【正文】 B: 線缺陷 C: 面缺陷 D: A+B+C2按照晶體結(jié)構(gòu)缺陷形成的原因，可將晶體結(jié)構(gòu)缺陷的類型分為（ D ）。固溶體有有限和無限之分，其中（ B ）。 A: 正離子空位 B: 間隙負(fù)離子C: 負(fù)離子空位 D: A或B2形成固溶體后對晶體的性質(zhì)將產(chǎn)生影響, 主要表現(xiàn)為（ D ）。A: 攀移 B: 攀移C: 增值 D: 減少1對于形成雜質(zhì)缺陷而言，低價(jià)正離子占據(jù)高價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有負(fù)電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（ D ）。 A: 共頂 　　 B: 共面 C: 共棱 　　 　D: A+B+C1點(diǎn)缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動(dòng)力學(xué)過程等有關(guān)，以下點(diǎn)缺陷中屬于本征缺陷的是（ D ）。A: 沸石螢石MgO B: 沸石MgO螢石 C: 螢石沸石MgO D: 螢石MgO沸石1根據(jù)鮑林(Pauling)規(guī)則，離子晶體MX2中二價(jià)陽離子的配位數(shù)為8時(shí)，一價(jià)陰離子的配位數(shù)為（ B ）。 A: 同質(zhì)多晶 B: 有序—無序轉(zhuǎn)變 C: 同晶置換 D: 馬氏體轉(zhuǎn)變13. 鎂橄欖石Mg2[SiO4]是（ A ）。A: 正負(fù)離子的個(gè)數(shù) B: 結(jié)構(gòu)中的硅氧比C:化學(xué)組成 D:離子半徑1鋯英石Zr[SiO4]是（ A ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8 CsCl晶體中Cs+的配位數(shù)為8，Cl的配位數(shù)為（ D ）。A: 2 B: 4 C: 6 D: 8螢石晶體可以看作是Ca2+作面心立方堆積，F(xiàn)填充了（ D ）。A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 1/2四面體 D: 1/2八面體CsCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為1，Cs+填充在Cl所構(gòu)成的（ C ）空隙中。 A: 增大，降低 B: 減小，降低 C: 減小，增大 D: 增大，增大氯化鈉具有面心立方結(jié)構(gòu)，其晶胞分子數(shù)是（ C ）。極化會(huì)對晶體結(jié)構(gòu)產(chǎn)生顯著影響，可使鍵性由（ B ）過渡，最終使晶體結(jié)構(gòu)類型發(fā)生變化。A: 共價(jià)鍵向離子鍵 B: 離子鍵向共價(jià)鍵 C: 金屬鍵向共價(jià)鍵 D: 鍵金屬向離子鍵離子晶體中，由于離子的極化作用，通常使正負(fù)離子間的距離（ B ），離子配位數(shù)（ ）。A: 5 B: 6 C: 4 D: 3NaCl單位晶胞中的“分子數(shù)”為4，Na+填充在Cl所構(gòu)成的（ B ）空隙中。A: 全部四面體 B: 全部八面體 C: 全部立方體 D: 1/2八面體MgO晶體屬NaCl型結(jié)構(gòu)，由一套Mg的面心立方格子和一套O的面心立方格子組成，其一個(gè)單位晶胞中有（ B ）個(gè)MgO分子。 A: 八面體空隙的半數(shù) B: 四面體空隙的半數(shù) C: 全部八面體空隙 D: 全部四面體空隙 螢石晶體中Ca2+的配位數(shù)為8，F(xiàn)配位數(shù)為（ B ）。 A: 2 B: 4 C: 6 D: 8硅酸鹽晶體的分類原則是（ B ）。A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu)1硅酸鹽晶體中常有少量Si4+被Al3+取代，這種現(xiàn)象稱為（ C ）。 A: 島狀結(jié)構(gòu) B: 層狀結(jié)構(gòu) C: 鏈狀結(jié)構(gòu) D: 架狀結(jié)構(gòu)1對沸石、螢石、MgO三類晶體具有的空隙體積相比較，其由大到小的順序?yàn)椋? A ）。 A: 2 　　 B: 4 C: 6 　　 　D: 81構(gòu)成硅酸鹽晶體的基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]四面體，兩個(gè)相鄰的[SiO4]四面體之間只能（ A ）連接。A：弗侖克爾缺陷 B：肖特基缺陷C：雜質(zhì)缺陷 D：A+B1位錯(cuò)的（ A）是指在熱缺陷的作用下，位錯(cuò)在垂直滑移方向的運(yùn)動(dòng)，結(jié)果導(dǎo)致空位或間隙原子的增值或減少。A: 負(fù)離子空位 B: 間隙正離子C: 間隙負(fù)離子 D: A或B對于形成雜質(zhì)缺陷而言，高價(jià)正離子占據(jù)低價(jià)正離子位置時(shí)，該位置帶有正電荷，為了保持電中性，會(huì)產(chǎn)生（ D ）。A: 穩(wěn)定晶格 B: 活化晶格C: 固溶強(qiáng)化 D: A+B+C2固溶體的特點(diǎn)是摻入外來雜質(zhì)原子后原來的晶體結(jié)構(gòu)不發(fā)生轉(zhuǎn)變，但點(diǎn)陣畸變，性能變化。A: 結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的充要條件B: 結(jié)構(gòu)相同是無限固溶的必要條件，不是充分條件C: 結(jié)構(gòu)相同是有限固溶的必要條件D: 結(jié)構(gòu)相同不是形成固溶體的條件2缺陷對晶體的性能有重要影響