【正文】 only a small size additional heat sink is needed.Figure 3 Voltage Regulator circuit LM2576’s maximum allowable input voltage is 40V, so as to achieve a stable DC voltage output. In the design, the regulator input voltage VDD is limited to a certain voltage range through the MOSFET control circuit. And then switching regulator can output stable DC power supply satisfied the need of general electronic circuits.C. MOSFET Control CircuitIn order to prevent the current signal from continuing to charge capacitor as the capacitor terminal voltage exceeds its rated voltage, and also to obtain stable regulator input voltage, this design introduces a MOSFET controlled switching circuit. Block diagram shown in .Figure 4 MOSFET controlled switching circuit Hysteresis voltage parator circuit pare the reference voltage VREF with the regulator input voltage VDD and the rectifier circuit output voltage VEE. Through circuit design, when any one of voltage value higher than the reference voltage, the MOSFET will turn on. It means that therectifier circuit output voltage VEE is connected to zero potential, and charging process of the capacitor stop。s rated voltage but also obtains a stable voltage input for regulator.Figure 2 Design block diagram of selfsupplying power sourceIII. DESIGN OF CURRENT TRANSFORMER The value of secondary output current of general protective current transformer is 5A/1A, which is larger for the sampling circuit. Therefore, a current converter should be added between the protective current transformer and the sampling circuit in application, in order to achieve the requirement of current value. This paper selects model current transformer, the secondary output current of which is smaller than usual. So,it can satisfy the requirements of rectifier circuit withoutcurrent converter. Comparison of applications and all kinds of performance indicators of different magnetic materials, we have chosen H9 silicon steel. This material has high initial permeability, can minimize the starting current。 (2)The stability problem of the approach to take power。s own power supply of work and operation circuits require substation or distribution room to provide AC or DC power supply. If there was no power at the scene, relay protection devices can not work. Can it be able to work without power supply like some of the RTU devices used in distribution automation? Can it be able to selfsupply power from the highvoltage line? Currently, a class of device developed by the German SEG pany appeared in the market, called digital selfpowered overcurrent relay. Such devices do not need external power supply。 