【正文】 的存儲器，請用線譯碼、部分譯碼、全譯碼3種方式分別設(shè)計(jì)，畫出連接圖，并指出尋址范圍。1 0 1 0 0 0 11 1 1 1 1 1 1 1 1 片1：A3FFHA15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 地址G1 A B C 1 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 片2：B000H因此，在選用部分譯碼時(shí)，也要盡可能多選一些高位地址線來作為譯碼器的輸入。區(qū)別在于全譯碼連接時(shí)各芯片的地址是唯一的，而部分譯碼連接時(shí)各芯片地址不是唯一的，也就是可以由若干個(gè)地址都選中同一芯片的同一單元，既所謂的地址重疊區(qū)。 8位的RAM芯片若干片，若用線選法組成存儲器，有效的尋址范圍最大是多少KB？若用38譯碼器來產(chǎn)生片選信號，則有效的尋址范圍最大又是多少？若要將尋址范圍擴(kuò)展到64KB，應(yīng)選用什么樣的譯碼器來產(chǎn)生片選信號？解：以8086為例，8086有20條地址線，用11條地址線尋址一片2K8位的RAM，余下的9條地址線做線選法的線，故可以并聯(lián)9個(gè)芯片，故尋址最大范圍是20KB，若用38譯碼器來產(chǎn)生片選信號，9條地址線可以控制3個(gè)38譯碼器這樣就可以控制24個(gè)芯片最大范圍是50KB. 若要將尋址范圍擴(kuò)展到64KB可選用416地址譯碼器來產(chǎn)生片選信號。NOR Flash具有可靠性高、隨機(jī)讀取速度快的優(yōu)勢，在擦除和編程操作較少而直接執(zhí)行代碼的場合，尤其是純代碼存儲的應(yīng)用中廣泛使用，如PC的BIOS固件、移動電話、硬盤驅(qū)動器的控制存儲器等。（4） 芯片包含有失效塊，其數(shù)目最大可達(dá)到3~35塊（取決于存儲器密度）。隨機(jī)讀取速度慢且不能按字節(jié)隨機(jī)編程。具有快編程和快擦除的功能，其塊擦除時(shí)間是2ms；而NOR技術(shù)的塊擦除時(shí)間達(dá)到幾百ms。但是NOR Flash的擦除和編程速度較慢，塊尺寸又較大，因此擦除和編程操作所花費(fèi)的時(shí)間很長，在純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲的應(yīng)用中，NOR技術(shù)顯得力不從心。目前，微型計(jì)算機(jī)中的主存幾乎都是使用動態(tài)RAM。所以，必須為它配備專門的刷新電路。一般用MOS型半導(dǎo)體存儲器件構(gòu)成，最簡單的存儲形式以單個(gè)M0S管為基本單元，以極間的分布電容是否持有電荷作為信息的存儲手段，其結(jié)構(gòu)簡單，集成度高。在微型計(jì)算機(jī)中普遍用SRAM構(gòu)成高速緩沖存儲器。該類芯片的集成度不如動態(tài)RAM，功耗也比動態(tài)RAM高，但它的速度比動態(tài)RAM快，也不需要刷新電路。，使用時(shí)應(yīng)如何選用？解：靜態(tài)(static)RAM，即SRAM。、PROM、動態(tài)RAM、靜態(tài)RAM等存儲器中，哪幾類是可以隨時(shí)讀寫的？解：動態(tài)RAM、靜態(tài)RAM這幾類是可以隨時(shí)讀寫的。擦除時(shí)，可采用加電方法在線進(jìn)行。 EEPROM，也稱E2PROM。EPROM芯片一般允許用戶多次編程和擦除。第2章 思考題及習(xí)題參考答案：、EPROM、EEPROM和FLASH之間的主要區(qū)別解：ROM為只讀存儲器，在一般情況下只能讀出所存信息，而不能重新寫入。5 什么叫單片機(jī)？它有何特點(diǎn)？ 