【正文】 21三、手機企業(yè)盈利性分析 28四、熱銷機型盤點 29第三節(jié) 近幾年中國手機行業(yè)數據監(jiān)測 36一、20092011年中國手機制造行業(yè)主要數據監(jiān)測分析 36二、20092011年中國手機產量數據分析 37三、20092010年中國無繩電話機進出口數據分析 37第四節(jié) 2011年中國手機行業(yè)售后服務分析 38一、手機行業(yè)質量問題分析 38二、中國手機售后服務調查 38三、手機行業(yè)用戶搜索熱點簡況 42第四章 2011年中國3G手機市場透析（4G手機） 45第一節(jié) 2011年中國3G手機發(fā)展綜述 45一、全球3G手機發(fā)展掀起新浪潮 45二、智能手機加速普及為3G手機發(fā)展奠定基礎 47三、中國3G手機走向中低端市場 47四、中國3G商機催熱手機電池的研發(fā) 48第二節(jié) 2011年3G手機行業(yè)市場發(fā)展態(tài)勢分析 49一、中國3G手機市場爭奪戰(zhàn)打響 49二、中國3G手機收費標準公布 50三、3G為中國手機市場帶來發(fā)展良機 51四、中國3G手機行業(yè)迎來曙光 53第三節(jié) 2011年中國3G手機市場狀況分析 55一、3G手機品牌結構 55二、3G手機不同制式市場結構 57三、3G手機不同價位市場結構 58第五章 2011年中國智能手機市場調研情況 60第一節(jié) 2011年中國手機市場發(fā)展綜述 60一、手機排行榜再次變動 602011年中國手機市場的品牌格局有了明顯的轉變，%，%，%。隨著DCS1800頻段的使用，單機柜載頻數也開始出現4TRX、8TRX和12TRX。各廠家的室外型基站設備設計思路相同，都是在各自室內型設備的設計方案基礎上改造，增加適應惡劣環(huán)境所需的電源系統(tǒng)和環(huán)境調節(jié)及防護系統(tǒng)。 　　* 天線安裝架設方便,調整靈活。 　　* 采用高精密的模具生產,確保批生產的一致性。 　　* 通過特殊處理和避免不同金屬材料連接,以防電耦腐蝕。 　　* 饋電網絡采取直流接地技術,提供良好的雷電保護。 　　* 天線阻抗設計為帶內良好匹配,帶外急劇惡化,從而提高抗干擾性。天線應有防結冰性能。 　　*接收機多路復用器接收機多路復用器應將ＲＸ天線的信號輸出到一個小區(qū)內的所有TRX中。 對以上配置，在運營者需要時，還應能在記錄減小對實際運行影響的情況下擴容到更大的配置，且能在現場對BTS進行擴容。 三扇區(qū)BTS，1＋1＋1個TRX至2＋2＋2個TRX及2個2Mbit/s端口。 　　*室外BTS應支持以下容量 全向BTS應支持以下配置：1－3個TRX及2個2Mbit/s端口。 扇區(qū)BTS應支持以下配置：兩扇區(qū)BTS，1+1個TRX至2＋2個TRX及4個2Mbit/s端口。 　　一個收發(fā)信機組是由多個收發(fā)信機（TRX）組成，連接同一發(fā)射天線。 　　TRI具有交換功能，它可使BSC和TG之間的連接非常靈活；TRS包括基站的所有無線設備；TG包括連接到一個發(fā)射天線的所有無線設備；LMT是操作維護功能的用戶接口，它可直接連接到收發(fā)信機。二、BTS結構 11BTS包括下列主要的功能單元：收發(fā)信機無線接口（TRI）、收發(fā)信機子系統(tǒng)（TRS）。 　　BSC：具有對一個或多個BTS進行控制的功能，它主要負責無線網路資源的管理、小區(qū)配置數據管理、功率控制、定位和切換等，是一個很強的業(yè)務控制點。 　　3．無線基站子系統(tǒng)（BSS） 　　BSS系統(tǒng)是在一定的無線覆蓋區(qū)中由MSC控制，與MS進行通信的系統(tǒng)設備，它主要負責完成無線發(fā)送接收和無線資源管理等功能。 　　AUC：用于產生為確定移動客戶的身份和對呼叫保密所需鑒權、加密的三參數（隨機號碼RAND，符合響應SRES，密鑰Ｋｃ）的功能實體。 　　VLR：是一個數據庫，是存儲MSC為了處理所管轄區(qū)域中MS（統(tǒng)稱拜訪客戶）的來話、去話呼叫所需檢索的信息。BSC和MSC之間的接口稱為A接口，具體地說，A接口采用E1接口，Um接口是空中接口，是MS與BTS之間的通信接口。