太陽能電池：基本理論與工藝-展示頁
2025-05-12 04:45本頁面
【正文】 其他缺陷 ?雜質(zhì)： ? IIIV族： P， B ? C， O， Fe， Al， Mn等 ?空位 ?位錯，晶界等 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 35 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 36 缺陷能級 不同缺陷占據(jù)不同能級 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 37 不同雜質(zhì)對太陽能電池的影響 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 38 載流子傳輸：擴(kuò)散與漂移 濃度梯度，引起載流子擴(kuò)散 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 39 漂移電流 n 電場，引起載流子漂移 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 40 愛因斯坦關(guān)系： 擴(kuò)散長度與壽命關(guān)系： 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 41 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 42 2. 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識（二） 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 43 光，光與半導(dǎo)體的相互作用 ?光具有波的性質(zhì)，也具有粒子（光子）的性質(zhì)。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 28 費(fèi)米能級：表示電子空穴濃度的標(biāo)尺 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 32 電導(dǎo)率，電阻率 ? 電導(dǎo)率： ? ?=q?nn + q?hp ?為載流子遷移率 ? n型半導(dǎo)體： ?=q?nn， 施主，電子是多數(shù)載流子 ? p型半導(dǎo)體： ?=q?pp 受主，空穴是多數(shù)載流子 ? 電阻率 ?=1/ ? ? 光照后 n=n0+ n ， p=p0+△ p, 隨光強(qiáng)變化。 P型半導(dǎo)體以此類推。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 20 直接帶隙、間接帶隙 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 21 GaAs, Si, Ge 中本征載流子濃度與溫度的關(guān)系 硅，室溫下 本征半導(dǎo)體 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 22 摻雜、 n型和 p型半導(dǎo)體 III V 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 23 摻雜原子的電離能 P 導(dǎo)帶 價帶 共價電子電離能 P是施主：電子是多數(shù)載流子 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 24 Al Al是受主，空穴是多數(shù)載流子 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 25 摻雜半導(dǎo)體中載流子濃度 ?室溫下： n 型半導(dǎo)體的電子濃度： n=ND， p型半導(dǎo)體的空穴濃度： p=NA 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 26 ? 在半導(dǎo)體中 np=ni2 Si： ni= 如果 n=ND=1017cm3，那么p=103cm3 電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。 導(dǎo) 帶價 帶S iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS i禁帶寬度 Eg 怎樣才能導(dǎo)電？ 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 19 導(dǎo)帶中的電子，價帶中的空穴 為什么硅可以吸收光？ 光激發(fā)可以打斷共價鍵，產(chǎn)生自由電子；將價電子激發(fā)到導(dǎo)帶。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 18 隨著溫度的升高，共價鍵電子被激發(fā)，離開共價鍵位置，成為自由電子，這樣就可以導(dǎo)電了。（事實(shí)上不存在） 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 17 電子與空穴，導(dǎo)帶與價帶 導(dǎo) 帶價 帶S iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS iS i禁帶寬度 Eg 低溫下，價鍵電子全部在價帶。分子運(yùn)動愈慢 ,物體愈冷 ,即溫度愈低。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 14 電池絨面制備 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 15 ?硅的晶格常數(shù)： nm ?單位 cm3中，硅的原子數(shù)： 5x1022/cm3 ?注： 半導(dǎo)體中不用嚴(yán)格的 MKS單位制 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 16 絕對溫度與攝氏溫度 ? 什么是溫度？ ? 溫度是反映物體內(nèi)部分子運(yùn)動快慢的量。 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 11 共價電子對 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 12 硅晶體：正四面體結(jié)構(gòu) 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 13 從不同方向看晶體，原子堆積是不同的，所以不同的面具有不同的物理化學(xué)性質(zhì)。太陽能電池：基本理論與工藝 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 2 電池效率決定于每一步， 你這一步就是決定因素！ 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 3 ?工藝學(xué)習(xí)，講述要 怎么做？ ?理論學(xué)習(xí)，講述 為什么這么做？ 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 4 太陽能電池：基本理論與工藝 1. 半導(dǎo)體物理的基本概念（ 2 lectures） 2. 太陽能電池理論、結(jié)構(gòu)設(shè)計、工藝技術(shù)（ 2 lectures） 3. 太陽能電池相關(guān)的光電特性分析（ 2 lectures）（以后再講） 4. 太陽能電池組件物理問題（ 2 lectures） 太陽能電池板質(zhì)量檢測紅外熱成像系統(tǒng) 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 5 半導(dǎo)體基本概念（一） ? 缺陷 ? 載流子壽命 ? 擴(kuò)散長度，影響擴(kuò)散長度的因素 ? 載流子的傳輸（擴(kuò)散與漂移） ? 硅的晶體結(jié)構(gòu) ? 電子與空穴 ? p型， n型， ? 導(dǎo)帶與價帶 ? 載流子 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 6 硅的晶體結(jié)構(gòu) 2022/5/25 半導(dǎo)體基本概念（一） 7 ? Si原子最外層有四個電子： 3s2 3p2 2
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1