答：單片機(jī)就是在一塊硅片上集成了CPU、RAM、ROM、定時(shí)器/計(jì)數(shù)器和多種I/O口（如并行、串行及A/D變換器等）的一個(gè)完整的數(shù)字處理系統(tǒng)。4 8086的尋址范圍有多大？其物理地址是如何形成？答：8086有20根地址總線，它可以直接尋址的存儲器單元數(shù)為1M字節(jié)，其地址區(qū)域?yàn)?0000H—FFFFFH。(1) X=1011 Y=0011(2) X=1011 Y=0111 (3) X=1000 Y=1100 答：（1）X補(bǔ)碼=00001011 Y補(bǔ)碼=00000011 [–Y]補(bǔ)碼=11111101[X+Y]補(bǔ)=00001110 [XY]補(bǔ)=00001000（2）X補(bǔ)碼=00001011 Y補(bǔ)碼=00000111 [–Y]補(bǔ)碼=11111001[X+Y]補(bǔ)=00010010 [XY]補(bǔ)=00000100（3）X補(bǔ)碼=00001000 Y補(bǔ)碼=00001100 [–Y]補(bǔ)碼=11110100[X+Y]補(bǔ)=00010100 [XY]補(bǔ)=111111003 微型計(jì)算機(jī)由那幾部分構(gòu)成？答：微型計(jì)算機(jī)由微處理器、存儲器和I/O接口電路構(gòu)成。第1章 思考題及習(xí)題參考答案1寫出下列二進(jìn)制數(shù)的原碼、反碼和補(bǔ)碼（設(shè)字長為8位）。（1）001011 （2）100110（3）001011 （4）111111答：（1）原碼：00001011 反碼：00001011 補(bǔ)碼：00001011（2）原碼：00100110 反碼：00100110 補(bǔ)碼：00100110（3）原碼：10001011 反碼：11110100 補(bǔ)碼：11110101（4）原碼：10111111 反碼：11000000 補(bǔ)碼：110000012已知X和Y，試計(jì)算下列各題的[X+Y]補(bǔ)和[XY]補(bǔ)（設(shè)字長為8位）。各部分通過地址總線（AB）、數(shù)據(jù)總線（DB）和控制總線（CB）相連。物理地址是由段地址與偏移地址共同決定的，物理地址=段地址16+偏移地址其中段地址通常來自于段寄存器CS ，物理地址來自于IP。單片機(jī)主要特點(diǎn)有：品種多樣，型號繁多；存儲容量大；頻率高，速度快；控制功能強(qiáng)，集成度高；功耗低；配套應(yīng)用軟件多。信息的寫入是通過工廠的制造環(huán)節(jié)或采用特殊的編程方法進(jìn)行的，一旦寫入，就能長期保存。擦除時(shí)，通過向芯片窗口照射紫外光的方法來進(jìn)行。該類芯片允許用戶多次編程和擦除。FLASH是一種新型的大容量、速度快、電可擦除可編程只讀存儲器。 某ROM芯片中有12根地址輸入端和8個(gè)數(shù)據(jù)輸出端，該芯片的存儲容量是多少位？解：芯片的存儲容量是4K*8位。它以觸發(fā)器為基本存儲單元，所以只要不掉電，其所存信息就不會丟失。在構(gòu)成小容量的存儲系統(tǒng)時(shí)一般選用SRAM。 動態(tài)(Dynamic)RAM，即DRAM。但是，如果不及時(shí)進(jìn)行刷新，極間電容中的電荷會在很短時(shí)間內(nèi)自然泄漏，致使信息丟失。動態(tài)RAM芯片的集成度高、價(jià)格低廉，所以多用在存儲容量較大的系統(tǒng)中。 FLASH與NAND FLASH的主要區(qū)別，使用時(shí)應(yīng)如何選用？