內(nèi)存及其與cpu連接-展示頁(yè)
2025-05-16 23:45本頁(yè)面
【正文】 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 引腳圖 （ b） Intel 2114的外部引腳 （ a） Intel 2114的內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖 Intel 2114的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和外部引腳 WE* CS* ? (1)2114的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳 ? (2)2114的讀周期 當(dāng) ME*=1且 CS*=0時(shí)，對(duì) 2114的操作為讀取，其時(shí)序圖如下所示。 SRAM存儲(chǔ)芯片 —— Intel 2114 Intel 2114是一種 210 4位的 SRAM存儲(chǔ)器芯片，其最基本的存儲(chǔ)元是六管存儲(chǔ)電路；該存儲(chǔ)芯片有1024個(gè)存儲(chǔ)單元，每單元 4位，也就是字長(zhǎng)為 4位。 ： 常以“位 /片”、“字節(jié) /片”表示。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的性能指標(biāo) 存儲(chǔ)容量是存儲(chǔ)器能夠存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息的數(shù)量。 ? 譯碼驅(qū)動(dòng)方式分為 一維地址譯碼 和 二維地址譯碼兩種。因此，可以把 存儲(chǔ)器芯片分為位片結(jié)構(gòu)和字片結(jié)構(gòu)兩種類型。 ? 3)控制信號(hào) ： CS*：片選信號(hào) OE*：輸出允許信號(hào) ME*：寫(xiě)入允許信號(hào) ? 存儲(chǔ)芯片內(nèi)部由 存儲(chǔ)矩陣、地址譯碼電路和讀 /寫(xiě)控制電路 等組成。 EEPROM 使用電信號(hào)擦除內(nèi)容，重新寫(xiě)入 掩膜 ROM 用戶無(wú)法改變 A7 A9 D7 D6 D5 D4 WE A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 CS D0 D1 D2 D3 A10 OE A8 AB 地 址 鎖 存 器 地址 譯碼 和驅(qū) 動(dòng)電 路 存儲(chǔ)矩陣 控制電路 數(shù)據(jù) 輸入 / 輸出 控制 CB 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片的一般結(jié)構(gòu) ? 存儲(chǔ)器芯片的引腳： ? 1)地址線 ：輸入信號(hào)， A0~A10，表明芯片內(nèi)部有 211個(gè)存儲(chǔ)單元 ? 2)數(shù)據(jù)線 ： D0~D7，表明芯片內(nèi)每個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ) 8位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。 永久保存數(shù)據(jù)，只能讀不能寫(xiě)入。 DRAM 定期刷新，否則信息會(huì)在一定的時(shí)間內(nèi)自動(dòng)消失。 存儲(chǔ)器的分類 按在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的作用分類 ? 高速緩沖存儲(chǔ)器（ Cache）。 具有一定的容量、存取速度較高。有片內(nèi)片外之分。為了彌合主存和 CPU的速度上的較大差別而設(shè)置。第 4章 微機(jī)的內(nèi)存及其與 CPU的連接 概述 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 只讀存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器芯片地址譯碼與存儲(chǔ)容量擴(kuò)展 存儲(chǔ)器接口 ? 本章的重點(diǎn)： ? 了解存儲(chǔ)器的分類； ? 了解 SRAM、 DRAM的工作原理； ? 掌握存儲(chǔ)器地址譯碼和存儲(chǔ)器接口。 ? 存儲(chǔ)系統(tǒng)的層次化結(jié)構(gòu) 緩存 主存 輔存 圖 1 微型計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器的三級(jí)結(jié)構(gòu) ? 高速緩沖存儲(chǔ)器 （ Cache）： 主要由雙極型半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成，速度快。存放正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)，速度與 CPU相匹配。 ? 主存儲(chǔ)器 （內(nèi)存）： 主存儲(chǔ)器又稱為內(nèi)部存儲(chǔ)器，主要用來(lái)存放當(dāng)前正在使用或者經(jīng)常使用的程序和數(shù)據(jù)。 ? 輔助存儲(chǔ)器 （外存） ： 輔助存儲(chǔ)器又稱為外部存儲(chǔ)器，主要用來(lái)存放當(dāng)前暫時(shí)不參加運(yùn)算的程序和數(shù)據(jù)。 ? 主存儲(chǔ)器 ? 輔助存儲(chǔ)器 按存儲(chǔ)介質(zhì)分類 ? 磁表面存儲(chǔ)器：用作輔助存儲(chǔ)器； ? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器：用作微型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的主存儲(chǔ)器（雙極型和金屬氧化物半導(dǎo)體型
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