因此，目前多以具有低噪聲、電子移動速度快、且集成度高的Si BiCMOS 制程為主。由于硅是當前半導體產業(yè)應用最為成熟的材料，因此，不論在產量或價格方面都極具優(yōu)勢。沖電氣開發(fā)的RF 開關的耗電電流僅為15μA（～3V），與使用GaAs 材料的現有RF 開關相比，耗電量降到了約1/5。在藍寶石底板上形成單晶硅薄膜，然后再利用CMOS 工藝形成電路。和Peregrine 公司有合作關系的日本沖電氣也開發(fā)了類似產品，沖電氣稱之為SOS技術，SOS技術是以“UTSi”為基礎開發(fā)的技術。PE4272 采用8 腳MSOP 封裝，絕緣值為44dB。兩種器件在3V 時靜態(tài)電流僅為8μA、ESD 高達2kV。采用單極雙擲格式，它們是PIN 二極管開關的很好的替代品，它們可在改善整體性能的同時大大減少了元器件的數量。該公司推出PE4272 和PE4273 寬帶開關例證了UltraCMOS 的用處。線卷Q 值在微波頻率下能達到50。當器件外圍達到毫米級使總電阻較低時，要保證電壓的合理分壓，真正的絕緣襯底是必不可少的。盡管單個開關器件的BVDSS 相對低些，但將多個FET 串聯堆疊仍能承愛高電壓。目前，Ultra CMOS 是在標準6 寸工藝設備上生產的，8 寸生產線亦已試制成功。為了達到完全的耗盡工作，硅層極薄至1000A。Ultra CMOS 能制作很大的RF FET，對厚度為150~225μm 的正常襯底，幾乎不存在寄生電容。Ultra CMOSSOI 的一個特殊子集是藍寶石上硅工藝，在該行業(yè)中通常稱為Ultra CMOS。但仍在可忍受的范圍內。而歐美廠家對新產品一向保守，對RF CMOS 缺乏信任，但是韓國大廠三星和LG 還有中國廠家夏新和聯想，在成本壓力下，大量采用RF CMOS 工藝的收發(fā)器。 Silicon Labs 最先以數字技術來強化低中頻至基頻濾波器及數字頻道選擇濾波器功能，以降低CMOS 噪聲過高的問題所生產的Aero 低中頻 GSM/GPRS 芯片組，英飛凌立刻跟進，也大量推出RF CMOS 工藝的產品，而高通在收購Berkana 后，也大力采用RF CMOS 工藝，一批新進射頻廠家無一例外都采用RF CMOS 工藝，甚至是最先進的65 納米RF CMOS 工藝。而Atheros、Envara 等WLAN 芯片廠商也在最近推出全CMOS 制程的多模WLAN(.11b/g/a)射頻芯片組。但是癥結點仍在于RF CMOS 是否能解決高噪聲、低絕緣度與Q 值、與降低改善性能所增加制程成本等問題，才能滿足無線通信射頻電路嚴格的要求。盡管純硅的CMOS 制程被認為僅適用于數字功能需求較多的設計，而不適用于以模擬電路為主的射頻IC 設計，不過歷經十幾年的努力后，隨著CMOS 性能的提升、 以下制程技術的配合、以及無線通信芯片整合趨勢的引領下，RF CMOS 制程不僅是學界研究的熱門課題，也引起了業(yè)界的關注。由于體硅CMOS 在源和漏至襯底間存在二極管效應，造成種種弊端，多數專家認為采用這種工藝不可能制作高功率高線性度開關。不過硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率、功率消耗方面努力。此外，通過控制鍺摻雜還可設計器件隨溫度的行為變化。SiGe 既擁有硅工藝的集成度、良率和成本優(yōu)勢，又具備第3 到第5 類半導體(如砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP))在速度方面的優(yōu)點。隨著近來IDM 大廠的投入，SiGe 技術已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過低等問題獲得改善而日趨實用。而自98 年IBM 宣布SiGe 邁入量產化階段后，近兩、三年來，SiGe 已成了最被重視的無線通信IC 制程技術之一。磊晶目前有兩種，一種是化學的MOCVD，一種是物理的MBE。砷化鎵生產方式和傳統(tǒng)的硅晶圓生產方式大不相同，砷化鎵需要采用磊晶技術制造，這種磊晶圓的直徑通常為46 英寸，比硅晶圓的12 英寸要小得多。異質雙極晶體管(HBT)是無需負電源的砷化鎵組件，其功率密度(power density)、電流推動能力(current drive capability)與線性度(