解：NOR Flash具有以下特點(diǎn)：（1） 程序和數(shù)據(jù)可存放在同一芯片上，擁有獨(dú)立的數(shù)據(jù)總線和地址總線，能快速隨機(jī)讀取，允許系統(tǒng)直接從Flash中讀取代碼執(zhí)行，而無需先將代碼下載至RAM中再執(zhí)行；（2） 可以單字節(jié)或單字編程，但不能單字節(jié)擦除，必須以塊為單位或?qū)φ瑘?zhí)行擦除操作，在對存儲器進(jìn)行重新編程之前需要對塊或整片進(jìn)行預(yù)編程和擦除操作。NAND Flash具有以下特點(diǎn)：（1） 以頁為單位進(jìn)行讀和編程操作，1頁為256或512B（字節(jié)）；以塊為單位進(jìn)行擦除操作，1塊為4K、8K或16KB。（2） 數(shù)據(jù)、地址采用同一總線，實(shí)現(xiàn)串行讀取。（3） 芯片尺寸小，引腳少，是位成本(bit cost)最低的固態(tài)存儲器，將很快突破每兆字節(jié)1美元的價(jià)格限制。失效塊不會影響有效塊的性能，但設(shè)計(jì)者需要將失效塊在地址映射表中屏蔽起來。 NAND Flash結(jié)構(gòu)的閃速存儲器適合于純數(shù)據(jù)存儲和文件存儲，主要作為SmartMedia卡、CompactFlash卡、PCMCIA ATA卡、固態(tài)盤的存儲介質(zhì)，并正成為閃速磁盤技術(shù)的核心。？它對存儲器擴(kuò)展有什么影響？圖222 1K8擴(kuò)展的3 K8的存儲系統(tǒng)解：基本地址和前面全譯碼連接的地址范圍是相同的，但兩者還是有區(qū)別的。由于存在的地址重疊，影響了地址區(qū)的有效使用，也限制了存儲器的擴(kuò)展。8位片子來擴(kuò)展3K8位RAM，試核算各片的地址范圍為多少?解：A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 地址G1 A B C 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 片1：A000H1 0 1 1 0 0 11 1 1 1 1 1 1 1 1 片2：B3FFHA15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7A6A5A4 A3A2A1A0 地址G1 A B C 1 0 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 片3：B400H解：線譯碼法: 尋址范圍：2000H~5FFFH部分譯碼尋址范圍：0000H~3FFFH全譯碼：尋址范圍：0000H~FFFFH？試編一個(gè)簡單的RAM檢查程序，要求此程序能記錄有多少個(gè)RAM單元工作有錯(cuò)？且能記錄出錯(cuò)的單元地址。（2）P0可以作為地址/數(shù)據(jù)總線；P2口可以作為地址線的高8位；P3口是雙功能口，每條口線還具有不同的第二功能。MCS51單片機(jī)運(yùn)行出錯(cuò)或程序進(jìn)入死循環(huán)，如何擺脫困境？答：通過復(fù)位電路復(fù)位單片機(jī)的復(fù)位（RST）操作有幾種方法，復(fù)位功能的主要作用是什么？答：單片機(jī)的復(fù)位操作方式有：上電復(fù)位；手動復(fù)位。答：程序狀態(tài)字寄存器PSW，8位。有進(jìn)位、借位時(shí)CY=1，否則CY=0；AC：輔助進(jìn)位、借位標(biāo)志（高半字節(jié)與低半字節(jié)間的進(jìn)位或借位）；F0：用戶標(biāo)志位，由用戶自己定義；RSRS0：當(dāng)前工作寄存器組選擇位，共有四組：00、011；OV：溢出標(biāo)志位。存于累加器ACC中的運(yùn)算結(jié)果有奇數(shù)個(gè)1時(shí)P=1，否則P=0.80C51單片機(jī)的當(dāng)前工作寄存器組如何選擇？