光刻與刻蝕工藝流程-展示頁
2025-05-23 20:20本頁面
【正文】 曝光 顯影、光刻 +PR amp。光刻、顯影工藝簡介 ?光刻膠 ( Photoresist )概述 ?+PR 和 –PR的區(qū)別 ?描述光刻工藝的步驟 ?四種對準和曝光系統(tǒng) 光刻膠概述 ?高分辨率 High Resolution； ?高光敏性 High PR Sensitivity ?精確對準 Precision Alignment ?光刻膠是 TFT制作的基本工藝材料之一：由 樹脂、感光化合物、溶劑 3 個基本部分組成； ?具有光化學敏感性：被紫外光、電子束、 X射線、電子束等曝光光源照射后，發(fā)生光化學反應， 溶解度發(fā)生變化 ； +PR amp。 PR Negative Photoresist 負性光刻膠－負膠 Positive Photoresist 正性光刻膠－正膠 曝光后不可溶解 曝光后可溶解 顯影時未曝光的被溶解 顯影時曝光的被溶解 便宜 高分辨率 +PR amp。 PR 樹脂分子結構 ?正膠： 曝光時切斷樹脂聚合體主鏈和從鏈之間的聯(lián)系，達到削弱聚合體的目的，所以曝光后光刻膠在隨后的顯影處理中溶解度升高，曝光后溶解度幾乎是未曝光時的 10倍；
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