ltps制程與技術(shù)發(fā)展(ppt59頁)-文庫吧資料
2024-10-24 21:00本頁面
【正文】 源：工研院電子所,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(2),光罩製作工程： 使用電子束描繪裝置(Electron Beam Lithography System)製作出主光罩(Master Mask) 再利用微影技術(shù)(Lithography)複製工程用光罩網(wǎng)版,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(3),透明玻璃基板加工工程： 一定尺寸規(guī)格要求所做的切割加工 表面精密度和平坦度的要求所進(jìn)行的研磨加工,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(4),洗淨(jìng)工程：分為 陣列工程前 液晶胞工程前 液晶胞工程後等三大類,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(5),矽薄膜形成工程： 在玻璃或石英玻璃上，TFT電路通道(Channel)部分的形成方法，是使用濺鍍(Sputtering)裝置和低壓化學(xué)氣相沉積(Low Pressure Chemical Vapor Deposition，LPCVD)裝置，將αSi薄膜堆積於上 再利用結(jié)晶化退火技術(shù)的加熱爐退火法或雷射光雷射退火，將其多結(jié)晶化處理,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(6),微影曝光工程： 利用輥輪被覆式(Roll Coater)或旋轉(zhuǎn)被覆式(Spin Coater) 塗佈光阻劑於光罩基板(Mask Blank)後作烘焙處理(Baking) 將光罩基板上的膜面圖案予以曝光微影和顯影處理，形成所需要的圖案,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(7),蝕刻工程： 在CF和TFT基板上，形成之金屬膜、絕緣膜和半導(dǎo)體膜等過程中作為光罩圖案 所使用的光阻劑必須利用乾式(Dry)或濕式(Wet)蝕刻裝置進(jìn)行加工處理，再利用濕式剝離裝置(WetType Resist Stripping System)將所剩之光阻劑，予以剝離處理並進(jìn)行圖案的檢驗(yàn)工作,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(8),閘極形成工程： PolySi TFT元件之閘極部分的形成工程 在PolySi薄膜上利用 CVD或熱氧化法(Heat Oxidation)，將絕緣性SiO2薄膜形成於上，再利用CVD將閘電極功能的PolySi薄膜堆積其上,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(9),雷射退火結(jié)晶化技術(shù)： 低溫PolySi結(jié)晶化的技術(shù)主要是準(zhǔn)分子雷射退火法(ELA),資料來源：工研院電子所,資料來源：工研院電子所,資料來源：工研院電子所,標(biāo)準(zhǔn)化製作過程(10),摻雜工程： 為了PolySi薄膜之源極和汲極層的低電阻化，及使關(guān)閉(Off)電壓值提高，導(dǎo)入高濃度不純物的工程 方法： 先利用離子植入裝置、雷射摻雜裝置和電漿摻雜裝置 再將不純物的原子導(dǎo)入，再利用熱或雷射能量將不純物原子予以活性化。,陣列電路製程(4),與αSi TFT製程相比較，大部分的步驟是相類似的 PolySi TFT的特徵，有 低溫雷射退火的結(jié)晶化技術(shù)(Laser Annealing Crystallization) 低溫?fù)诫s汲極技術(shù)(Lightly Doping Drain，LDD) 氫化處理技術(shù)
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