【正文】 RLD1u2 (A)u2 (B)u2 0的導(dǎo)通路徑：T T2 晶閘管D D2 晶體管T1 T2D1 D2RLuLu2AB+基礎(chǔ)知識(shí) （ 2） 工作波形tu2tuGtuLt uT1?：控制角 ?：導(dǎo)通角? ?基礎(chǔ)知識(shí) 雙向晶閘管特點(diǎn)： 相當(dāng)于兩個(gè)反向晶閘管并聯(lián)，兩者共用一個(gè)控制極。且 uL 的大小隨 uG 加入的早晚而變化； u2 0 時(shí)， 晶閘管不通 ， uL = 0 ?；A(chǔ)知識(shí) 2.（正向?qū)l件： A、 K間加正向電壓， G、 K間加觸發(fā)信號(hào)）；，控制極失去作用若使其關(guān)斷，必須降低 UAK或加大回路電阻，把陽(yáng)極電流減小到維持電流以下。ig工作原理分析KAG T1T2基礎(chǔ)知識(shí) UAK 0 、 UGK0時(shí) T1導(dǎo)通ib1 = i g iC1 = ?ig = ib2ic2 =223。i g223。 體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(zhǎng)、 容量大（正向平均電流達(dá)千安、正向耐壓達(dá)數(shù)千伏）。RB+ECEBRCC1C2T基礎(chǔ)知識(shí) 可以省去電路改進(jìn)：采用單電源供電RB+ECEBRCC1C2T基礎(chǔ)知識(shí) 單電源供電電路+ECRCC1C2TRB基礎(chǔ)知識(shí) 一種 大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于 70年代。RB+ECEBRCC1C2T基礎(chǔ)知識(shí) 耦合電容：電解電容，有極性。并保證集電結(jié)反偏。ui uo輸入 輸出參考點(diǎn)RB+ECEBRCC1C2T基礎(chǔ)知識(shí) 作用： 使發(fā)射結(jié)正偏，并提供適當(dāng)?shù)撵o態(tài)工作點(diǎn)。 即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ? IB(2) 飽和區(qū)： 發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏?；A(chǔ)知識(shí) IC(mA )1234UCE(V)3 6 9 12IB=020?A40?A60?A80?A100?A此區(qū)域中 : IB=0,IC=ICEO,UBE 死區(qū)電壓，稱為截止區(qū)。當(dāng) UCE大于一定的數(shù)值時(shí)，IC只與 IB有關(guān)， IC=?IB。UCE=0VUCE = 死區(qū)電壓，硅管 ，鍺管 。 ICBOIC=ICE+ICBO?ICEIBEICE從基區(qū)擴(kuò)散來(lái)的電子作為集電結(jié)的少子，漂移進(jìn)入集電結(jié)而被收集，形成ICE。發(fā)射結(jié)正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴(kuò)散，形成發(fā)射極電流 IE?；A(chǔ)知識(shí) 電流放大原理BECNNPEBRBECIE基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴(kuò)散可忽略。（ 3）動(dòng)態(tài)電阻基礎(chǔ)知識(shí) 在電路中穩(wěn)壓管只有與適當(dāng)?shù)碾娮柽B接才能起到穩(wěn)壓作用?；A(chǔ)知識(shí) （ 4） 穩(wěn)定電流 IZ、 最大、最小穩(wěn)定電流 Izmax、 Izmin?；A(chǔ)知識(shí) 穩(wěn)壓二極管UIIZIZmax?UZ?IZ穩(wěn)壓誤差曲線越陡，電壓越穩(wěn)定。2. 反向工作峰值電壓 UBWM保證二極管不被擊穿時(shí)的反向峰值電壓。擊穿時(shí)反向電流劇增，二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?，甚至過(guò)熱而燒壞。反向擊穿電壓 UBR基礎(chǔ)知識(shí) 主要參數(shù)1. 最大整流電流 IOM二極管長(zhǎng)期使用時(shí)，允許流過(guò)二極管的最大正向平均電流。引線 外殼線觸絲線基片點(diǎn)接觸型PN結(jié)面接觸型P N二極管的電路符號(hào)：陽(yáng)極+陰極基礎(chǔ)知識(shí) 伏安特性UI死區(qū)電壓 硅管,鍺管 。 基礎(chǔ)知識(shí) PN結(jié)加正向電壓時(shí)，具有較大的正向擴(kuò)散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN結(jié)導(dǎo)通； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN結(jié)截止。 