電子技術(shù)基礎(chǔ)項(xiàng)目教程-展示頁
2025-05-21 18:51本頁面
【正文】 三極管發(fā)射結(jié)零偏或反偏，集電結(jié)反偏，即 UBE≤0 ， UCB＞ 0 ?特點(diǎn)： 三極管的發(fā)射極 — 集電極之間相當(dāng)于斷路，類似于開關(guān)的斷開狀態(tài)。 ?工作狀態(tài)： 截止區(qū)、飽和區(qū)、放大區(qū)。 O0 . 2 0 . 4 0 . 6 0 . 82 04 06 08 0IB/μAUB E/VUC E= 0 V0 . 5 V ?UC E 1 V二、輸出特性曲線 ?輸出特性： 指三極管輸出電流和輸出電壓之間的關(guān)系。 ?特性曲線分類： 輸入特性曲線、輸出特性曲線 ?測試電路： VIBICIEm AV+UC E+UC CRcRbμAV+UB E+UB B一、輸入特性曲線 ?輸入特性： 指三極管輸入電流和輸入電壓之間的關(guān)系。 共集電極連接（簡稱：共集接法） —— 以基極為輸入端，發(fā)射極為輸出端，集電極為公共端。 BCE III ?? CBCE IIII ???BCII????任務(wù) 晶體管的連接方式 共發(fā)射極連接（簡稱：共射接法） —— 以基極為輸入端，集電極為輸出端，發(fā)射極為公共端。 三、晶體管的電流分配關(guān)系與放大作用 （以 NPN為例） ?電流放大系數(shù) β ： 集電極電流變化量與基極電流變化量之比稱為電流放大系數(shù)。 集電結(jié)外加較大的反向電壓，使結(jié)內(nèi)電場很強(qiáng)，基區(qū)中擴(kuò)散到集電結(jié)邊緣的電子，受強(qiáng)電場的作用，迅速漂移越過集電結(jié)而進(jìn)入集電區(qū)，形成集電極電流。由于基區(qū)寬度制作得很小，且摻雜濃度也很低，從而大大地減小了復(fù)合的機(jī)會(huì)，使注入基區(qū)中的電子載流子絕大部分都能到達(dá)集電結(jié)。但是，由于基區(qū)摻雜濃度比發(fā)射區(qū)的小，流入發(fā)射區(qū)的空穴流與流入基區(qū)的電子流相比，可忽略。 VUU ????—— 硅管， 2管腳應(yīng)為集電極 c 132 UUU ?? —— 三極管應(yīng)為 NPN型， 3號(hào)管腳為基極， 1號(hào)管腳為發(fā)射極 e 二、晶體管各極電流的形成 由于發(fā)射結(jié)外加正向電壓，發(fā)射區(qū)的電子載流子不斷地注入基區(qū)，基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）也流入發(fā)射區(qū)。 解：首先根據(jù)兩電極的電位差應(yīng)是 （硅管）或 （鍺管）來判斷三極管的材料，并確定集電極。 ：小功率管、中功率管和大功率管等 任務(wù) 三極管的偏置及各極電流的關(guān)系 一、晶體管的偏置 外部放大的條件： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。 ：高頻管和低頻管。 VcebVebc 二、三極管的分類 ： NPN型和 PNP型。 會(huì)檢查放大電路的結(jié)構(gòu)是否合理，輸出波形是否失真，工作狀態(tài)。 能力目標(biāo)：能看懂電路圖，會(huì)搭建電路。書名：電子技術(shù)基礎(chǔ)項(xiàng)目教程 ISBN： 9787111 455424 作者：梁洪潔 出版社：機(jī)械工業(yè)出版社 本書配有電子課件 項(xiàng)目二 放大電路的分析與設(shè)計(jì) 知識(shí)目標(biāo)：掌握晶體管的結(jié)構(gòu)。 掌握晶體管的放大電路的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)分析方法。 能畫出共射電路，并能對(duì)電路進(jìn)行分析計(jì)算。 模塊 三極管的識(shí)別和檢測 任務(wù) 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 一、三極管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 三極管又稱雙極型晶體管、晶體管，簡稱三極管 ?外形： ?分類： NPN型、 PNP型 3AX 813A X1 3D G 43A D 10( a ) ( b ) ( c ) ( d )NNP集 電 區(qū)基 區(qū)發(fā) 射 區(qū)集 電 結(jié)發(fā) 射 結(jié)集 電 極 c發(fā) 射 極 e基 極 bPPN集 電 區(qū)基 區(qū)發(fā) 射 區(qū)集 電 結(jié)發(fā) 射 結(jié)集 電 極 c基 極 b發(fā) 射 極 e 三區(qū)、三極、二結(jié)： 三個(gè)區(qū)：發(fā)射區(qū)、基區(qū)、集電區(qū) 三個(gè)極：發(fā)射極 e、基極 b、集電極 c 兩個(gè)結(jié)：發(fā)射結(jié)、集電結(jié) ?符號(hào) ： ?內(nèi)部放大的條件： 發(fā)射區(qū)是高濃度摻雜區(qū)；基區(qū)很薄且雜質(zhì)濃度低；集電結(jié)面積大。 ：硅管和鍺管。 ：開關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管等。 VRcUC CRbUB B++ICIBIEVRcUC CRbUB B++ICIBIEEBC UUU ??EBC UUU ??例 21 晶體管的三個(gè)極管腳分別為 3，用直流電壓表測得其在放大狀態(tài)下的電位分別為 U1=2V、 U2=7V、U3=，試判斷三極管的類型及三極管對(duì)應(yīng)的各電極。其次根據(jù)集電極電位的高低判斷是 NPN管還是 PNP管，最后根據(jù)剩余兩個(gè)管腳電位的高低判斷發(fā)射極和基極。二者共同形成發(fā)射極電流。 RcUC CRbUB B++ICIBIEbecNPN 由發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的電子載流子不斷地向集電結(jié)方向擴(kuò)散。故基區(qū)中是以擴(kuò)散電流為主的，且擴(kuò)散與復(fù)合的比例決定了晶體管的電流放大能力。另一方面，集電結(jié)兩邊的少數(shù)載流子，也要經(jīng)過集電結(jié)漂移，在集電極和發(fā)射極之間形成反向飽和電流。 ?總結(jié)：要實(shí)現(xiàn)晶體管的放大作用，一方面要滿足內(nèi)部條
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