20xx用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)報(bào)告!!-展示頁(yè)
2025-01-12 05:56本頁(yè)面
【正文】 連接或填充時(shí)，接上電源（設(shè)輸出電壓為VA）后，不良導(dǎo)體中就產(chǎn)生了從電極A均勻輻射狀地流向電極B的電流。
模擬法理由
兩場(chǎng)服從的規(guī)律的數(shù)學(xué)形式相同,如又滿足相同的邊界條件,則電場(chǎng)、電位分布完全相類似，所以可用電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)。再則任何磁電式電表的內(nèi)阻都遠(yuǎn)小于空氣或真空的電阻，若在靜電場(chǎng)中引入電表，勢(shì)必使電場(chǎng)發(fā)生嚴(yán)重畸變；同時(shí)，電表或其它探測(cè)器置于電場(chǎng)中，要引起靜電感應(yīng)，使原場(chǎng)源電荷的分布發(fā)生變化。有了電位U值的分布，由 E???U 便可求出E的大小和方向，整個(gè)電場(chǎng)就算確定了。因此，在電場(chǎng)的計(jì)算或測(cè)試中往往是先研究電位的分布情況，因?yàn)殡娢皇菢?biāo)量。 3．加深對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)概念的理解
【實(shí)驗(yàn)儀器】
雙層靜電場(chǎng)測(cè)試儀、模擬裝置（同軸電纜和電子槍聚焦電極）、JDY型靜電場(chǎng)描繪電源。
篇二：用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)示范報(bào)告
用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)示范報(bào)告
【實(shí)驗(yàn)?zāi)康摹?br />1．懂得模擬實(shí)驗(yàn)法的適用條件。
2．在測(cè)繪長(zhǎng)直同軸圓柱面的電場(chǎng)時(shí)，什么因素會(huì)使等勢(shì)線偏離圓形？
測(cè)繪長(zhǎng)直同軸圓柱面的電場(chǎng)時(shí)測(cè)到的等勢(shì)線偏離圓形，可能的原因有：電極形狀偏離圓形，導(dǎo)電介質(zhì)分布不均勻，測(cè)量時(shí)的偶然誤差等等。
【分析討論題】
1．如果電源電壓增大一倍，等勢(shì)線和電場(chǎng)線的形狀是否發(fā)生變化？電場(chǎng)強(qiáng)度和電勢(shì)分布是否發(fā)生變化？為什么？
如果電源電壓增大一倍，等勢(shì)線和電場(chǎng)線的形狀沒(méi)有發(fā)生變化，但電場(chǎng)強(qiáng)度增強(qiáng)，電勢(shì)的分布更為密集。此處的電場(chǎng)線垂直于邊界，而等勢(shì)線平行于邊界。
2．等勢(shì)線和電場(chǎng)線之間有何關(guān)系？
等勢(shì)線和電場(chǎng)線處處相互垂直。用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)報(bào)告!!篇一：模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)實(shí)驗(yàn)思考題答案
用模擬法測(cè)繪靜電場(chǎng)
【預(yù)習(xí)思考題】
1．用電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)的理論依據(jù)是什么？模擬的條件是什么？
用電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)的理論依據(jù)是：對(duì)穩(wěn)恒場(chǎng)而言，微分方程及邊界條件唯一地決定了場(chǎng)的結(jié)構(gòu)或分布，若兩種場(chǎng)滿足相同的微分方程及邊界條件，則它們的結(jié)構(gòu)也必然相同，靜電場(chǎng)與模擬區(qū)域內(nèi)的穩(wěn)恒電流場(chǎng)具有形式相同的微分方程，只要使他們滿足形式相同的邊界條件，則兩者必定有相同的場(chǎng)結(jié)構(gòu)。此資料由網(wǎng)絡(luò)收集而來(lái)，如有侵權(quán)請(qǐng)告知上傳者立即刪除。資料共分享，我們負(fù)責(zé)傳遞知識(shí)。模擬的條件是：穩(wěn)恒電流場(chǎng)中的電極形狀應(yīng)與被模擬的靜電場(chǎng)中的帶電體幾何形狀相同；穩(wěn)恒電流場(chǎng)中的導(dǎo)電介質(zhì)是不良導(dǎo)體且電導(dǎo)率分布均勻，并滿足σ極σ介以保證電流場(chǎng)中的電極（良導(dǎo)體）的表面也近似是一個(gè)等勢(shì)面；模擬所用電極系統(tǒng)與被模擬電極系統(tǒng)的邊界條件相同。
3．在測(cè)繪電場(chǎng)時(shí)，導(dǎo)電微晶邊界處的電流是如何流動(dòng)的？此處的電場(chǎng)線和等勢(shì)線與邊界有什么關(guān)系？它們對(duì)被測(cè)繪的電場(chǎng)有什么影響？
在測(cè)繪電場(chǎng)時(shí)，導(dǎo)電微晶邊界處的電流為0。這導(dǎo)致被測(cè)繪的電場(chǎng)在近邊界處受邊界形狀影響產(chǎn)生變形，不能表現(xiàn)出電場(chǎng)在無(wú)限空間中的分布
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