化學(xué)氣相沉積ppt課件(2)-展示頁(yè)
2025-01-23 09:49本頁(yè)面
【正文】 氫化物：氫化物 MH鍵的離解能、鍵能都比較小，熱解溫度低，唯一的副產(chǎn)物是沒(méi)有腐蝕性的氫氣。 CVD對(duì)原料、產(chǎn)物及反應(yīng)類型的要求 ? 是氣態(tài)或易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質(zhì)。Chemical Vapor Deposition 化學(xué)氣相沉積 What is the Deposition? Gas Liquid Solid Condensation Vaporization 基本介紹 ? 氣相沉積技術(shù)： ? 化學(xué)氣相沉積法 (Chemical Vapor Deposition， CVD): ? 利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質(zhì)在氣相或氣固界面上反應(yīng)生成固態(tài)沉積物的技術(shù)。 PVD CVD 蒸發(fā)鍍 離子鍍 濺射鍍 化學(xué)氣相沉積的裝置 ? CVD裝置通常： ① 氣源控制部件； ② 沉積反應(yīng)室； ③ 沉積溫控部件； ④ 真空排氣和壓強(qiáng)控制部件； ⑤ 增加激勵(lì)能源控制部件（在等離子增強(qiáng)型或其它 能源激活型 CVD裝置）。 ? 副產(chǎn)品保留在氣相中排出或易于分離 . ? 易于控制 。 原料： 通常 IV B族 Ⅲ B族和 Ⅱ B族的一些 低周期元素的氫化物 如CH siH GeH B2H PH AsH3等都是氣態(tài)化合物， 產(chǎn)物：相應(yīng)的副族元素的單質(zhì) 制備 Si— Ge 合金全膜 ? 有機(jī)烷氧基的元素化合物 ，在高溫時(shí)不穩(wěn)定，熱分解生成該元素的 氧化物 。例如： 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積技術(shù)（ MOCVD) (Metal— Organic Chemical Vapo
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1