【正文】 I/O引線， 40引腳 PDIP封裝。 1K字節(jié)的片內 SRAM， 可以對鎖定位進行編程以實現(xiàn)用戶程序的加密。 具有獨立鎖定位的可選 Boot代碼區(qū)，通過片上 Boot程序實現(xiàn)系統(tǒng)內編程。其功能特性如下： (1) 8 位 CPU。本次設計所用到的 Atmega16L 芯片便是 ATmega 系列中的一種，在這里作為充電器的核心部件。同時，由 32 個通用工作寄存器所構成的寄存器組被雙向映射，因此，可以采用讀寫寄存器和讀寫片內快速 SRAM 存儲器兩種方式來訪問 32個通用工作寄存器。 由于 AVR單片機采用了 Harvard 結構，所以它的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器是分開組織和尋址的。在其他的 CISC 以及類似的 RISC 結構的單片機中，外部振蕩器的時鐘被分頻降低到傳統(tǒng)的內部指令執(zhí)行周期，這種分頻最大達 12 倍(8051)。為了對目標代碼大小、性能及功耗進行優(yōu)化， AYR 單片機的結構中采用了大型快速存取寄存器組和快速的單周期指令系統(tǒng)。 為了縮短產(chǎn)品進入市場的時間，簡化系統(tǒng)的維護和支持，對于由單片機組成的嵌入式系統(tǒng)來說，用高級語言編 程已成為一種標準編程方法。 精簡指令集 RISC 結構是 20世紀 90 年代開發(fā)出來的，綜合了半導體案成技術和軟例 性能的新結構。由于 8051 本身結構的先天性不足和近年來各種采用新型結構和新技術的單片機的不斷涌現(xiàn)，現(xiàn)在的 單片機市場是百花齊放。 主要芯片的選擇 ATMEL 公司是世界上有名的生產(chǎn)高性能、低功耗、非易失性存儲器和各種數(shù)字模擬 IC 芯片的半導體制造公司。當充電電流下降到生產(chǎn)商設定的最小電流時就要停止充電。 南京工程學院畢業(yè)設計說明書 (論文 ) 5 鋰電池 (LiIon) 和本文中所述的其他電池相比，鋰電池具有最 高的能量 / 重量比和能量 / 體積比。 NiMH 電池的自放電率大概為 20%/ 月。由于過充電會造成 NiMH 電池的失效，在充電過程中進行精確地測量以在合適的時間停止是非常重要的。 鎳氫電池 (NiMH) 在輕重量的手持設備中如手機、手持攝象機，等等鎳氫電池是使用最廣的。一旦單元電壓下降到 就必須停機。在電池包里第一個被完全放電的單元會發(fā)生反轉。典型的 NiCd 電池可以充電 1000 次。 鎳鎘電池 (NiCd) NiCd 電池目前使用得很普遍。 SLA 電池以恒定電壓進行充電，輔以電流限制以避免在充電過程的初期電池過熱。 現(xiàn)代消費類電器主要使用如下四種電池： ? 密封鉛酸電池 (SLA) ? 鎳鎘電池 (NiCd) ? 鎳氫電池 (NiMH) ? 鋰電池 (LiIon) 在正確選擇電池和充電算法時需要了解這些電池的背景知識。在快速充電時這將使電池快速升溫，若不及時停止充電就會造成電池的損壞。一些電能轉化成了熱能，對電池起了加熱的作用。能量以化學反應的方式保存了下來。若涓流充電時電流為 C/40，則充電電流即為電池容量除以 40。最大充電電流往往以電池容量的數(shù)值來表示。 充電方法 SLA 電池和鋰電池的充電方法為恒定電壓法要限流； NiCd 電池南京工程學院畢業(yè)設計說明書 (論文 ) 4 和 NiMH 電池的充電方法為恒定電流法，且具有幾個不同的停止充電的判斷方法。 常見充電電池特性及其充電方式 電池充電是通過逆向化學反應將能量存儲到化學系統(tǒng)里實現(xiàn)的，由于使用的化學物質的不同，電池的特性也不同，其充電的方式也不大一樣。而其他方案為了達到此目的，可能需要外部的 ADC，不但占用 PCB 空間，也提高了系統(tǒng)成本。 EEPROM 可用于保存標定系數(shù)和電池特性參數(shù)，如保存充電記錄以提高實際使用的電池容量。由于程序存儲器為 Flash，因此可以不用象 MASK ROM一樣，有幾個軟件版本就庫存幾種型號。因此，智能型充電電路通常包括了 恒流／恒壓控制環(huán)路、電池電壓監(jiān)測電路、電池溫度檢測電路、外部顯示電路 (LED 或 LCD 顯示 )等基本單元。 目前，市場上賣得最多的是旅行充電器，但是嚴格從充電電路上分析，只有很少部分充 電器才能真正意義上被稱為智能充電器，隨著越來越多的手持式電器的出現(xiàn)，對高性能、小尺寸、輕重量的電池充電器的需求也越來越大。由于使用的化學物質的不同，電池有自己的特性。目前各種電器使用的充電電池主要有鎳鎘電池（ NiCd）、鎳氫電池（ NiMH）、鋰電池（ LiIon） 和密封鉛酸電池（ SLA）四種類型。 與此同時，對充電電 池的性能和工作壽命的要求也不斷地提高。電池技術的持續(xù)進步也要求更復雜的充電算法以實現(xiàn)快速、安全的充電。 涉密論文按學校規(guī)定處理。 作者簽名： 日期： 年 月 日 學位論文版權使用授權書 本學位論文作者完全了解學校有關保留、使用學位論文的規(guī)定，同意學校保留并向國家有關部門或 機構送交論文的復印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。對本文的研究做出重要貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。 作者簽名： 日 期： 學位論文原創(chuàng)性聲明 本人鄭重聲明：所呈交的論文是本人在導師的指導下獨立進行研究所取得的研究成果。對本研究提供過幫助和做出過貢獻的個人或集體，均已在文中作了明確的說明并表示了謝意。 畢業(yè)設計（論文）原創(chuàng)性聲明和使用授權說明 原創(chuàng)性聲明 本人鄭重承諾：所呈交的畢業(yè)設計（論文），是我個人在指導教師的指導下進行的研究工作及取得的成果。 AVR 是目前唯一的針對像 “ C” 這樣的高級語言而設計的 8 位微處理器。 10位 A/D 轉換器可以提供足夠的測量精度，使得充好后的容量更接近其最大容量。Flash 可以在發(fā)貨之前再進行編程，或是在 PCB貼裝之后再通過 ISP 進行編程，從而允許在最后一分鐘進行軟件更新。 Atmel AVR 微處理器是當前市場上能夠以單片方式提供 Flash、 EEPROM 和 10 位 ADC的最高效的 8 位 RISC 微處理器。因此需要對充電過程進行更精確的監(jiān)控，以縮短充電時間、達到最大的電池容量，并防止電池損壞。前言 隨著越來越多的手持式電器的出現(xiàn)，對高性能、小尺寸、重量輕的電池充電器的需求也越來越大。電池技術的持續(xù)進步也要求更復雜的充電算法以實現(xiàn)快速、安全的充電。 AVR 已經(jīng)在競爭中領先了一步，被證明是下一代充電器的完美控制芯片。