【正文】 生中斷，包括報文周期插入 周期。 （ 3） 數(shù)據(jù)輸入由時鐘的上升沿驅(qū)動，數(shù)據(jù)輸出由時鐘的下降沿驅(qū)動。 （ 1） 所有串行數(shù)據(jù)傳送都是由 /SS 引腳上的下降沿開始。20mA）：（ ）～ （ 5） 結(jié)溫： +150℃ （ 6） 存儲溫度范圍（ Tstg）： 65～ +150℃ （ 7） 引腳焊接溫度（ 10s）： +300℃ 4. 串行外圍接口 SPI ISD4004 的串行操作是通過 SPI 串行接口實現(xiàn)的， SPI 串行接口協(xié)議如下： 數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議設(shè)定微控制器 SPI的移位寄存器是有串行時鐘 SCLK的下降沿驅(qū)動。 3. 極限參數(shù) （ 1） 支流電源電壓范圍（ Vcc～ Vss）： ～ + （ 2） 輸入電壓范圍（所有引腳）：（ ）～ （ Vcc+） （ 3） 輸入電壓范圍（所有引腳，輸入電流不超過177。 1mF 的電容也影響自動靜噪電路對信號幅度的響應(yīng)速度。檢出的峰值電平與內(nèi)部設(shè)定的閾值作比較 ,決定自動靜噪功能的翻轉(zhuǎn)點。 自動 靜噪 (AMCAP)： 當錄音信號電平下降到內(nèi)部設(shè)定的某一閾值以下時 ,自 動靜噪功能使信號衰弱 ,這樣有助于養(yǎng)活無信號 (靜音 )時的噪聲。輸入時鐘的占空比無關(guān)緊要 ,因內(nèi)部首先進行了分頻。若要求更高精度 ,可從本端輸入外部時鐘 (如前表所列 )。商業(yè)級芯片在整個溫度和電壓范圍內(nèi) , 頻率變化在 +%內(nèi)。 外部時鐘 (XCLK)： 本端內(nèi)部有下拉元件?？爝M模式下 ， RAC 的 是高電平 ， 為低電平。每個 RAC 周期表示 ISD 存儲器的操作進行了一行 (ISD4004 系列中的存貯器共 2400 行 )。 EOM 標志 只在放音中檢測到內(nèi)部的 EOM 標志時 ,此狀態(tài)位才置 1。中斷狀態(tài)也可用 RINT 指令讀取。 ISD 在任何操作 (包括快進 )中檢測到 EOM或 OVF 時 ,本端變低并保持。數(shù)據(jù)在 SCLK 上升沿鎖存到 ISD,在下降沿移出 ISD。 ISD 未選中時 ,本端呈高阻態(tài)。 串行輸入 (MOSI)： 此端為串行輸入端，主控制器應(yīng)在串行時鐘上升沿之前半個周期將數(shù)據(jù)放到本端 ,供 ISD 輸入。信號通過耦合電容 輸入 ,最大幅度為峰峰值 16mV 音頻輸出 (AUD OUT)： 提供音頻輸出 ,可驅(qū)動 5KΩ 的負載。差分驅(qū)動時 ,信號最大幅度為峰峰值 16mV，為 ISD33000 系列相同。輸入放大器可用單端或差分驅(qū)動。 地線 (VSSA,VSSD)： 芯片內(nèi)部的模擬和數(shù)字電路也使用不同的地線。錄音數(shù)據(jù)被存放方法是通過 ISD 的多級存儲專利技術(shù) 實現(xiàn)的，用聲音和聲頻信號的自然形式直接存放在故態(tài)存儲器中，從而提供高質(zhì)量回放語音的保真度。片內(nèi)集成有振蕩器、抗混疊濾波器、平滑濾波器、自動靜音電路、音頻放大器和高密度多級 Flash 存儲陣列。 I N T 04. 7k18 04N 2512342+ 5V+ 5VD N 684 81 3VD D VOU T 圖 3－ 12 脈沖檢測電路 語音輸出電路 的設(shè)計 關(guān)于語音芯片 語音芯片 ISD4004： ISD4000 系列單片聲音錄放器件是用 CMOS 工藝實現(xiàn)的高語音質(zhì)量、 3V工作電壓的集成電路芯片，特別適用于移動電話和各種便攜式產(chǎn)品。 X ① ② ③ +5V R 脈沖檢測電路的設(shè)計 本設(shè)計的關(guān)鍵是對轉(zhuǎn)軸所轉(zhuǎn)過的圈數(shù)進行計數(shù)，考慮到車輛將在復雜的環(huán)境中運行，而霍爾元件具有耐震動，不怕灰塵、油污、水汽及鹽霧等的污染或腐蝕的優(yōu)點，故采用可靠的霍爾元件 DN6848 作為信號采集裝置，再經(jīng)過光電耦合器4N25 輸入給單片機。 光電耦合器的工作過程： 光敏三極管的導通與截止，是由發(fā)光二極管所加正向電壓控制的。 無觸點且輸入與輸出在電氣上完全隔離等特點，因而在各種電子設(shè)備上得到廣泛的應(yīng)用 。速度高、價格低、接口簡單。