第八章表面分析技術(shù)-文庫吧資料
2025-03-19 21:12本頁面
【正文】 K?’ K?3 K?4 K?5 K?6 K? 材料現(xiàn)代研究方法 X射線光電子能譜儀 表 85：部分元素的特征 x射線能量和半高峰寬 射 線 能 量 半高峰寬 (eV) Y M? Zr M? Na K? Mg K? Al K? Si K? Ti K?1 4511 Cr K?1 5415 Ca K?1 8048 材料現(xiàn)代研究方法 X射線光電子能譜儀 （三）分析器系統(tǒng) 分析器由電子透鏡系統(tǒng)、能量分析器和電子檢測器組成。 （二） X射線源 用于產(chǎn)生具有一定能量的 X射線的裝置。 圖 813 Ag的 XPS譜 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 圖 814 Ni的 XPS譜， 譜中可見明顯的俄歇線 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 （三）定量分析 （ 1） 一級(jí)原理模型 (817) （ 2）元素靈敏度因子法 (818) (819) / ( ) c os( ) ( ) ( ) zEij ij ij iI K T E L n z e dz???? ?? ?//i i ij j jn I Sn I S?//iiijjjISCIS? ?材料現(xiàn)代研究方法 X射線光電子能譜儀 X射線光電子能譜儀（如圖 815）主要由 X射線源、樣品室、真空系統(tǒng)、能量分析器、記錄裝置等組成?？梢愿鶕?jù)譜線是否裂分以及裂分的距離再結(jié)合譜線能量的位移和峰形的變化來準(zhǔn)確地確定一元素的化學(xué)狀態(tài)。 h E E? ?? ? ? ?材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 （ 3）震激譜線 ：過渡元素稀土元素和錒系元素的順磁化合物的 XPS譜中常常出現(xiàn)震激現(xiàn)象中，因此常用震激效應(yīng)的存在與否來鑒別順磁態(tài)化合物的存在與否。 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 （二）化學(xué)態(tài)分析 （ 1）光電子譜線化學(xué)位移 ：由于電子的結(jié)合能會(huì)隨電子環(huán)境的變化發(fā)生化學(xué)位移，位移與原子上電荷密度密切相關(guān)，而電荷密度有受著元素周圍環(huán)境（如電荷、元素價(jià)態(tài)、成鍵情況等）的影響。 材料現(xiàn)代研究方法 化學(xué)位移 （二）終態(tài)效應(yīng) (1) 弛豫效應(yīng) （ 813） (814) (2) 多重分裂 (靜電分裂 ) (3) 多電子激發(fā) int ra e x trare lax re lax re laxE E E? ? ??? int ra e x trare lax re lax re laxE E E? ? ?材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 （一） 定性分析 （ 1）光電子譜線 （ 2） X射線的伴峰 （ 3） Auger譜線 （ 4） X射線“鬼峰” （ 5）震激和震離線 （ 6）多重分裂 （ 7）能量損失峰 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 表 82：陽極污染輻射激發(fā)引起的“鬼峰”位置 污染輻射 陽極材料 Mg Al O (Kα ) Cu (Lα ) Mg (Kα ) Al (Kα ) 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 圖 86 Ne的震激和震離過程的示意圖 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 圖 87 Mn2+離子的 3s軌道電離時(shí)的兩種終態(tài) 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 圖 88 MnF2的 Mn3s電子的 XPS譜 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 圖 89 Al的 2s譜線及相關(guān)的能量損失線 材料現(xiàn)代研究方法 光電子能譜分析方法 譜線的識(shí)別 （ 1）確定經(jīng)常出現(xiàn)的光電子峰，如 C, O的光電子譜線； （ 2）確定 Auger線； （ 3）根據(jù) X射線光電子譜手冊中的
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