airgap reluctance。 iron core current transformer (CT)。te GmbH amp。承諾書 本文支持關(guān)鍵科學(xué)問題和陜西省科技創(chuàng)新項(xiàng)目(編號:2009 zkc0213)和國家基本理論研究項(xiàng)目(編號:2009cb7245073)。 解決的電源采用了浮動電力,其中涉及到電流的大小,而不是電壓水平。該方法可以避免飽和問題的核心圈通過增加氣隙的核心線圈和引入氣隙磁阻導(dǎo)致一次電流在一個(gè)更大的范圍內(nèi)改變。 電源設(shè)計(jì)在本文中使用一個(gè)特殊的電流變壓器來從初級側(cè)獲得權(quán)力和專注于解決功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸?shù)男盘栟D(zhuǎn)換從電流互感器。這個(gè)電源模塊可以被視為一個(gè)單獨(dú)的裝置。五、結(jié)論 電源使用的優(yōu)點(diǎn)是電流互感器結(jié)構(gòu)簡單,成本低。這樣,輸入的電壓調(diào)整器保持在預(yù)設(shè)范圍來滿足調(diào)節(jié)器輸出電壓要求。這意味著整流電路輸出電壓VEE連接到零電位,充電過程的電容器停止。圖4 MOSFET控制開關(guān)電路 滯回電壓比較器電路比較參考電壓VREF的調(diào)節(jié)器輸入電壓VDD和整流電路輸出電壓VEE。C、半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管控制電路 為了防止電容器作為電容器端使電流信號繼續(xù)充電，導(dǎo)致電壓超過它額定電壓,并且獲得穩(wěn)定的調(diào)節(jié)器的輸入電壓,本設(shè)計(jì)介紹了一個(gè)MOSFET控制開關(guān)電路。在設(shè)計(jì)中調(diào)節(jié)器的輸入電壓VDD僅限于一定的電壓通過MOSFET控制電路范圍。功耗LM2576非常低,只要一個(gè)小尺寸附加散熱就行。一系列開關(guān)調(diào)節(jié)器LM2576是一個(gè)單片集成電路,適合降壓開關(guān)調(diào)節(jié)器,。所以它可以保證無論任何一階段儲能電容器充電整流器傳導(dǎo)電流,是滿足電力需求。四、一些關(guān)鍵技術(shù)A、信號采集和充電電路 三相交流電流信號,從初級側(cè)總線通過電流互感器,首先通過控制橋式整流電路。選擇鋼心漆包線,載體密度計(jì)算根據(jù)8 A /平方毫米,。式子是： 在這種情況下,核心結(jié)構(gòu)和氣隙長度的確定,正確的方程(2)等于一個(gè)常數(shù)。由于其相對磁導(dǎo)率為1,效果是一樣的氣隙。在這一點(diǎn)上,勵磁電流造成核心價(jià)值≈ max≈μ、有效價(jià)值的電流1016A,這表明在使用這個(gè)結(jié)構(gòu)核心不會飽和當(dāng)線電流是在1016A。硅的內(nèi)部直徑的選擇鋼芯d = 55毫米,外部直徑d= 95毫米,高度h= 20毫米,飽和磁通密度Bs = t,然后,平均磁路長度l =π(d + D)/ 2 = 。 根據(jù)上面的材料,氣隙的核心增加到減少整個(gè)磁路磁阻和高性能核心材料被選中。 比較應(yīng)用程序和各種性能指標(biāo)不同的磁性材料,我們選擇H9硅鋼。本文選取AMZ ,二次輸出電流是比平常小。圖2 設(shè)計(jì)框圖的自給的電源三、電流互感器的設(shè)計(jì) 一般保護(hù)電流互感器二次輸出電流的值是5 a / 1 a,這是更大的取樣電路。本文設(shè)計(jì)了一個(gè)簡單的電壓比較器電路和MOSFET開關(guān)電路來整流電壓信號從而電流得到范圍限制。如果電容器的端電壓超過它的額定電壓電容器將損壞。其輸出是穩(wěn)定的直流電壓信號,為低壓直流電源的電子電路提供保護(hù)裝置。直流信號,輸出整流器的電路,是輸入信號的采樣電路，在同一時(shí)間電容器也可以充電儲能。中國西安理工大學(xué) kangqiulan2006圖1 外觀數(shù)字自供電的過電流繼電器2. 自給的電源如何工作 設(shè)計(jì)框圖的自給的電源如圖2所示。沒有死區(qū)當(dāng)天24小時(shí)內(nèi),這使得電源模塊已廣泛應(yīng)用。所以,后端電路得大大簡化和可靠性改進(jìn)。要解決這些問題,本文提出一 種電源解決方案用于數(shù)字繼電器。(2)穩(wěn)定性問題方法來獲取功率。然而,有一些問題需要解決關(guān)于這個(gè)權(quán)力供應(yīng)方法,主要包括[5]:(1)當(dāng)一次電流在較大的范圍內(nèi)變化(1% ~ 120%)如何確保對電子電路穩(wěn)定部分的電壓。 