【正文】 —— 7V 輸入電壓 —————————— 工作環(huán)境溫度 ———————— 0— 70℃ 貯存溫度 —————————— 60— 150℃ 8 8led顯示模塊 8X8 點(diǎn)陣 LED 工作 原理說明 圖 22 8 8點(diǎn)陣 模塊 Fig. 22 88 dot matrix module 從圖 27中可以看出， 8X8 點(diǎn)陣共需要 64 個(gè)發(fā)光二極管組成，且每個(gè)發(fā)光二極管是放置在行線和列線的交叉點(diǎn)上，當(dāng)對(duì)應(yīng)的某一列置 1電平，某一行置 0電平，則相應(yīng)的二極管就亮；因此要實(shí)現(xiàn)一根柱形的亮法，對(duì)應(yīng)的一列為一根豎焦作大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) 2 硬件電路組成設(shè)計(jì) 12 柱，或者對(duì)應(yīng)的一行為一根橫柱，因此實(shí)現(xiàn)柱的亮的方法如下所述： 一根豎柱：對(duì)應(yīng)的列置 1，而行則采用掃描的方法來實(shí)現(xiàn)。有余輸入至內(nèi)部時(shí)鐘信號(hào)要通過一個(gè)二分頻觸發(fā)器，因此對(duì)外部時(shí)鐘信號(hào)的脈寬無任何要求，但必須保證脈沖的高低電平要求的寬度。石晶振蕩和陶瓷振蕩均可采用。 [5] 振蕩器特性： XTAL1 和 XTAL2 分別為反向放 大器的輸入和輸出。 XTAL1：反向振蕩放大器的輸入及內(nèi)部時(shí)鐘工作電路的輸入。注意加密方式 1 時(shí)， /EA 將內(nèi)部鎖定為 RESET；當(dāng)/EA 端保持高電平時(shí)，此間內(nèi)部程序存儲(chǔ)器。但在訪問外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器時(shí)，這兩次有效的 /PSEN 信號(hào)將不出現(xiàn)。 /PSEN：外部程序存儲(chǔ)器的選通信號(hào)。另外，該引腳被略微拉高。如想禁止 ALE 的輸出可在 SFR8EH 地址上置 0。因此它可用作對(duì)外部輸出的脈沖或用于定時(shí)目的。在 FLASH 編程期間，此引腳用于輸入編程脈沖。 焦作大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) 2 硬件電路組成設(shè)計(jì) 10 當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時(shí)，要保持 RST 腳兩個(gè)機(jī)器周期的高電平時(shí)間。 P3 口也可作為 AT89C51 的一些特殊功能口，如下 表 所示： 表 P3引腳功能 Table P3 pin function 口管腳 備選功能 RXD（串行輸入口） TXD（串行輸出口） /INT0（外部中斷 0） /INT1（外部中斷 1） T0（記時(shí)器 0外部輸入） T1（記時(shí)器 1外部輸入） /WR（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器寫選通） /RD（外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器讀選通） P3 口同時(shí)為閃爍編程和編程校驗(yàn)接收一些控制信號(hào)。當(dāng) P3 口寫入 “1” 后，它們被內(nèi)部上拉為高電平，并用作輸入。P2口在 FLASH 編程和校驗(yàn)時(shí)接收高八位地址信號(hào)和控制信號(hào)。 P2口當(dāng)用于外部程序存儲(chǔ)器或 16 位地址外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行存取時(shí)， P2口輸出地址的高八位。并因此作為輸入時(shí)， P2 口的管腳被外部拉低，將輸出電流。在 FLASH編程和校驗(yàn)時(shí)， P1 口作為第八位地址接收。 P1 口： P1 口是一個(gè)內(nèi)部提供上拉電阻的 8 位雙向 I/O 口， P1 口緩沖器能接收輸出 4TTL 門電流。 P0 能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器，它可以被定義為數(shù)據(jù) /地址的第八位。 P0 口： P0 口為一個(gè) 8位漏級(jí)開路雙向 I/O 口，每腳可吸收 8TTL 門電流。 