若在 Io 為 20mA（霍爾電路輸出管允許吸入的最大電流），發(fā)光二極管的正向壓降VLED=，電源電壓 VCC=5V，所需的負載電阻器 的阻值 05 1 .4 1800 .0 2CC L E DVV VVR IA? ?? ? ? ? （ ） 圖 3－ 11 霍爾開關(guān)與發(fā)光二極管 光電耦合器簡介 光電耦合器是一種電信號的耦合器件，它一般是將發(fā)光二極管和光敏三極管的光路耦合在一起，輸入電信號加于發(fā)光二極管上，輸出信號由光敏三極管取出。輸出電流較大時， 管子的飽和壓降也會隨之增大，使用者應(yīng)當特別注意，僅這個電壓和你要控制的電路的截止電壓（或邏輯“零”）是兼容的。輸出管導通時，它的輸出端和線路的公共端短路。 霍爾開關(guān)電路的輸出級一般是一個集電極開路的 NPN 晶體管，其使用規(guī)則和任何一種相似的 NPN 開關(guān)管相同。 因為霍爾器件需要工作電源，在作運動或位置傳感時，一般令磁體隨被檢測物體運動，將霍爾器件固定在工作系統(tǒng)的適當位置，用它去檢測工作磁場，再從檢測結(jié)果中提取被檢信息。在計算總有效工作氣隙時，應(yīng)從霍爾片表面算起。在空氣隙中，磁感應(yīng)強度會隨距離增加而迅速下降。 工作磁體的設(shè)置： 用磁場作為被傳感物體的運動和位置信息載體時，一般采用永久磁鋼來產(chǎn)生工作磁場。 按照被檢測的對象的性質(zhì)，可將它們的應(yīng)用分為直接應(yīng)用和間接應(yīng)用。 按照霍爾器件的功能，可將它們分為霍爾線性器件和霍爾開關(guān)器件。 霍爾線性器件的精度高、線性度好；霍爾開關(guān)器件無觸點、無磨損、輸出波形清晰、無抖動、無回跳、位置重復精度高（可達 um 級）。霍爾器件以霍爾效應(yīng)為其工作基礎(chǔ)。 1278050 . 3 3 u F30 . 1 u F24V++ 5 V+ 圖 3－ 10 電壓變換電路 脈沖檢測電路的設(shè)計 霍爾器件簡介 霍爾器件的分類： 霍爾器件是一種磁傳感器。根據(jù)輸出電流值的不同，選用不同系列的芯片，當電流小于 100mA 時，可以選用 78L00 系列；當電流在 以內(nèi)時，可選用 78M00 系列；當電流在 以內(nèi)，應(yīng)選用 7800 系列的芯片。 78xx 系列集成穩(wěn)壓器是常用的固定正輸出電壓的集成穩(wěn)壓器，輸出電壓有 5V、 6V、 9V、 12V、 15V、 18V、 24V 等規(guī)格，最大輸出電流為 。常用的集成穩(wěn) 壓器有：金屬圓形封裝、金屬菱形封裝、塑料封裝、帶散熱板塑封、扁平式封裝、雙列直插式封裝等。 集成穩(wěn)壓器是指將不穩(wěn)定的直流電壓變?yōu)榉€(wěn)定的直流電壓的集成電路。設(shè)計中采用了三端固定正電壓集成穩(wěn)壓器7805，來得到 +5V 穩(wěn)定電壓。 表 3－ 1 各特殊功能寄存器的復位值 專用寄存器 復位值 專用寄存器 復位值 PC 0000H TCON 00H ACC 00H B 00H PSW 00H SP 07H DPTR 0000H P0P3 FFH IP 00000B IE 0 00000B TMOD 00H TH0 00H TL0 00H TH1 00H TL1 00H SCON 00H SBUF 不定 PCON（ CHMOS） 0 0000B 在本設(shè)計中復位電路采用的是上電復位，即如圖 3－ 9 所示。 Vcc AT89C51 RST GND 10uF + Vcc 圖 3－ 9 上電復位電路 復位后寄存器的狀態(tài)： 當系統(tǒng)復位時，內(nèi)部寄存器的狀態(tài)如表 3－ 1 所列，即在 SFRS 中，除了端口鎖存器、堆棧指針 SP 和串行口的 SBUF 外，其余的寄存器全部清 0，端口鎖存器的復位值為 0FFH，堆棧指針值為 07H， SBUF 內(nèi)為不定值。另外，在復位期間，端口引腳處于隨機狀態(tài)，復位后，系統(tǒng)將端口置為全“ 1”態(tài)。 上電時， Vcc 的上升時間約為 10ms，而振蕩器的起振時間取決于振蕩頻率，如晶振頻率為 10MHz，起振時間為 1ms；晶振頻率為 1MHz，起振時間則為 10ms。對于 CMOS 型單片機，由于在 RST 端內(nèi)部有一個下拉 電阻，故可將外部電阻去掉，而將外接電容減至 1uF。手動復位的電路如圖 3－ 8 所示。當人為按下按鈕時，則 VCC 的 +5V 電平就會直接加到 RST 端。 圖 3－ 7 內(nèi)部復位定時時序 手 動復位 ： 手動復位需要人為在復位輸入端 RST 上加入高電平。在 RST 端電壓變低后，經(jīng)過 12 個機器周期后退出復位狀態(tài)，重新啟動時鐘，并恢復 ALE 和 /PSEN 的狀態(tài)。