外電場(chǎng)加強(qiáng)內(nèi)電場(chǎng) → 耗盡層變寬 → 漂移 運(yùn)動(dòng)＞擴(kuò)散 運(yùn)動(dòng)→ 少子漂移形成反向電流 I RP N 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故 IR基本上與外加反壓的大小無(wú)關(guān) ， 所以稱為 反向飽和電流 。小 結(jié)基礎(chǔ)知識(shí) (1) 加正向電壓（正偏） —— 電源正極接 P區(qū)，負(fù)極接 N區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相反。 P區(qū) 中的空穴 .N區(qū) 中的電子（ 都是多子 ）向?qū)Ψ竭\(yùn)動(dòng)（ 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng) ）。基礎(chǔ)知識(shí) 漂移運(yùn)動(dòng)P型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N 型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng) E所以擴(kuò)散和漂移這一對(duì)相反的運(yùn)動(dòng)最終達(dá)到平衡，相當(dāng)于兩個(gè)區(qū)之間沒(méi)有電荷運(yùn)動(dòng)，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。內(nèi)電場(chǎng)越強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)越強(qiáng)，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。 小 家 電 知 識(shí)? 一、 基礎(chǔ)知識(shí)? 二、 加熱器具? 三、 清潔器具? 四、 電炊器具? 五、 食品加工器具? 六、 保健器具? 七、 其他小家電 PN 結(jié)的形成在同一片半導(dǎo)體基片上，分別制造 P 型半導(dǎo)體和 N 型半導(dǎo)體，經(jīng)過(guò)載流子的擴(kuò)散，在它們的交界面處就形成了 PN 結(jié)。 PN結(jié)基礎(chǔ)知識(shí) P 型半導(dǎo)體－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N 型半導(dǎo)體++++++++++++++++++++++++擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場(chǎng) E漂移運(yùn)動(dòng)擴(kuò)散的結(jié)果是使空間電荷區(qū)逐漸加寬?？臻g電荷區(qū)，也稱耗盡層。基礎(chǔ)知識(shí) －－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++空間電荷區(qū)N型區(qū)P型區(qū)電位 V V0基礎(chǔ)知識(shí) 。 區(qū)中的電子和 N 區(qū)中的空穴（ 都是少子 ），數(shù)量有限，因此由它們形成的電流很小。 外電場(chǎng)削弱內(nèi)電場(chǎng) → 耗盡層變窄 → 擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)＞ 漂移運(yùn)動(dòng)→ 多子 擴(kuò)散形成正向電流 I F正向電流 PN 結(jié)的單向?qū)щ娦曰A(chǔ)知識(shí) (2) 加反向電壓 —— 電源正極接 N區(qū)，負(fù)極接 P區(qū) 外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)方向相同。但 IR與溫度有關(guān)。 由此可以得出結(jié)論： PN結(jié)具有單向?qū)щ娦曰A(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體二極管基本結(jié)構(gòu)PN 結(jié)加上管殼和引線，就成為半導(dǎo)體二極管。導(dǎo)通壓降 : 硅管 ~,鍺管 ~。3. 反向擊穿電壓 UBR二極管反向擊穿時(shí)的電壓值。手冊(cè)上給出的最高反向工作電壓 UWRM一般是UBR的一半?；A(chǔ)知識(shí) 二極管： 死區(qū)電壓 =0 .5V， 正向壓降 ?(硅二極管 ) 理想二極管： 死區(qū)電壓 =0 ，正向壓降 =0 RLui uouiuott二極管的應(yīng)用舉例： 二極管半波整流二極管的應(yīng)用是主要利用它的單向?qū)щ娦裕饕獞?yīng)用于整流、限幅、保護(hù)等等。+UZ動(dòng)態(tài)電阻：rz越小，穩(wěn)壓性能越好。（ 5）最大允許功耗穩(wěn)壓二極管的參數(shù) :（ 1） 穩(wěn)定電壓 UZ（ 2） 電壓溫度系數(shù) ?U（ %/℃ ） 穩(wěn)壓值受溫度變化影響的的系數(shù)。UIIZIZmax?UZ?IZUZ基礎(chǔ)知識(shí) 基本結(jié)構(gòu)BECNNP基極發(fā)射極集電極NPN型PNP集電極基極發(fā)射極