主要特性： 與 MCS51 兼容 4K字節(jié)可編程閃爍存儲(chǔ)器 壽命： 1000 寫 /擦循環(huán) 數(shù)據(jù)保留時(shí)間： 10 年 全靜態(tài)工 作： 0Hz24Hz 三級(jí)程序存儲(chǔ)器鎖定 128*8 位內(nèi)部 RAM 32可編程 I/O 線 兩個(gè) 16 位定時(shí)器 /計(jì)數(shù)器 5個(gè)中斷源 可編程串行通道 低功耗的閑置和掉電模式 片內(nèi)振蕩器和時(shí)鐘電路 管腳說明 ： VCC：供電電壓 。該器件采 用 ATMEL 高密度非易失存儲(chǔ)器制造技術(shù)制造，與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MCS51 指令集和輸出管腳相兼容。 焦作大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) 2 硬件電路組成設(shè)計(jì) 8 各 硬件的原理 介紹 本設(shè)計(jì)主要要用到單片機(jī) AT89C52， ， 74LS138 3線至 8 線譯碼器 ， 8 8led顯示模塊，現(xiàn)在對(duì)各個(gè)硬件進(jìn)行介紹。 圖 21 硬件電路圖 Hardware circuit 行信號(hào)的處理是由 三八 譯碼器 74LS138 來完成譯碼 。 它的發(fā)展已經(jīng)和我們的生活密不可分， 所以，學(xué)習(xí)單片機(jī)在我國是有著廣闊前景的 ，我們應(yīng)該了解并熟練并掌握這技術(shù)，為以后的學(xué)習(xí)和工作打好基礎(chǔ)。 小結(jié) 本章 著重介紹了本設(shè)計(jì)的核心內(nèi)容單片機(jī)的簡(jiǎn)史，發(fā)展歷程及現(xiàn)實(shí)應(yīng)用等方面的內(nèi)容，對(duì)我們學(xué)習(xí)和應(yīng)用單片機(jī)技術(shù)有很大的幫助。 LED 因其體積小，耗電量低，高亮度及環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于公共場(chǎng)所的大屏顯示上， LED 點(diǎn)陣大屏可應(yīng)用于戶外廣告，交通導(dǎo)航，大廳公告，比賽的多媒體實(shí)時(shí)顯示等領(lǐng)域。 而隨處可見的各大商場(chǎng) 、 車站 、 機(jī)場(chǎng) 、 銀行等使用的各種廣告牌顯示屏等更是與單片機(jī)密不可分。單片機(jī)的高可靠性和強(qiáng)抗干擾能力，使它可以置于惡劣環(huán)境的前端工 作。多機(jī)系統(tǒng)一般由若干臺(tái)功能各異的單 片機(jī)組成，各自完成特定的任務(wù)，它們通過串行通信相互聯(lián)系、協(xié)調(diào)工作。單片機(jī)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理能力和控制功能，可使系統(tǒng)保持在最佳工作狀態(tài)，提高系統(tǒng)的工作效率和產(chǎn)品質(zhì)量。 單片機(jī)在實(shí)時(shí)控制中的應(yīng)用 單片機(jī)廣泛地用于各種實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中。機(jī)電一體化產(chǎn)品是指集成機(jī)械技術(shù)、微電子技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)于一體，具有智能化特征的機(jī)電產(chǎn)品，例如微機(jī)控制的車床、鉆床等。它的應(yīng)用遍及各個(gè)領(lǐng)域，主要表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面： 單片機(jī)在智能儀表中的應(yīng)用 單片機(jī)廣泛地 用于各種儀器儀表，使儀器儀表智能化，并可以提高測(cè)量的自動(dòng)化程度和精度，簡(jiǎn)化儀器儀表的硬件結(jié)構(gòu)，提高其性能價(jià)格比。就其組成和功能而言，一塊單片機(jī)芯片就是一臺(tái)計(jì)算機(jī)。專家認(rèn)為，雖然世界上的 MCU 品種繁多，功能各異，開發(fā)裝置也互不兼容，但是客觀發(fā)展表明， 80C51 可能最終形成事實(shí)上的標(biāo)準(zhǔn) MCU 芯片。這樣， 80C51 就變成有眾多制造廠商支持的、發(fā)展出上百品種的大家族，現(xiàn)統(tǒng)稱為 80C51 系列。 隨著半導(dǎo)體集成工藝 的不斷發(fā)展，單片機(jī)的集成度將更高、體積將更小、功能將列強(qiáng)。