【正文】 BJT 最大結溫 Tj,max 僅為155℃呈現出良好的微波特性。 1980 年提出的這種器件，近幾年來才有大量工程應用。這種器件的非線性模型 MESFET/HEMT 由幾個著名器件和軟件廠商給出，還在不斷完善。 ◢ MESFET金屬半導體場效應管是在 GaAs基片上上同時實現肖特基勢壘結和歐姆接觸。 雙擴散金屬氧化物半導體 DMOS是 CMOS晶體管向高頻的發(fā)展 ,側面雙擴散金屬氧化物半導體 LDMOS 器件是大功率微波放大器件。 VBIC 模型是 GummelPoon 模型的發(fā)展伸； MEXTRAM 模型零極點少，故比 Philips 模型收斂快。 微波晶體管是較晚開發(fā)的三電極半導體器件 ,由于其性能優(yōu)越 .迅速獲得了廣泛應用 .并不斷地向高頻率、大功率、集成化推進 .基本作用是放大器，已基本上取代了參放 .部分地代替行數 .在其它電路中也可使用 ,如 :混頻器 ,倍頻器 ,振蕩器 ,開關等 . 目前 ,廣泛應 用及有前景的元件主要有以下五種 . ◢ BJT 雙極結晶體管是普通三極管向射頻與微波頻段的發(fā)展。 主要應用領域 低噪聲放大器可以使接收機接受的的微弱信號放大，并降低噪聲的干擾，無失真的將信號放大傳給下一級電路，是通信系統(tǒng)中重要的前端必備電路，因此低噪聲放大器廣泛應用于 微波通信、 GPS 接收機、遙感遙控、雷達、電子對抗及各種高精度測量系統(tǒng)等領域中，是現代 IC 技術發(fā)展中必 不可少的重要電 路。 主要功能 隨著通訊工業(yè)的飛速發(fā)展，人們對各種無線通訊工具的要求也越來越高，功率輻射小、作用距離遠、覆蓋范圍大已成為各運營商乃至無線通訊設備制造商的普遍追求，這就對系統(tǒng)的接收靈敏度提出了更高的要求，我們知道，系統(tǒng)接收靈敏度的計算公式如下： S=174+ NF+10 ㏒ BW+S/N 由上式可見，在各種特定（帶寬、解調 S/N 已定）的無線通訊系統(tǒng)中，能有效提高靈敏度的關鍵因素就是降低接收機的噪聲系數 NF，而決定接收機的噪聲系數的關鍵部件就是處于接收機最前端的低噪聲放大器。在工作頻率和信源內阻均給定的情況下，噪聲系數也和晶體管直流工作點有關?，F代的低噪聲放大器大多采用晶體管、場效應晶體管；微波低噪聲放大器則采用變容二極管參量放大器 ，常溫 參放的 噪聲 溫度 Te 可低于幾十度(絕對溫度 )，致冷參量放大器可達 20K 以下，砷化鎵場效應晶體管低噪聲微波放大器的應用已日益廣泛，其噪聲系數可低于 2 分貝。由放大器所引起的信噪比惡 化程度通常用噪聲系數 F 來表示。一般用作各類無線電接收機的高頻或中頻前置放大器，以及高靈敏度電子探測設備的放大電路。 基于 ADS的低噪聲放大器設計與仿真 一、實驗背景和目的 ............................................................................................ 4 低噪聲放大器 ....................................................................................... 4 概念 ............................................................................................ 4 主要功能 .................................................................................... 4 主要應用領域 ............................................................................ 5 低噪聲放大器的研究現狀 ................................................................... 5 本實驗報告的主要研究內容和內容安排 ........................................... 6 二、 低噪聲放大器的原理分析與研究 .............................................................. 7 低噪聲放大器的基本結構 ................................................................... 7 低噪聲放大器的基本指標 .................................................................. 7 噪聲系數 .................................................................................... 8 增益 ............................................................................................ 9 輸入輸出駐波比 ........................................................................ 9 反射系數 .................................................................................... 9 放大器的動態(tài)范圍（ IIP3） ................................................... 10 低噪聲放大器設計設計的基本原則 ................................................. 10 低噪聲放大管的選擇原則 ...................................................... 10 輸入輸出匹配電路的設計原則 .............................................. 10 三、低噪聲放大器的設計 .................................................................................. 14 放大器設計的主要流程 ..................................................................... 14 低噪聲放大管的選擇 ......................................................................... 15 穩(wěn)定性計算 ......................................................................................... 16 輸入輸出匹配電路電路設計 ............................................................. 17 偏置電路 ............................................................................................. 18 電路中需要注意的一些問題 ............................................................. 18 四、設計目標 ...................................................................................................... 20 五、 ADS 軟件仿真設計和結論 ......................................................................... 21 ADS 仿真設計 ..................................................