【正文】 道的設(shè)計與實現(xiàn)、物理過程關(guān)鍵算法研究、高層協(xié)議研究與設(shè)計，測量算法研究、設(shè)計與驗證。其中協(xié)議一致性是重要的一部分。課題15：TDLTE TTCN擴展測試集儀表開發(fā)（協(xié)議一致性部分）課題說明：終端協(xié)議一致性測試（TTCN）是驗證終端對標準的符合程度，檢驗和推進終端是否具備商用水平的最關(guān)鍵手段。申報方式：公開擇優(yōu)。 實施期限：2012年1月至2014年12月。具體技術(shù)要求為：（1） 符合3GPP TDLTEAdvanced及國內(nèi)相關(guān)規(guī)范要求；（2） 、,TDSCDMA支持20102025MHz和18801920MHz頻段；（3） 支持可變帶寬，包括5MHz、10MHz、15MHz和20MHz；實現(xiàn)同頻段載波聚合，至少支持40MHz帶寬。具體包括：分析TDLTEAdvanced系統(tǒng)對終端射頻芯片的指標需求，研究多模多頻段射頻芯片實現(xiàn)架構(gòu)，明確與基帶芯片的功能劃分和控制配合，終端射頻芯片要通過實測驗證，性能滿足TDLTEAdvanced系統(tǒng)的需求。課題14：TDLTEAdvanced終端射頻芯片工程樣片研發(fā)課題說明：終端射頻芯片是TDLTEAdvanced產(chǎn)業(yè)鏈另一個最重要的環(huán)節(jié)，也是我國比較薄弱的環(huán)節(jié)。 申報方式：公開擇優(yōu)。實施期限：2012年1月至2014年12月。（4） 支持TDLTEAdvanced規(guī)定峰值數(shù)據(jù)速率等性能指標；（5） 上行支持44 MIMO方式；（6） 下行支持84多流波束賦形；（7） 支持64QAM,16QAM,QPSK,BPSK調(diào)制方式；（8） 支持非對稱時隙配置；（9） 半導體工藝線寬：40nm及以下。鼓勵在國內(nèi)投片。提供200片TDLTEAdvanced 終端基帶工程樣片，用于室內(nèi)外的試驗測試。支持IPv6。TDLTEAdvanced能夠滿足3GPP R10和國內(nèi)相關(guān)規(guī)范的要求。由于難度大、國際競爭壓力大，所以應(yīng)及早啟動部署，并確保足夠投入。企業(yè)牽頭承擔，產(chǎn)學研聯(lián)合申請。本課題擬采用事前立項事后補助的中央財政支持方式。 實施期限：2012年1月至2013年12月。（3） 下行可實現(xiàn)8x4 MIMO多用戶多流波束賦形。主要技術(shù)指標包括：（1） 。所提供設(shè)備應(yīng)能夠滿足3GPP R10和國內(nèi)標準的主要指標要求。支持IPv6。研究目標：開發(fā)TDLTEAdvanced基站及SAE試驗設(shè)備，可滿足3GPP R10 TDLTEadvanced關(guān)鍵基本技術(shù)和基本功能要求。課題12：TDLTEAdvanced系統(tǒng)試驗設(shè)備開發(fā)課題說明：為支持TDLTE技術(shù)與產(chǎn)業(yè)的進一步增強與發(fā)展，需要支持TDLTEAdvanced系統(tǒng)試驗設(shè)備和預(yù)商用設(shè)備的研發(fā)。申報方式：公開擇優(yōu)。經(jīng)費比例：中央財政投入與其他來源經(jīng)費比例為1:3，其中地方財政投入資金應(yīng)不低于中央財政投入的50%。（9）終端支持IPv6功能，具體包括支持IPv4/IPv6雙棧運行，支持IPv4，IPv6及IPv4v6 雙棧PDN，支持IPv6優(yōu)先，為終端上應(yīng)用開發(fā)提供IPv4/IPv6無關(guān)的API等。支持IPv6。研究目標：基于面向商用TDLTE/TDSCDMA/GSM終端多模單待基帶芯片，開發(fā)面向商用TDLTE/TDSCDMA/GSM多模單待手機。2012年，LTE及LTEAdvanced研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目包括：為完善TDLTE產(chǎn)業(yè)鏈，重點安排了TDLTE面向商用的多模單待手機研發(fā)、TDLTE TTCN擴展測試集儀表開發(fā)；針對TDLTEAdvanced設(shè)備研發(fā)，啟動了系統(tǒng)試驗設(shè)備、終端基帶芯片、終端射頻芯片、TDLTE及TDLTEAdvanced TTCN終端綜合測試儀表課題。 “新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)”國家科技重大專項2012年度課題申報指南二○一一年四月 “新一代寬帶無線移動通信網(wǎng)”國家科技重大專項2012年度網(wǎng)上公示的申報課題分屬以下五個項目：項目1：LTE及LTEAdvanced研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目2：移動互聯(lián)網(wǎng)及業(yè)務(wù)應(yīng)用研發(fā)項目3：新型無線技術(shù)項目4：寬帶無線接入與短距離互聯(lián)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目5：物聯(lián)網(wǎng)及泛在網(wǎng)項目1：LTE及LTEAdvanced研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目說明：“十一五”期間，LTE研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化已作了較為全面的部署，基本完成了系統(tǒng)、芯片等關(guān)鍵環(huán)節(jié)的產(chǎn)品開發(fā)?！笆濉逼陂g，將實現(xiàn)LTE產(chǎn)業(yè)化及規(guī)模應(yīng)用，并開展LTEAdvanced關(guān)鍵技術(shù)、標準化及整體產(chǎn)業(yè)鏈的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。課題11：TDLTE面向商用的多模單待手機研發(fā) 課題說明：TDLTE手機產(chǎn)品研發(fā)是我國產(chǎn)業(yè)鏈的薄弱環(huán)節(jié)，多模單待手機是TDLTE面向商用國際主流的終端方式，開發(fā)難度較大，迫切需要盡快開發(fā)TDLTE面向商用的多模單待手機。具體包括：開發(fā)TDLTE/TDSCDMA/GSM多模終端平臺，采用小型化設(shè)計、低功耗設(shè)計以及系統(tǒng)的可擴展性設(shè)計，支持語音業(yè)務(wù)，解決終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性、低功耗、及內(nèi)存的合理應(yīng)用等技術(shù)問題。 考核指標： （1）提供500部TDLTE/TDSCDMA/GSM多模手機； （2）支持數(shù)據(jù)和語音業(yè)務(wù)； （3）TDLTE模式下：，支持最大20MHz射頻帶寬； （4） 最大上行、下行數(shù)據(jù)吞吐率指標應(yīng)達到3GPP規(guī)范終端等級3的要求； （5）支持下行2 x 2的MIMO方式； （6）支持TDLTE與TDSCDMA/GSM的系統(tǒng)間PLMN搜索、系統(tǒng)間測量、系統(tǒng)間小區(qū)重選、系統(tǒng)間切換； （7）功耗指標和穩(wěn)定性應(yīng)滿足面向商用的要求； （8）申請發(fā)明專利 10項。 實施期限：2012年1月至2013年12月。本課題擬采用事前立項事后補助的中央財政支持方式。企業(yè)牽頭承擔，產(chǎn)學研聯(lián)合申請。2012年度支持系統(tǒng)試驗設(shè)備的研發(fā)。具體包括：TDLTEAdvanced關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)，主要包括多天線技術(shù)增強、載波聚合技術(shù)、小區(qū)間干擾控制增強技術(shù)、用戶平面延遲改善技術(shù)等；TDLTEAdvanced實現(xiàn)技術(shù)研發(fā)，如寬帶功放、高速數(shù)據(jù)接口和傳輸技術(shù)等；先進的信號檢測和譯碼算法研究與實現(xiàn)；TDLTEAdvanced驗證平臺硬件架構(gòu)研究及基站試驗設(shè)備開發(fā)。考核指標：提供10套TDLTEAdvanced基站試驗設(shè)備，1套SAE試驗設(shè)備，參加室內(nèi)外的試驗測試。申請發(fā)明專利20項以上。