由于程序存儲器為 Flash，因此可以不用象 MASK ROM一樣， 有幾個軟件版本就庫存幾種型號。 EEPROM 可用于保存標定系數(shù)和電池特性參數(shù)，如保存充電記錄以提高實際使用的電池容量。而其他方案為了達到此目的，可能需要外部的 ADC，不但占用 PCB 空間，也提高了系統(tǒng)成本。 C 代碼似的設計很容易進行調整以適合當前 和未來的電池，而本次智能型充電器顯示程序的編寫則就是用 C語言寫的。盡我所知，除文中特別加以標注和致謝的地方外，不包含其他人或組織已經(jīng)發(fā)表或公布過的研究成果，也不包含我為獲得 及其它教育機構的學位或學歷而使用過的材料。 作 者 簽 名： 日 期： 指導教師簽名： 日 期： 使用授權說明 本人完全了解 大學關于收集、保存、使用畢業(yè)設計（論文）的規(guī)定，即：按照學校要求提交畢業(yè)設計（論文）的印刷本和電子版本；學校有權保存畢業(yè)設計（論文）的印刷本和電子版，并提供目錄檢索與閱覽服務；學?？梢圆捎糜坝　⒖s印、數(shù)字化或其它復制手段保存論文；在不以贏利為目的前提下，學?？梢怨颊撐牡牟糠只蛉績热荨３宋闹刑貏e加以標注引用的內容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果作品。本人完全意識到本聲明的法律后果由本人承擔。本人授權 大學可以將本學位論文的全部或部分內容編入有關數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存和匯編本學位論文。 作者簽名： 日期： 年 月 日 導師簽名： 日期： 年 月 日 指導教師評閱書 指導教師評價： 一、撰寫（設計）過程 學生在論文（設計）過程中的治學態(tài)度、工作精神 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 學生掌握專業(yè)知識、技能的扎實程度 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 學生綜合運用所學知識和專業(yè)技能分析和解決問題的能力 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 研究方法的科學性；技術線路的可行性；設計方案的合理性 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 完成畢業(yè)論文（設計）期間的出勤情況 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 二、論文（設計）質量 論文（設計）的整體結構是否符合撰寫規(guī)范？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 是否完成指定的論文（設計）任務（包括裝訂及附件）？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 三、論文（設計）水平 論文（設計）的理論意義或對解決實際問題的指導意義 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文的觀念是否有新意？設計是否有創(chuàng)意？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文（設計說明書）所體現(xiàn)的整體水平 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 建議成績： □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 （在所選等級前的□內畫“√”） 指導教師： （簽名） 單位： （蓋章） 年 月 日 評閱教師評閱書 評閱教師評價： 一、論文（設計）質量 論文（設計）的整體結構是否符合 撰寫規(guī)范？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 是否完成指定的論文（設計）任務（包括裝訂及附件）？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 二、論文（設計）水平 論文（設計）的理論意義或對解決實際問題的指導意義 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文的觀念是否有新意？設計是否有創(chuàng)意？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文（設 計說明書）所體現(xiàn)的整體水平 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 建議成績： □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 （在所選等級前的□內畫“√”） 評閱教師： （簽名） 單位： （蓋章） 年 月 日 教研室（或答辯小組）及教學系意見 教研室（或答辯小組）評價： 一、答辯過程 畢業(yè)論文（設計）的基本要點和見解的敘述情況 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 對答辯問題的反應、理解、表達情況 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 學生答辯過程中的精神狀態(tài) □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 二、論文（設計）質量 論文（設計）的整體結構是否符合撰寫規(guī)范？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 是否完成指定的論文（設計）任務（包括裝訂及附件）？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 三、論文（設計）水平 論文（設計）的理論意義或對解決實際問題的指導意義 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文的觀念是否有新意？設計是否有創(chuàng)意？ □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 論文（設計說明書）所體現(xiàn)的整體水平 □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 評定成績： □ 優(yōu) □ 良 □ 中 □ 及格 □ 不及格 （在所選