隨著低價(jià)位 OTP（ One Time Programble）及各種類型片內(nèi)程序存儲(chǔ)器的發(fā)展，加之處圍接口不斷進(jìn)入片內(nèi)，推動(dòng)了單片機(jī) “ 單片 ” 應(yīng)用結(jié)構(gòu)的發(fā)展。除了一般必須具有的 CPU、 ROM、 RAM、定 時(shí)器 /計(jì)數(shù)器等以外，片內(nèi)集成的部件還有模 /數(shù)轉(zhuǎn)換器、 DMA 控制器、聲音發(fā)生器、監(jiān)視定時(shí)器、液晶顯示驅(qū)動(dòng)器、彩色電視機(jī)和錄像機(jī)用的鎖相電路等。 外圍電路內(nèi)裝化 這也是單片機(jī)發(fā)展的主要方向。 小容量、低價(jià)格化 與上述相反，以 4 位、 8 位機(jī)為中心的小容量、低價(jià)格化也是發(fā)展動(dòng)向之一。這類單片機(jī)的運(yùn)算速度比標(biāo)準(zhǔn)的單片機(jī)高出 10倍以上。采用精簡(jiǎn)指令集（ RISC）結(jié)構(gòu)和流水線技術(shù)，可以大幅度提高運(yùn)行速度。目前，焦作大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) 1 引言 4 單片機(jī)內(nèi) ROM 最大可達(dá) 64KB， RAM 最大為 2KB。但在需要復(fù)雜控制的場(chǎng)合，該存儲(chǔ)容量是不夠的，必須進(jìn)行外接擴(kuò)充。 低噪聲與高可靠性 為提高單片機(jī)的抗電磁干擾能力，使產(chǎn)品能適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境，滿足電磁兼容性方面更高標(biāo)準(zhǔn)的要求，各單片廠家在單片機(jī)內(nèi)部電路中都采用了新的技術(shù)措施。低電壓供電的單片機(jī)電源下限已可達(dá) 1~2V。 低電壓化 幾乎所有的單片機(jī)都有WAIT、 STOP 等省電運(yùn)行方式。 低功耗化 單片機(jī)的功耗已從 Ma 級(jí)，甚至 1uA 以下；使用電壓在 3~6V之間，完全適應(yīng)電池工作。目前生產(chǎn)的 CHMOS 電路已達(dá)到 LSTTL 的速度，傳輸延遲時(shí)間小于2ns，它的綜合優(yōu)勢(shì)已在于 TTL 電路。隨著技術(shù)和工藝水平的提高，又出現(xiàn)了 HMOS（高密度、高速度 MOS）和 CHMOS 工藝。 CMOS 電路的特點(diǎn)是低功耗、高密度、低速度、低價(jià)格。這也是今后以 80C51 取 代 8051 為標(biāo)準(zhǔn) MCU 芯片的原因。 CMOS 化 近年，由于 CHMOS 技術(shù)的進(jìn)小，大大地促進(jìn)了單片機(jī)的 CMOS 化。 [2] 單片機(jī)的發(fā)展趨勢(shì) 目前，單片機(jī)正朝著高性能和多品種方向發(fā)展趨勢(shì)將是進(jìn)一步向著 CMOS 化、低功耗、小體積、大容量、高性能、低價(jià)格和外圍電路內(nèi)裝化等幾個(gè)方面發(fā)展。 第四階段（ 1990— ）： 微控制器的全面發(fā)展階段。 Intel 公司推出的 MCS – 96 系列單片機(jī)，將一些用于測(cè)控系統(tǒng)的模數(shù)轉(zhuǎn)換器、程序運(yùn)行監(jiān)視器、脈寬調(diào)制器等納入片中，體現(xiàn)了單片機(jī)的微控制焦作大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì) 1 引言 3 器特征。 ④ 指令系統(tǒng)趨于豐富和完善，并且增加了許多突出控制功能的指令。 ② CPU 外圍功能單元的集中管理模式。 ① 完善的外部總線。 Intel 公司在 MCS – 48 基礎(chǔ)上推出了完善的、典型的單片機(jī)系列 MCS – 51。這就是 SCM 的誕生年代， “ 單機(jī)片 ” 一詞即由此而來。 以 Intel 公司的 MCS – 48 為代表。自單片機(jī)誕生至今，已發(fā)展為上百種系列的近千個(gè)機(jī)種。 所以，學(xué)習(xí)單片機(jī)在我國是有著廣闊前景的 。據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國的單片機(jī)年容量已達(dá) 1—— 3 億片，且每年以大約 16%的速度增長，但相對(duì)于世界市場(chǎng)我國的占有率還不到 1%。這樣產(chǎn)品的體積