電路設(shè)計(jì)及emc器件選擇-展示頁
2025-01-22 14:57本頁面
【正文】 和重量。：；:；：電路設(shè)計(jì)及EMC器件選擇1．電路設(shè)計(jì)及EMC器件選擇 這些技術(shù)也可以提高數(shù)字信號(hào)的完整性及模擬信號(hào)信噪比，可以減少重復(fù)使用硬件及軟件至少一次，這也將有助于新產(chǎn)品達(dá)到其功能技術(shù)要求，盡早投入市場(chǎng)。 時(shí)鐘速率越高，邊沿越陡，頻率和諧波的發(fā)射能力也越高。在HC能用時(shí)絕不要使用AC，CMOS4000能行就不要用HC。 * 電源及地的引腳較近 * 輸出電壓波動(dòng)性小 * 與傳輸線匹配的I/O電路 * 地線反射較低 * 輸入電容小 * 電源瞬態(tài)電流低（有時(shí)也稱穿透電流）由不同廠家生產(chǎn)的具有相同型號(hào)及指標(biāo)的器件可能有顯著不同的EMC特性，這一點(diǎn)對(duì)于確保陸續(xù)生產(chǎn)的產(chǎn)品具有穩(wěn)定的電磁兼容符合性是很重要的。 高技術(shù)集成電路的生產(chǎn)商可以提供詳盡的EMC設(shè)計(jì)說明，比如Intel的奔騰MMX芯片就是這樣。詳盡的EMC設(shè)計(jì)建議表明：生產(chǎn)商關(guān)心的是用戶的真正需求，這在選擇器件時(shí)是必須考慮的因素。發(fā)射測(cè)試可方便地在一標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試臺(tái)上進(jìn)行，將近場(chǎng)磁場(chǎng)探頭連接到頻譜分析儀（或?qū)拵静ㄆ鳎┥?，有些器件明顯地比其他一些器件噪聲小得多，測(cè)試抗擾度時(shí)可采用同樣的探頭，并連到信號(hào)發(fā)生器的輸出端（連續(xù)射頻或瞬態(tài)）。測(cè)試時(shí)近場(chǎng)探頭需貼近器件或PCB板，為了定位“關(guān)鍵探測(cè)點(diǎn)”和最大化探頭方向 ， 應(yīng)首先在整個(gè)區(qū)域進(jìn)行水平及垂直掃描（使探頭在各個(gè)方向相互垂直），然后在信號(hào)最強(qiáng)的區(qū)域集中進(jìn)行掃描。 不宜采用IC 座安裝在座（更糟的是，插座本身有電池）上的可編程只讀存儲(chǔ)器（PROM）的發(fā)射及敏感特性經(jīng)常會(huì)使一個(gè)本來良好的設(shè)計(jì)變壞。 * 對(duì)輸入和按鍵采用電平檢測(cè)（而非邊沿檢測(cè)） * 在PCB樣板上，允許對(duì)信號(hào)邊沿速度或帶寬進(jìn)行控制（例如，在驅(qū)動(dòng)端使用軟鐵氧體磁珠或串聯(lián)電阻） * 處理器散熱片與芯片之間通過導(dǎo)熱材料隔離，并在處理器周圍多點(diǎn)射頻接地。 * 電源的高質(zhì)量射頻旁路（解耦）在每個(gè)電源
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