紅外成像陣列與系統(tǒng)-展示頁
2025-05-21 22:05本頁面
【正文】 和五章里詳細(xì)的討論這些裝置科學(xué)技術(shù)上具體的問題 1824年，發(fā)現(xiàn)塞貝克效應(yīng)后的幾年 ,熱電結(jié)或溫差電池最早被用來探測紅外輻射。 1978年 Johnson提出了單片熱成像儀：將熱敏電阻材料層沉積在氣橋 （ airbridges）上 （ 第三章 ） 。 熱成像第二代系統(tǒng)： 1969年 ， 英國 EEV公司的 Tompsett申請了熱成像攝像管的專利 ， 1970s， 分辨率400線 ， ℃ （ Goss,1987） （ 第七章 ） Tompsett提出了固態(tài)熱成像陣列：場效應(yīng)管 （ FETS） 陣列和熱電 鐵電材料薄膜 。 熱成像第一代系統(tǒng)： ? 光伏效應(yīng)，電子掃描， MCT凝視型陣列，噪聲等效溫度 ℃ 。 工作在 812μ m范圍內(nèi) ， 是由美國軍隊(duì)和技術(shù)實(shí)驗(yàn)室建立起來的 ， 成了今天的夜視技術(shù)的主要戰(zhàn)場技術(shù)手段 。 法國則找到了一種光伏型方法 。 美國的 BARNES工程部最初使用了一個(gè)熱敏的電阻輻射計(jì) ， 接著使用了一個(gè)熱電探測器(Astheimer,Schwartz,1968)。 微光夜視技術(shù)忽略的兩個(gè)波段： 中紅外 （ 35μ m） 遠(yuǎn)紅外 （ 814μ m ） 1960年 ， 光機(jī)掃描單個(gè)紅外敏感探測器以成像 。 堿金屬銻化物光電陰極 ， S2 New S2Super S25 光電陰極像增強(qiáng)器 。 1960s的 MOS 管的發(fā)展 1968年由 Noble描述的 XY地址成像陣列 集成讀出電路 紅外熱成像系統(tǒng)發(fā)展： 于二十世紀(jì)二十年代末期 。 2）引起的物理效應(yīng)必須能夠讀出以及顯示 。 熱成像知識(shí)基礎(chǔ) : 黑體輻射的理論基礎(chǔ)； 熱敏感材料的化學(xué)性質(zhì)； 結(jié)晶學(xué)； 微光成像技術(shù)； 成像陣列等方面的知識(shí) 。 第一章 歷史回顧 167。 引言 熱成像歷史基礎(chǔ) : 是人類把手放在火燼余溫下感受其位置 。 紅外成像的過程有兩個(gè)階段： 1） .
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