復位時序如圖 3－ 7 所示，因外部的復位信號是與內(nèi)部時鐘異步的，所以在每個機器周期的 S5P2 都對 RST 引腳上的狀態(tài)采樣。 89 系列單片機的復XTAL1 XTAL2 89 系列單片機 GND 內(nèi)部定時 VCC /PD Rf 石英晶體或 陶瓷振蕩器 C1 C2 600 500 400 300 200 100 0 4 8 12 16 位信號是從 RST 引腳輸入到芯片內(nèi)的施密特觸發(fā)器中的。 圖 3－ 6 ESR 與頻率的關(guān)系曲線 在本設(shè)計中，采用的是內(nèi)部方式，即如圖 3－ 5 所示，在 XTAL1 和 XTAL2引腳上外接一個 12MHZ 的晶振及兩個 47pF 的電容組成。 CL（負載電容）： 30pF+3pF。 圖 3－ 3 AT89C51 單片機內(nèi)部振蕩器電路 圖 3－ 4 外部時鐘接法 XTAL2 XTAL1 GND NC CMOS 門 外部振蕩信號 XTAL2 XTAL1 內(nèi)部定時 /PD 400? D1 D2 Q1 Rf Q2 VCC Q3 Q4 圖 3－ 5 片內(nèi)振蕩器等效電路 通常，在單片機中對所使用的振蕩晶體的參數(shù)要求如下： ESR（等效串聯(lián)電阻）：根據(jù)所需頻率按圖 3－ 6 選取。 有時，在某些應(yīng)用場合，為了降低成本， 晶體振蕩器可用陶瓷振蕩器代替。在圖中給出了外接元件，即外接晶體及電容 C1， C2，并組成并聯(lián)諧振電路。在組成一個單片機應(yīng)用系統(tǒng)時，多數(shù)采用圖 3－ 5 所示的方法，這種方式的結(jié)構(gòu)緊湊，成本低廉，可靠性高?？梢岳盟鼉?nèi)部的振蕩器產(chǎn)生時鐘，只要在 XTAL1 和 XTAL2 引腳上外接一個晶體及電容組成的并聯(lián)諧振電路，便構(gòu) 成一個完整的振蕩信號發(fā)生器，如圖 3－ 5 示，此方法稱為內(nèi)部方式。 振蕩器電路的設(shè)計 89 系列單片機的內(nèi)部振蕩器電路如圖 3－ 3 所示，由一個單級反相器組成。 XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時鐘工作電路的輸入。注意加密方式 1 時， /EA 將內(nèi)部鎖定為 RESET；當/EA 端保持高電平時，此間內(nèi)部程序存儲器。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲器時，這兩次有效的 /PSEN 信號將不出現(xiàn)。 /PSEN：外部程序存儲器的選通信號。另外，該引腳被略微拉高。如想禁止 ALE 的輸出可在 SFR8EH 地址上置 0。因此它可用作對外部輸出的脈沖或用于定時目的。在 FLASH 編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。當振蕩器復位器件時，要保持 RST 腳兩個機器周期的高電平時間。 P3 口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口，如下表所示： 備選功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷 0） /INT1（外部中斷 1） T0（記時器 0 外部輸入） T1（記時器 1 外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲器讀選通） P3 口同時為閃爍編程和編程校驗接收一些控制信號。當 P3 口寫入 “1” 后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。P2 口在 FLASH 編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號 。 P2 口當用于外部程序存儲器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進行存取時， P2 口輸出地址的高八位。并因此作為輸入時， P2 口的管腳被外部拉低，將輸出電流。 P1 口管腳寫入 1 后，被內(nèi)部上拉為高，可用作輸入， P1口被外部下拉為低電平時，將輸出電流，這是 由于內(nèi)部上拉的緣故。在 FIASH 編程時， P0 口作為原碼輸入口，當 FIASH 進行校驗時， P0 輸出原碼，此時 P0 外部必須被拉高。當 P1 口的管腳第一次寫 1 時，被定義為高阻輸入。 VSS：接地。 引腳功能說明： AT89C51 引腳圖如圖 3－ 2 所示。在空閑方式中， CPU 停止工作，而 RAM、定時器 /計數(shù)器、串行口和中斷系統(tǒng)都繼續(xù)工作。在 AT