【摘要】《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)教程》習(xí)題與參考答案(2010.1)第1章習(xí)題與參考答案【題1-1】將下列十進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)、八進(jìn)制數(shù)、十六進(jìn)制數(shù)。(1)25;(2)43;(3)56;(4)78解:(1)25=(11001)2=(31)8=(19)16(2)43=(101011)2=(53)8=(2B
2025-07-01 17:14
【摘要】1《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)教程》習(xí)題與參考答案(2022.1)2第1章習(xí)題與參考答案【題1-1】將下列十進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)、八進(jìn)制數(shù)、十六進(jìn)制數(shù)。(1)25;(2)43;(3)56;(4)78解:(1)25=(1
2025-01-21 03:51
【摘要】1《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)教程》習(xí)題與參考答案(2020.1)2第1章習(xí)題與參考答案【題1-1】將下列十進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)、八進(jìn)制數(shù)、十六進(jìn)制數(shù)。(1)25;(2)43;(3)56;(4)78解:(1
2024-11-19 09:41
【摘要】1第6章習(xí)題與參考答案[題6-1]用文字描述圖題6-1所示的狀態(tài)圖,并說明是何種類型狀態(tài)機(jī)。圖題6-1解:狀態(tài)A:如果輸入為0,轉(zhuǎn)移到狀態(tài)A,輸出0如果輸入為1,轉(zhuǎn)移到狀態(tài)B,輸出0狀態(tài)B:如果輸入為0,轉(zhuǎn)移到狀態(tài)A,輸出0如果輸入為1,轉(zhuǎn)移到狀
2024-11-19 07:11
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)教材閻石:數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)(第四版)第一章第五章第四章第三章第二章第八章第七章第六章第九章制作:王開全第一章:邏輯代數(shù)基礎(chǔ)概述邏輯代數(shù)中的三種基本運(yùn)算邏輯代數(shù)的基本公式和常用公式邏輯代數(shù)的基本定理邏輯函數(shù)及
2025-01-07 15:59
【摘要】1第1章習(xí)題與參考答案【題1-1】將下列十進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制數(shù)、八進(jìn)制數(shù)、十六進(jìn)制數(shù)。(1)25;(2)43;(3)56;(4)78解:(1)25=(11001)2=(31)8=(19)16(2)43=(101011)2=(53)8=(2B)16(3)56=(1110
2024-11-19 07:55
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.
2025-08-05 10:44
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在
2024-11-16 06:14
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)答案第1章自測題1.2.43.4.邏輯代數(shù)卡諾圖5.6.7.代數(shù)法卡諾圖8.11.√2.√3.×⊙ABL001010100111
2024-08-21 01:41
【摘要】第1章習(xí)題及答案,試寫出該波形所表示的二進(jìn)制數(shù)。解:該波形表示的二進(jìn)制數(shù)為:0111010。、十六進(jìn)制數(shù)、8421BCD碼來表示。(1)26(2)87(3)255(4)解:(1)(26)D=(11010)B=(1A)H=(00100110)8421BCD(2)(87)D=(1010111)B=(57)H=(10000111)
2025-06-09 00:02
【摘要】11章自測題填空題1.2.43.n24.邏輯代數(shù)卡諾圖5.)(DCBAF??)(DCBAF???6.))((CBDCBAF????7.代數(shù)法卡諾圖8.1判斷題1.√2.√3.215。選擇題AF
2024-11-08 08:42
【摘要】第一篇:數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程設(shè)計 蘇州科技大學(xué)電子與信息工程學(xué)院數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程設(shè)計報告 電子1412 姓名:孫瑋 蘇州科技大學(xué)電子與信息工程學(xué)院 數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)課程設(shè)計報告 專業(yè)班...
2024-11-09 22:13
【摘要】第三部分習(xí)題與解答習(xí)題1客觀檢測題一、填空題1、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于摻入的雜質(zhì)濃度,而少數(shù)載流子的濃度則與溫度有很大關(guān)系。2、當(dāng)PN結(jié)外加正向電壓時,擴(kuò)散電流大于漂移電流,耗盡層變窄。當(dāng)外加反向電壓時,擴(kuò)散電流小于漂移電流,耗盡層變寬。3、在N型半導(dǎo)體中,電子為多數(shù)載流子,空穴為少數(shù)載流子。二.判斷題
2025-07-01 00:06
【摘要】第一章數(shù)制與編碼自測練習(xí)、模擬量 數(shù)字量、(b)、(c)、(a)是數(shù)字量,(b)(c)(d)是模擬量 自測練習(xí).2.比特bit.10.二進(jìn)制.十進(jìn)制.(a).(b).(c).(b).(b).(b).(a).(c).(c).(c).1001001.11
2025-07-03 06:56
【摘要】數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)習(xí)題第一章數(shù)字邏輯基礎(chǔ)一、填空題1.十進(jìn)制數(shù)128對應(yīng)的二進(jìn)制數(shù)是,對應(yīng)8421BCD碼是,對應(yīng)的十六進(jìn)制數(shù)是。100000000001001010001018001二、判斷題
2024-08-20 07:27