華為td-lte功率配置說明-展示頁
2025-04-21 12:17本頁面
【正文】 每個端口的每個符號上有2個導(dǎo)頻RE，相隔也是5個子載波。本版本不考慮長CP的物理層幀格式。 TDLTE 功率配置指導(dǎo)書文檔密級：內(nèi)部公開TDLTE功率配置指導(dǎo)書華為技術(shù)有限公司版權(quán)所有 侵權(quán)必究 目錄1 基本知識 3 LTE導(dǎo)頻圖案 3 功率參數(shù)的概念 4 天線端口映射方式 5 RS Power Boosting 62 導(dǎo)頻功率對網(wǎng)絡(luò)性能的影響 7 對覆蓋的影響 7 對容量的影響 83 產(chǎn)品功率配置 8 基本概念 8 配置方法 9 已知RRU功率配置導(dǎo)頻功率 9 已知導(dǎo)頻功率計算RRU功率 10 功率配置原則 11 功率配置建議 11 兩天線 11 四天線 12 八天線 12 繼承TDS功率場景 124 結(jié)論 13附錄A 13202254華為機密，未經(jīng)許可不得擴散第2頁, 共13頁文檔名稱文檔密級1 基本知識 LTE導(dǎo)頻圖案CP是OFDM系統(tǒng)的循環(huán)前綴，用來抵抗無線信道的多徑衰落。LTE支持的MBMS，采用了長CP。圖1是Normal CP下的導(dǎo)頻圖案：圖1 Normal CP下的導(dǎo)頻圖案1) 單天線端口下，每個符號上共有2個導(dǎo)頻RE，兩個RE之間隔5個子載波。如果一個天線端口的符號上的有一個RE位置作為RS RE，那么另一個端口上不發(fā)信號，避免兩個端口之間的信號干擾。 功率參數(shù)的概念EPRE（Energy Per Resource Element）：每個資源單元上的能量，可以理解為每個RE的功率。TypeB符號：含RS的OFDM符號。：有導(dǎo)頻的OFDM符號上的PDSCH RE功率相對于RS RE功率的比值，線性值。目前eRAN產(chǎn)品中，大多采用TM2/3/7自適應(yīng)的傳輸模式，所以有：或者。該參數(shù)就是下行功控的輸出值。但如果過大，對鄰區(qū)的干擾也嚴重，且導(dǎo)致控制信道功率降低，覆蓋不平衡。對于RS功率的配置，期望基站的發(fā)射功率能夠用完，即TypeA和TypeB符號上的功率相等，否則功率利用率不能夠達到100%。針對所有的UE，是一樣的。 天線端口映射方式天線端口（port）：表示邏輯端口。以8天線2端口為例，見圖2，45176。圖2 8天線映射兩端口的方式 RS Power BoostingRS Power Boosting實際上是一種下行功控技術(shù)，目的是增強小區(qū)的覆蓋范圍。圖中，Tx Ant表示天線端口。這時兩個Port的總功率是相等的，保證了eNodeB在頻帶和時間上能夠做到資源分配的公平性。而當(dāng)=0時，兩端口或4端口下，TypeB符號上的PDSCH RE功率為5/4個單位，Type
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