[工程科技]半導(dǎo)體材料-展示頁
2025-03-31 02:27本頁面
【正文】 r 31 Vapor pressure of most mon MO pounds Compound P at 298 K (torr) A B Melt point (oC) (Al(CH3)3)2 TMAl 2780 15 Al(C2H5)3 TEAl 3625 Ga(CH3)3 TMGa 238 1825 Ga(C2H5)3 TEGa 2530 In(CH3)3 TMIn 2830 88 In(C2H5)3 TEIn 2815 32 Zn(C2H5)2 DEZn 2190 28 Mg(C5H5)2 Cp2Mg 3556 175 Log[p(torr)]=BA/T 32 Horizontal MOVPE Reactor 33 MOVPE Reactor 34 35 67123456 擴散系統(tǒng)示意框圖 ； ； ； ； ； ； 。在電解液中， 通電后在電流作用下發(fā)生水解，同時在陰極放出氫氣。 通電瞬間，由于氧和 M的親和力特別強，在 M表面迅速生成一層致密 無孔的氧化膜，它具有很高的絕緣電阻，稱之為阻擋層。 40 半導(dǎo)體材料及器件工藝技術(shù)（五） ? 1 刻蝕技術(shù) ? 化學(xué)刻蝕、 離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕 ? 2 半導(dǎo)體材料及器件的測試 41 Dry Etching ? Dry etching methods ? Glow discharge methods ? Dry physical etching (Sputter etching) ? Plasma assisted etching ? Dry chemical etching (Plasma etching) ? Reactive ion etching (RIE) ? Ion beam methods ? Ion milling ? Reactive ion beam etching ? Chemical assisted ion milling ? Common materia
環(huán)評公示相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1