freepeople性欧美熟妇, 色戒完整版无删减158分钟hd, 无码精品国产vα在线观看DVD, 丰满少妇伦精品无码专区在线观看,艾栗栗与纹身男宾馆3p50分钟,国产AV片在线观看,黑人与美女高潮,18岁女RAPPERDISSSUBS,国产手机在机看影片

正文內(nèi)容

數(shù)字設(shè)計原理與實踐第三章答案-展示頁

2025-01-16 15:49本頁面
  

【正文】 通過外接上拉無源電阻對負載充電,所以當電阻選擇小時延時就小,但功耗大;反之延時大功耗小。這樣就可以進行任意電平的轉(zhuǎn)換了。這也是 I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。 Pin,連接到一條線上。 則電路內(nèi)部斷開時則輸出為高電平,若內(nèi)部導(dǎo)通時上拉電阻的另一端則被拉到地,輸出為低電平。 (見圖353) : HIGH ABNOMAL LOW VILmax VIHmin 滯后為 VT+ VT= opendrain上拉電阻問題 漏極開路輸出: 指漏極通常處于懸空狀態(tài),電路輸出為高阻態(tài)(即斷開)。題目說器件輸出電流為負值。 VDD Z A B VDD Z A B NAND NOR CMOS反向門還是非反向門用的晶體管少? CMOS反相器所用的晶體管數(shù)少 ,因為CMOS非反相器為 2個 CMOS反相器串聯(lián)組成, 且 CMOS反相器是 CMOS邏輯中用門最少的。數(shù)字邏輯設(shè)計習(xí)題解答 第三章 王堅 邏輯 0 邏
點擊復(fù)制文檔內(nèi)容
范文總結(jié)相關(guān)推薦
文庫吧 www.dybbs8.com
備案圖鄂ICP備17016276號-1