答：由特殊功能寄存器中的程序狀態(tài)寄存器PSW的RSRS0來決定，當(dāng)RSRS0為00時(shí)，選擇0組；為01時(shí)，選擇1組；為10時(shí)選擇2組，為11時(shí)選擇3組。8051單片機(jī)中EA引腳的作用是什么？答：訪問內(nèi)部或外部程序存儲器的選擇端當(dāng)EA接高電平的時(shí)候程序從內(nèi)部ROM開始執(zhí)行，當(dāng)EA為低電平的時(shí)候，從外部ROM開始執(zhí)行 程序計(jì)數(shù)器PC的作用是什么？答：程序計(jì)數(shù)器PC是一個(gè)16位的計(jì)數(shù)器，他總是存放著下一個(gè)要取的指令的16位存儲單元地址。當(dāng)執(zhí)行一條指令時(shí)，首先需要根據(jù)PC中存放的指令地址，將指令由內(nèi)存取到指令寄存器中，此過程稱為“取指令”。此后經(jīng)過分析指令，執(zhí)行指令。內(nèi)部 RAM低 128單元?jiǎng)澐譃槟?3個(gè)主要部分？說明各部分的使用特點(diǎn)。各區(qū)域的特性如下：（1） 00H~1FH為工作寄存器組區(qū)，共分4組，每組占用8個(gè)RAM字節(jié)單元，每個(gè)單元作為一個(gè)工作寄存器，每組的8個(gè)單元分別定義為8個(gè)工作寄存器R0~R7。如果實(shí)際應(yīng)用中并不需要使用工作寄存器或不需要使用4組工作寄存器，不使用的工作寄存器組的區(qū)域仍然可作為一般數(shù)據(jù)緩沖區(qū)使用，用直接尋址或用Ri的寄存器間接尋址來訪問。當(dāng)然，位尋址區(qū)也可以用作字節(jié)尋址的一般數(shù)據(jù)緩沖區(qū)使用。1簡述MCS51單片機(jī)存儲區(qū)的劃分。2）從邏輯上分別可劃分為：片內(nèi)統(tǒng)一尋址的64K程序存儲器空間（0000HFFFFH）；64KB的片外數(shù)據(jù)存儲器空間（0000HFFFFH）。1MCS51基本型單片機(jī)的中斷入口地址各為多少。1已知一MCS51單片機(jī)系統(tǒng)使用6MHZ的外部晶體振蕩器，計(jì)算：該單片機(jī)系統(tǒng)的狀態(tài)周期與機(jī)器周期各為多少？解：由于晶振為6MHz，所以機(jī)器周期為2us，因?yàn)橐粋€(gè)機(jī)器周期由6個(gè)狀態(tài)周期組成，所以狀態(tài)周期1/3us18031單片機(jī)需要外接程序存儲器，實(shí)際上它還有多少條I/O線可以用？當(dāng)使用外部存儲器時(shí)，還剩下多少條I/O線可用？答：8031系統(tǒng)必須外接程序促成器，原則上說，P0和P2口要用作數(shù)據(jù)和地址總線，所以只有P1和P3口可用作I/O口，共16條I/O線。第4章 思考題及習(xí)題參考答案1. 尋址方式是什么？答：尋址方式是尋找操作數(shù)或操作數(shù)地址的方式。即：寄存器尋址、直接尋址、寄存器間接尋址、立即尋址、基址寄存器加變址寄存器變址尋址、相對尋址和位尋址。訪問RAM單元可以采用哪些尋址方式？訪問外部RAM單元有哪些指令？答：直接尋址、寄存器間接尋址和位尋址方式。訪問外部程序存儲器的指令有2條MOVC A，A+DPTR MOVC A，A+PC 試寫出完成以下每種操作的指令序列。答：（1）MOV 20H,R0(2) MOV A,R1MOV R0,A(3)MOV A,10HMOV DPTR,1000HMOVX DPTR,A(4)MOV DPTR,1000HMOVX A,A+DPTRMOV R5,A(5) MOV DPTR,1000HMOV A,00HMOVC A,A+DPTRMOV R5,A(6) MOV DPTR,2000HMOVX A,DPTRINC DPTRMOVX DPTR,A7. 設(shè)內(nèi)部RAM (30H)=60