20xx年醫(yī)學(xué)專(zhuān)題—led各種專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)解釋-文庫(kù)吧資料
2024-11-19 04:04本頁(yè)面
【正文】 峰值只有一個(gè)相比，白色LED的光譜那么有很大不同。而白熾燈的光譜，其發(fā)光強(qiáng)度廣泛分布于400nm多的藍(lán)色領(lǐng)域至700nm多的近紅外領(lǐng)域，在紫外領(lǐng)域和紅外領(lǐng)域也能觀測(cè)到發(fā)光強(qiáng)度?！綥ED術(shù)語(yǔ)】光譜〔spectrum〕 表示相對(duì)于光的波長(zhǎng)，光的強(qiáng)度的分布。針對(duì)輸入影像對(duì)512個(gè)領(lǐng)域〔1632〕的LED發(fā)光情況分別進(jìn)行控制。通過(guò)根據(jù)液晶面板顯示的影像控制LED的發(fā)光，能夠在確保峰值亮度的同時(shí)，降低較暗局部的亮度。組合使用光傳感器，根據(jù)外光的亮度自動(dòng)調(diào)光的LED照明器具也已經(jīng)面世。 如同利用滑線電阻調(diào)壓器調(diào)節(jié)白熾燈亮度一樣，LED照明也能實(shí)現(xiàn)所希望的亮度，目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了具備調(diào)光功能的產(chǎn)品。LED與白熾燈一樣，比熒光管更容易進(jìn)行微細(xì)調(diào)光。這樣一來(lái)，白色LED的放射面和透鏡的光軸便可輕松結(jié)合在一起，而且一旦結(jié)合在一起，光軸就不會(huì)錯(cuò)位。備有不同形式的高輸出功率白色LED和透鏡，將放射角各異的透鏡與白色LED相結(jié)合。 在照明用途領(lǐng)域，要想接近所期望的光學(xué)設(shè)計(jì)，不但要準(zhǔn)備放射角各異的多種產(chǎn)品，LED廠商還在很多方面下了工夫。在新興市場(chǎng)上，與光學(xué)部件的組合使用，面向產(chǎn)品的安裝方法，產(chǎn)品整體的配光控制等越來(lái)越重要。光學(xué)設(shè)計(jì)將為L(zhǎng)ED增添價(jià)值。另外，LED是點(diǎn)光源，而且具有指向性較強(qiáng)的特點(diǎn)。LED術(shù)語(yǔ)】光學(xué)設(shè)計(jì)〔optical design〕 LED的用途包括指示器、液晶面板背照燈、照明器具以及前照燈等，范圍極廣。Ra超過(guò)90的白色LED那么是出于使發(fā)光光譜的變化更加平滑的目的，而對(duì)藍(lán)色LED組合使用了綠色熒光體和紅色熒光體等。 例如，組合藍(lán)色LED芯片和黃色熒光體得到的疑似白光的普通白色LED，其Ra只有70多。演色性高的光，其光譜接近自然光。演色性與發(fā)光效率具有此消彼長(zhǎng)的關(guān)系，優(yōu)先考慮演色性，發(fā)光效率會(huì)降低20～30％。作為照明用途，普通家庭和辦公室室內(nèi)使用的照明器具的Ra為80以上、走廊等為70以上；美術(shù)館、物品檢驗(yàn)以及店鋪等注重演色性的用途，大多在90以上。一般情況下，多使用平均演色性指數(shù)〔Ra〕來(lái)表示。用于比擬照明器具照射到平面上的明亮程度。單位為lx〔勒克司〕，有時(shí)也標(biāo)記為lm/m2。大多在表示液晶面板和PDP等顯示器畫(huà)面的亮度時(shí)使用。單位為cd/m2。其定義為：發(fā)射5401012Hz〔波長(zhǎng)555nm〕頻率單色光，在指定方向的光線發(fā)射強(qiáng)度為1/683W/sr的光源，在該方向的光強(qiáng)就定義為1cd。單位為cd。此處的sr為立體角的單位，表示從球面向球心截取的面積為半徑〔r〕的2次方〔r[size=+0]2〕的圓錐體的頂角。是參考人眼的靈敏度〔視覺(jué)靈敏度〕來(lái)表示光源放射光亮度的物理量。單位為lm〔流明〕。由于絕緣破壞電場(chǎng)較高，能夠通過(guò)減薄元件降低導(dǎo)通電阻，從而降低導(dǎo)通損失。 最近，GaN作為逆變器及變壓器等電力轉(zhuǎn)換器使用的功率元件也極受期待。而且，由于絕緣破壞電場(chǎng)要比Si和GaAs大，耐壓較高，可施加更高的電壓。另外，采用HEMT〔High Electron Mobility Transistor〕構(gòu)造的GaN類(lèi)半導(dǎo)體元件，其載流子遷移率較高，適合用作高頻元件。藍(lán)色LED和藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器，采用了在GaN中添加In形成的InGaN。通過(guò)混合銦〔In〕和鋁〔Al〕調(diào)整帶隙，所獲得的LED和藍(lán)紫色半導(dǎo)體激光器等發(fā)光元件已經(jīng)實(shí)用化。〔用光的波長(zhǎng)表示相當(dāng)于約365nm〕，比硅〔Si〕要寬3倍。GaN基片還用于局部藍(lán)色LED。而且能降低LED芯片的單價(jià)。 因LED發(fā)光波長(zhǎng)而使用不同基片的原因是為了選擇與LED發(fā)光局部——半導(dǎo)體結(jié)晶的晶格常數(shù)盡量接近的晶格常數(shù)的廉價(jià)基片材料。采用的基片根據(jù)LED的發(fā)光波長(zhǎng)不同而區(qū)分使用。如果用多重量子阱構(gòu)造來(lái)取代pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造，發(fā)光光度和色純度會(huì)進(jìn)一步提高〔發(fā)光光譜的半值幅度變窄〕。p型GaN膜被造出來(lái)之后，采用pn接合型雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)造的藍(lán)色LED得以實(shí)現(xiàn)。采用MIS構(gòu)造的藍(lán)色LED在還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)p型GaN膜時(shí)，就被廣泛開(kāi)發(fā)并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)品化。 藍(lán)色LED等是通過(guò)改進(jìn)量子阱構(gòu)造等GaN類(lèi)結(jié)晶層的構(gòu)造取得進(jìn)展的。在LED和半導(dǎo)體激光器中，量子阱構(gòu)造用于放射光的活性層?！綥ED術(shù)語(yǔ)】量子阱〔quantum well〕 利用帶隙較寬的層夾住帶隙窄且極薄的層形成的構(gòu)造。MOCVD采用有機(jī)金屬氣體等作為原料。包括在基片上與氣體發(fā)生反響以積累結(jié)晶層的VPE〔氣相生長(zhǎng)〕法、以及與溶液相互接觸以生長(zhǎng)結(jié)晶相的LPE〔液相生長(zhǎng)〕法等?！綥ED術(shù)語(yǔ)】外延生長(zhǎng)〔epitaxial growth〕 在基片上生長(zhǎng)結(jié)晶軸相互一致的結(jié)晶層的技術(shù)。這種速度的實(shí)現(xiàn)，借助了將原來(lái)聚集于成膜技術(shù)的芯片技術(shù)改進(jìn)擴(kuò)展至了整個(gè)LED制造工藝那樣的重大調(diào)整。 從2004年開(kāi)始，發(fā)光效率以
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