（2） 支持可變帶寬，包括5MHz, 10MHz, 15MHz和20MHz；實現(xiàn)載波聚合，至少支持40MHz帶寬。（4） 峰值傳輸速率、峰值頻譜效率和平均頻譜效率要滿足3GPP ；（5） 系統(tǒng)應(yīng)全面支持IPv6，包括支持用戶IPv6數(shù)據(jù)包、傳送層使用IPv6，以及設(shè)備使用IPv6進行管理；系統(tǒng)應(yīng)同時支持IPv4和IPv6雙棧。 經(jīng)費比例：中央財政投入與其他來源經(jīng)費比例為1:3，其中地方財政投入資金應(yīng)不低于中央財政投入的50%。 申報方式：公開擇優(yōu)。課題13：TDLTEAdvanced終端基帶芯片工程樣片研發(fā) 課題說明：終端基帶芯片是TDLTE及其增強產(chǎn)業(yè)鏈最重要的環(huán)節(jié)，也是我國比較薄弱的環(huán)節(jié)。研究目標：開發(fā)支持TDLTEAdvanced和TDSCDMA等多模終端基帶工程樣片。具體包括：TDLTEAdvanced終端功能驗證平臺的設(shè)計與實現(xiàn)；確定芯片架構(gòu)方案、芯片工藝方案、多核協(xié)同工作解決方案；TDLTEAdvanced/TDSCDMA雙模設(shè)計、開發(fā)與驗證；TDLTEAdvanced/TDSCDMA雙模物理層軟件的設(shè)計與開發(fā)； TDLTEAdvanced /TDSCDMA雙模高層協(xié)議棧軟件的設(shè)計與開發(fā)；TDLTEAdvanced/TDSCDMA雙模參考設(shè)計方案的設(shè)計與開發(fā)；芯片和樣機測試軟件設(shè)計與開發(fā)。 考核指標：完成TDLTEAdvanced和TDSCDMA等多?；鶐悠邪l(fā)，滿足3GPP R10相關(guān)規(guī)范基本要求。申請發(fā)明專利20項以上。主要技術(shù)指標如下：（1） 支持TDLTEAdvanced和TDSCDMA等多模；（2） 、TDSCDMA支持20102025MHz和18801920MHz；（3） 支持可變帶寬，包括5MHz, 10MHz, 15MHz和20MHz；實現(xiàn)載波聚合，至少支持40MHz帶寬。（10） 基帶芯片應(yīng)該全面提供對IPv6的支持，具體要求包含：芯片的各模式支持IPv4，IPv6，IPv4v6 PDN/PDP Type；應(yīng)能實現(xiàn)IPv6頭壓縮功能。 經(jīng)費比例：中央財政投入與其他來源經(jīng)費比例為1:2，其中地方財政投入資金應(yīng)不低于中央財政投入的50%。企業(yè)牽頭承擔，產(chǎn)學研聯(lián)合申請。研究目標：開發(fā)出TDLTEAdvanced的終端射頻芯片樣片，滿足3GPP R10 TDLTEAdvanced和國內(nèi)相關(guān)技術(shù)規(guī)范的要求?？己酥笜耍禾峁?00片TDLTEAdvanced 終端射頻芯片樣片。（4） 支持64QAM,16QAM,QPSK,BPSK調(diào)制方式；（5） 上行支持44 MIMO 方式；（6） 下行支持84 MIMO方式；（7） 支持無線信道跨頻段切換，切換時間80us，方便組網(wǎng)頻點選擇；（8） 集成射頻收發(fā)前端（除PA外）和模擬基帶處理，提供數(shù)字基帶接口；（9） 接收機提供大于100dB動態(tài)范圍，步進精度至少1dB；（10） 發(fā)射機提供85dB動態(tài)范圍，；（11） 發(fā)射誤差矢量幅度（EVM）%；（12） 支持多接收時隙獨立增益自動控制，滿足無線資源的快速調(diào)度；（13） 申請發(fā)明專利5項以上。經(jīng)費比例：中央財政投入與其他來源經(jīng)費比例為1:2，其中地方財政投入資金應(yīng)不低于中央財政投入的50%。企業(yè)牽頭承擔，產(chǎn)學研聯(lián)合申請。TTCN涵蓋規(guī)范研究和制定、測試集的開發(fā)和儀表的開發(fā)三個方面，測試儀表難度大，門檻高。研究目標：開發(fā)具有獨立硬件平臺或基于系統(tǒng)硬件平臺，支持TDLTE（3GPP R8，R9）/TDSCDMA/GSM多模終端一致性測試規(guī)范的TTCN擴展測試代碼集，可形成商用儀表。實現(xiàn)物理過程、協(xié)議處理流程、呼叫流程、關(guān)鍵測量項目設(shè)計與實現(xiàn)，完成TD