一些研究人員提出了多種供電方式,比如太陽能與鋰電池功率,激光功率,微波功率和在線獲得能源使用特殊的TA等[2 4]。這個(gè)概念,把權(quán)力從TA作為電源工作單元回路和操作,是創(chuàng)新的自供電的數(shù)字繼電器。這樣的設(shè)備不需要外部力量供應(yīng)。如果沒有權(quán)力在現(xiàn)場,繼電保護(hù)設(shè)備不可以工作。氣隙磁阻。鐵芯電流變壓器(CT)。電源模塊可以用于電力系統(tǒng)繼電保護(hù)與10千伏電壓及以上級別和在線監(jiān)測設(shè)備,具有廣闊的應(yīng)用前景。這種方法可以避免飽和問題的核心圈當(dāng)一次電流變化在一個(gè)更大的范圍內(nèi)通過增加空氣差距在核心圈和引入氣隙磁阻。這個(gè)信號,輸出的整流電路,是輸入信號的采樣電路,電容器也可以充電儲能在相同的時(shí)間。這介紹了一種自供電電源應(yīng)用于數(shù)字繼電器的設(shè)計(jì)。畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）外文文獻(xiàn)翻譯畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）題目四代衛(wèi)星通信的特點(diǎn)及應(yīng)用前景探討翻譯（1）題目自給的功率源應(yīng)用于數(shù)字繼電器的應(yīng)用翻譯（2）題目軟件設(shè)計(jì)的數(shù)字電源基于實(shí)驗(yàn)室Windows /CVI外文翻譯1：自給的功率源應(yīng)用于數(shù)字繼電器的設(shè)計(jì) 摘要——目前,絕大多數(shù)的繼電保護(hù)設(shè)備依賴于可靠的現(xiàn)場電源工作。它的電源的工作和操作電路要求變電站或配電間提供交流或直流電源。獲得的能量直接從電力線路通過一些特制的鐵芯電流互感器(CT)。一個(gè)集成開關(guān)調(diào)節(jié)器改變電壓信號,終端的儲能電容器,為穩(wěn)定的直流電電壓信號,直流穩(wěn)壓電源的數(shù)字繼電器。所以,后端電路大大簡化和提高了可靠性。 關(guān)鍵字自動提供電源。數(shù)字繼電器。能源存儲電容器 介紹 一直以來,繼電保護(hù)裝置的電源的工作和操作電路要求變電站或配電間提供交流或直流電源。沒有電源就像一些RTU設(shè)備用于配電自動化它能工作嗎?它可以自供電功率從高壓線嗎?目前,一個(gè)類別的設(shè)備開發(fā)公司德國German SEG出現(xiàn)在市場,稱為數(shù)字自供電的過電流繼電器。電源是從TA直接獲取安裝在高壓線路上。出現(xiàn)的數(shù)字自供電的過電流繼電器顯示在圖1。其中,從特殊的TA獲取能源這個(gè)方法安裝在高壓側(cè)給在線訪問電力電子電路是最有前途的電源。這是目前一個(gè)迫切需要解決的問題。(3)這個(gè)問題的核心，飽和線圈。這種方法可以避免飽和問題的核心圈當(dāng)一次電流在一個(gè)更大的范圍內(nèi)改變通過增加氣隙的核心線圈和引入氣隙磁阻。此外,鋰離子電池包中添加了在線獲取電源,使其電力供應(yīng)有更多可靠的。 康秋蘭,劉曙光,李彭芬學(xué)校的電子信息采集?；镜墓ぷ髟砣缦?使用一個(gè)特殊的電流互感器誘導(dǎo)三相一側(cè)的總線,然后信號通過整流電路處理。帶電電容器維持電壓信號到一個(gè)特定的范圍,然后電壓信號進(jìn)行降壓和直流轉(zhuǎn)換通過開關(guān)穩(wěn)壓集成電路。所面臨的困難通過這種方法有:電容器的電壓問題和穩(wěn)定的輸入電壓的穩(wěn)壓集成電路。當(dāng)總線目前已在高電流狀態(tài),可能會導(dǎo)致過度的電容器充電從而導(dǎo)致?lián)p壞組件。不僅保證了電容器的額定電壓并且也獲得一個(gè)穩(wěn)定的電壓輸入對于調(diào)節(jié)器。因此,在保護(hù)電流互感器和采樣電路應(yīng)用程序之間應(yīng)該添加一個(gè)電流轉(zhuǎn)換器,以達(dá)到當(dāng)前的要求值。所以,整流電路沒有電流變換器,它能滿足要求。這種材料具有較高的初始磁導(dǎo)率,可以減少起動電流,其飽和磁通密度值大,保證核心不飽和的一次側(cè)電流情況下,損失的核心小,增加了能量轉(zhuǎn)移效率。此外,體積和重量的核心應(yīng)該是最小化到可能的前提下,滿足所需能源后端電路。如果長度的核心airgapδ= 1毫米,然后相對磁導(dǎo)率的核心增加了差距相當(dāng)于≈ eqμ,磁導(dǎo)率是極大的減少了。 事實(shí)上,為了解決氣隙方便,。 在空載條件下，當(dāng)當(dāng)前有效導(dǎo)體I1=40A，為了獲得二次線圈位9V的有效電壓有： 在那里,U2是二次側(cè)電壓,f是電流頻率、N2是二次側(cè)線圈轉(zhuǎn)動次數(shù),Bm是磁通密度的振幅,Seq是有效的橫截面積的磁心,λ是磁心層疊系數(shù),U0是真空磁導(dǎo)率。讓這個(gè)設(shè)計(jì)值作為替代,1500 2 N≈(轉(zhuǎn))?？紤]一定的利潤,。交流信號改變?yōu)橹绷麟娏餍盘?然后通過電阻R轉(zhuǎn)換為電壓信號 .這個(gè)電壓信號可以被用作輸入的采樣信號,也可以使電容器充電儲能，單相橋式整