4可控硅的工作原理-文庫吧資料
2025-08-14 09:56本頁面
【正文】 向電壓時可控硅可以導(dǎo)通，且撤去控制極電流后仍能維持導(dǎo) 第 11 頁 共 17 頁 通。方法是將負(fù)表筆試接某一電極，正表筆依次碰觸另外兩個電極，假如有一次阻值很?。s幾百歐姆），另一次阻值很大（約幾千歐姆），說明負(fù)表筆接的正是控制極（ g）。從可控硅的結(jié)構(gòu)圖上可以看出，陰極與控制極之間有一個 pn 結(jié)，而陽極與控制極之間有兩個反向串聯(lián)的 pn結(jié)。 四、用萬用表檢查可控硅的好壞 小功率可控硅的電極從外形上可以差別，一般陽極為外殼，陰極線比控制極引線長，如圖 329 所示。它是利用人體電容和電阻與電路上電容 c1，并聯(lián)促使氖管 n 導(dǎo)通點 第 10 頁 共 17 頁 燃，從而在電阻 r1 上產(chǎn)生可控硅的觸發(fā)信號，使可控硅導(dǎo)通，點著串于可控硅電路里的燈泡。電容 c 的充電速度與 r w 及 c 的乘積有關(guān)，所以調(diào)節(jié) w之值，即能改變電容 c 充電到 u，值的時 間 .也就可以改變可控硅的導(dǎo)通時間，從而改變了負(fù)載上電壓的大小。待下一個正半周到來時，電容 c又充電，重復(fù)上述過程。上產(chǎn)生一個尖脈沖，成為觸發(fā)可控硅（ scr）極的觸發(fā)信號，從而導(dǎo)致可控硅導(dǎo)通。整流后脈動電壓的正半周通過 r w 向電 容 c充電，當(dāng)充電電壓達(dá)到雙基極管峰點電壓 up時， bg 由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，電容 c 通過b1e 結(jié)及 r。 bg 雙基極管構(gòu)成可控硅的同步觸發(fā)電路（是一個張弛振蕩器）。 可控硅的用途很廣泛，下面僅舉兩例來說明可控硅電路的工作過程。這是一種新型可控硅，它利 第 9 頁 共 17 頁 用正的控制極脈沖可觸發(fā)導(dǎo)通，而用負(fù)的控制極脈沖可以關(guān)斷陽極電流，恢復(fù)阻斷狀態(tài)。主要用于直流供電車輛（如無軌電 車）的調(diào)速。它主要用于交流控制電路，如溫度控制、燈光調(diào)節(jié)及直流電極調(diào)速和 換向電路等。 ② 雙向可控硅。 三、多種用途的可控硅 根據(jù)結(jié)構(gòu)及用途的不同，可控硅已有很多不同的類型，除上述介紹的整流用普通可控硅之外還有； ① 快速可控硅。普通小功率可控硅參數(shù)見表 3lo。 （ ig） 陽極與陰極之間加直流 6v 電壓時，使可控硅完全導(dǎo)通所必需的最小控制極直流電流。 （ uf） 在規(guī)定的條件下，器件通以額定正向平均電流時，在陽極與陰極之間電壓降的平均值。此電壓規(guī)定為最高反向測試電壓值的 80％。此電壓規(guī)定為正向轉(zhuǎn)折電壓值的 80％。利用這種特性可用于整流、開關(guān)、變頻、交直流變換、電機(jī)調(diào)速、調(diào)溫、調(diào)光及其它自動控制電路中。 可控硅的重要特點是。只有反 第 7 頁 共 17 頁 向電壓達(dá)到擊穿電壓時，電流才突然增大，若不加限制器件就會燒毀。 曲線 Ⅲ 為反向阻斷特性?？煽毓鑼?dǎo)通后內(nèi)阻很小，管子本身壓降很低，外加電壓幾乎全部降在外電路負(fù)載上，并流過比較大的負(fù)載電流，特性曲線與二極管正向?qū)ㄌ匦韵嗨啤．?dāng)控制極電流大到一定程度時，就不再出現(xiàn)正向阻斷狀態(tài)了。 圖中曲線 i為正向阻斷特性。就是說，導(dǎo)通后撤去柵極電壓可控硅仍導(dǎo)通，只有使器件中的電流減到低于某個數(shù)值或陰極與陽極之間電壓減小到零或負(fù)值時，器件才可恢復(fù)到關(guān)閉狀態(tài)。此時如果在控制極上加有適當(dāng)大小的正電壓（對陰極），則可控硅可迅速被激發(fā)而變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)。但當(dāng)正電壓大于某個電壓（稱為轉(zhuǎn)折電壓）時，器件迅速轉(zhuǎn)變到低阻通導(dǎo)狀態(tài)。當(dāng)器件的陽極接負(fù)電位（相對陰極而言）時，從符號圖上可以看出 pn 結(jié)處于反向，具有類似二極管的反向特性。圖 329 是它的結(jié)構(gòu)、外形和圖形符號。 篇二：可控硅的工作原理 一、可控硅的工作原理 可控硅是可控硅整流器的簡稱。它是利用人體電容和電阻與電路上電容 c1，并聯(lián)促使氖管 n 導(dǎo)通點燃，從而在電阻 r1 上產(chǎn)生可控硅的觸發(fā)信號，使可控硅導(dǎo)通，點著串于可控硅電路里的燈 泡。 電容 c 的充電速度與 r w 及 c 的乘積有關(guān)，所以調(diào)節(jié) w之值，即能改變電容 c 充電到 u，值的時間 .也就可以改變可控硅的導(dǎo)通時間，從而改變了負(fù)載上電壓的大小。待下一個正半周到來時，電容 c又充電，重復(fù)上述過程。上產(chǎn)生一個尖脈沖，成為觸發(fā)可控硅（ scr）極的觸發(fā)信號，從而導(dǎo)致可控硅導(dǎo)通。整流后脈動電壓的正半周通過 r w 向電容 c充電，當(dāng)充電電壓達(dá)到雙基極管峰點電壓 up時， bg 由截止轉(zhuǎn)為導(dǎo)通，電容 c 通過b1e 結(jié)及 r。 bg 雙基極管構(gòu)成可控硅的同步觸發(fā)電路（是一個張弛振蕩器）。 可控硅的用途很廣
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