【正文】 000H～ 3FFFFH。 字?jǐn)U展方法： 將每個(gè)芯片的地址線、數(shù)據(jù)線和讀 /寫控制線等 按信號名稱并連在一起，只將選片端分別引到地址 譯碼器的不同輸出端，即用片選信號來區(qū)別各個(gè)芯 片的地址。 例如： 用 4K 4位的 SRAM芯片構(gòu)成 4K 8位的存儲器。 存儲器 擴(kuò)展的幾種方式： ⑴ 位擴(kuò)展 當(dāng)單個(gè)存儲芯片的字長（位數(shù)）不能滿足要求時(shí)，就 需要進(jìn)行位擴(kuò)展。 ⒉存儲器擴(kuò)展技術(shù) 當(dāng)單個(gè)存儲器芯片不能滿足系統(tǒng)字長或存儲單元個(gè)數(shù) 的要求時(shí)，用多個(gè)存儲芯片的組合來滿足系統(tǒng)存儲 容量的 需求。 ① 6264存儲芯片的引線及其功能 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 17 ② SRAM 6264操作時(shí)序圖 寫操作時(shí)序圖 讀操作時(shí)序圖 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 18 ③ 6264在 8088系統(tǒng)中的應(yīng)用 6264的全地址譯碼連接圖 用 138譯碼器實(shí)現(xiàn)全地址譯碼連接 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 19 6264芯片在上述系統(tǒng)中的地址范圍： A19A18A17A16A15A14A13A12A11…A 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 …0 … 0 0 1 1 1 1 1 1 1 … 1 所以該 6264芯片的地址范圍為 3E000H～ 3FFFFH 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 20 167。 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 15 ⒉ 隨機(jī)存取存儲器 RAM RAM主要用來存放當(dāng)前運(yùn)行的程序、各種輸入 /輸出數(shù)據(jù)、中間運(yùn)算結(jié)果及堆棧等，其內(nèi)容可隨時(shí)讀出、寫入或修改，掉電后內(nèi)容會全部丟失。 28F008SA (8Mb)。 28F200BX (2Mb)。 例如： Intel 2816 E2PROM 容量為 2K 8 Flotox E2PROM 的單元電路 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 14 ⑤快擦除讀寫存儲器 （ Flash Memory) 寫入速度類似于 RAM， 掉電后內(nèi)容又不丟失的一 種新型 EPROM。右圖為 Flotox結(jié) 構(gòu)的 E2PROM結(jié)構(gòu)剖面 圖。 熔斷絲型 PROM是以 熔絲的接通或斷開來 表示存儲信息是 “ 1/0” 。 ⑴ ROM的結(jié)構(gòu)和特點(diǎn) 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 10 薄柵氧化層的 管子為正常開啟 厚柵氧化層的 管子為高開啟 ⑵ ROM的分類 按生產(chǎn)工藝和工作特性分為： ① 掩膜編程的 ROM（ Mask Programmed ROM） 例如：采用 “ 并聯(lián)單元陣列 ” 的掩膜 ROM 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 11 ②可編程只讀存儲器（ Programmable ROM） 有 “ 熔斷絲型 ” 和 “ PN結(jié)擊穿型 ” 兩種。 半導(dǎo)體存儲器件 ⒈ 只讀存儲器（ ROM） ROM具有掉電后信息不會丟失的特點(diǎn)，一般用于存放 固定的程序和數(shù)據(jù)等。 256K位 /片，如： MCM6205NJ17(32K 8)。 16K位 /片，如： MCM2167H35L(16K 1)。 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 8 ⑸集成度 每片存儲器芯片上集成的基本存儲單元的個(gè)數(shù)。通常用 “ 平均無故障時(shí)間 ” 來表示。 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 7 ⑶功耗 包括 “ 維持功耗 ” 和 “ 操作功耗 ” 兩種。 DRAM芯片 NMC4l256的容量為 256K lbit，即它 有 256K個(gè)單元，每個(gè)單元存儲 1位二進(jìn)制數(shù)據(jù)。 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 6 ③芯片容量 是指一片存儲器芯片所具有的存儲容量。 ② 內(nèi)存容量 與 內(nèi)存空間 的區(qū)別 內(nèi)存容量 ：若某微機(jī)配置 2條 128MB的 SDRAM內(nèi)存條， 則其內(nèi)存容量為 256MB。 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 4 半導(dǎo)體存儲器的分類： 按工作方式分 按制造工藝分 按存儲機(jī)理分 雙極型 RAM 隨機(jī)存取存儲器 靜態(tài)讀寫存儲器 (SRAM) （ RAM） 金屬氧化物型 （ MOS） RAM 動態(tài)讀寫存儲器（ DRAM） ROM PROM 只讀存儲器 EPROM （ R0M） E2PROM 閃速 E2PROM（ FLASH） 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 5 內(nèi)存儲器的主要性能指標(biāo) ⑴內(nèi)存儲容量 表示一個(gè)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存儲器存儲數(shù)據(jù)多少的指標(biāo)。 掩膜型 ROM 主存儲器 可一次編程 PROM (內(nèi)存 ) ROM 紫外線擦除的 EPROM 電可擦除的 EEPROM 微型計(jì)算機(jī) 元件 : 快擦型 Flash MEM 的存儲器由 靜態(tài) RAM RAM 動態(tài) RAM 作用：保存主存的副本或暫時(shí)不執(zhí)行的 輔助存儲器 程序和數(shù)據(jù)； （ 外存） 軟 /硬磁盤 介質(zhì)： 光盤 磁帶等 第 6章 半導(dǎo)體存儲器及接口 西南大學(xué)電子信息工程學(xué)院 3 （ 2）按存儲介質(zhì)劃分