面兩側(cè)的那部分區(qū)域。 PN結(jié)的結(jié)構(gòu)分界面上的情況：P區(qū)： 空穴多N區(qū)： 自由電子多擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)： 多的往少的那去，并被復(fù)合掉。（正、負(fù)離子不能移動(dòng)）留下了一個(gè)正、負(fù)離子區(qū)──耗盡區(qū)。方向：N P 大?。?與材料和溫度有關(guān)。結(jié)論：在沒有外加電壓的情況下，擴(kuò)散電流和漂移電流的大小相等，方向相反。二、PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦? 外加正向電壓時(shí)：（正偏） PN結(jié)寬度（耗盡區(qū)寬度） 175。 外加反向電壓時(shí)： （反偏） PN結(jié)寬度（耗盡區(qū)寬度） 173。 此時(shí)總電流＝反向飽和電流（漂移電流）：I5 注：反向飽和電流I5只與溫度有關(guān)，與外加電壓無關(guān)。 齊納擊穿：勢(shì)壘區(qū)窄，較高的反向電壓形成的內(nèi)建電場(chǎng)將價(jià)電子拉出共價(jià)鍵，導(dǎo)致反向電流劇增。 雪崩擊穿：勢(shì)壘區(qū)寬，載流子穿過PN結(jié)時(shí)間長(zhǎng)，速度高，將價(jià)電子從共價(jià)鍵中撞出來，撞出來的電子再去撞別的價(jià)電子，導(dǎo)致反向電流劇增?！綪N結(jié)的電容效應(yīng)】： 它與平行板電熱器在外加電壓作用下，電容極板上積累電荷情況相似。（反偏減小，正偏增大） 為了維持電中性，將會(huì)有相同數(shù)量的異性載流子從外電路進(jìn)入半導(dǎo)體，在半導(dǎo)體中形成空穴－電子對(duì)儲(chǔ)存。 PN結(jié)等效為：兩個(gè)擴(kuò)散電容＋一個(gè)勢(shì)壘電容。等效對(duì)外不對(duì)內(nèi)）反偏：擴(kuò)散電流＝0，以勢(shì)壘電容為主。167。二、伏安特性曲線 ： 正向電壓較小時(shí)，正向電流幾乎為0──死區(qū)。 門限電壓（導(dǎo)通電壓）──UD ：硅管 ── 鍺管 ── 2．反向特性： 當(dāng)外加電壓小于反向擊穿電壓時(shí)，反向電流幾乎不隨電壓變化。 3．伏安特性解析式 在理想條件下，PN結(jié)的伏安（電流與結(jié)電壓）關(guān)系式：──呈指數(shù)關(guān)系 式中： q──電子電荷量 K──波爾茲曼常數(shù) T──絕對(duì)溫度 0K(273176。 當(dāng)電壓超過100mV時(shí)，公式可以簡(jiǎn)化為： 加正向電壓時(shí)： 加反向電壓時(shí)： I = IS 從二極管的伏安特性曲線上可以看出：二極管是非線性元件，等效電阻的大小與Q點(diǎn)有關(guān)。 P22 Fig 13163． 限幅器：二極管限幅器。14 晶體三極管一、結(jié)構(gòu)及符號(hào)b區(qū)極薄 C結(jié)面積 e結(jié) e區(qū)攙雜濃度最大，b區(qū)攙雜濃度最低。 （不能將兩個(gè)二極管兌成一個(gè)三極管來用） 　二、晶體管的四種工作狀態(tài) 狀態(tài) 發(fā)射結(jié)電壓 集電結(jié)電壓 放大 正 反 截止 反 反 飽和 正 正 倒置 反 正 用很少量的 IB 來控制 IC 。 工作在放大狀態(tài)下的NPN管一定為：IB 、 IC 流入，IE 流出。 工作在放大區(qū)的條件：NPN──UC UB UE； 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 例：集成電路中沒有三極管，是用三極管的一個(gè)結(jié)來代替，用哪個(gè)結(jié)？e結(jié)。 【共基】 無電流放大倍數(shù)，有電壓放大倍數(shù)。 IE) 【共集】 無電壓放大倍數(shù)，有電流放大倍數(shù)。 ） 輸入特性曲線 (IBUBE)UCE UBE為一個(gè)正偏的PN結(jié)，所以特性曲線和二極管的正向特性曲線相同。 特性曲線就得是一族。 　　 特點(diǎn)： UCE = UCC ； UCE ＝ 1. 電流放大系數(shù) 交流短路電流放大系數(shù) 2. 極限參數(shù) 共射電路的輸入電阻： BE結(jié)電阻： 15 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管的特點(diǎn)： 它是單極型晶體管。 它靠?jī)煞N載流子導(dǎo)電。 場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)電途徑：溝道──利用外加電場(chǎng)改變半導(dǎo)體體電阻來進(jìn)行工作。） 一、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 1．結(jié)構(gòu)： N區(qū)為載流子的主要通道──N溝道。依靠反偏電壓的強(qiáng)弱來控制耗盡層的寬窄，（即改變半導(dǎo)體的體電阻）達(dá)到控制電流的作用。漏極D和源極S，可以互換著使用。 要求柵極G一定要反偏。 它幾乎不隨電壓變化。 5. 輸出特性曲線：──以UGS 為參變量，描述ID和UDS 之間的關(guān)系。二、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 ：（以N溝道為例）　　　 2. 符號(hào)： P溝道 場(chǎng)效應(yīng)管特性比較 P47 Tab 12 ： 216。 增強(qiáng)型：原始沒有導(dǎo)電溝道，靠外加電壓后形成反型層導(dǎo)電溝道。 有： UD UG US 216。 所加?xùn)艠O電壓可正、可負(fù)。21 晶體三極管基本放大電路167。23 頻率特性的分析法167。252－1 晶體三極管基本放大電路一、放大器的組成 放大電路的功能和主要研究問題 （增大的能量是由電源提供的。 放大器的要求：能放大； 不失真； 主要指標(biāo)是放大倍數(shù)： 三種基本放大電路（三種組態(tài)） 三種組態(tài)：