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2025-03-01 07:47本頁面
【正文】 ， 柵源之間所加的電壓 UGS， ① 對于增強型管 ，稱為開啟電壓 U GS(th)； ② 對于耗盡型管和結型管 ， 稱為夾斷電壓 U GS(off)。 當 UGS=U GS(th)時 ， 導電溝道全夾斷 ， ID=0。 當 UGS0時 ， 垂直電場增強 ， 導電溝道變寬 ， 電流ID增大 。 從圖中可以看出 ， 這種MOS管可正可負 ， 且柵源電壓 UGS為零時 ， 靈活性較大 。 ( a )UD S / V8 12 1602468UG S＝ 0恒流區(qū)41012－ 2 V1 V2 6 10 14－ 1 V2 V可變電阻 區(qū)ID / m A圖 N溝道耗盡型 MOS （ a）輸出特性曲線 （ 2） 轉移特性曲線 。 2） 特性曲線 （ 1） 輸出特性曲線 。 故這種管子的柵源電壓 UGS可以是正的 ， 也可以是負的 。（ b） 圖形符號 如果在柵源之間加負電壓 ， UGS所產生的外電場就會削弱正離子所產生的電場 ， 使得溝道變窄 ， 電流ID減小 。 N溝道耗盡型 MOS管在制造時 ， 在二氧化硅絕緣層中摻入了大量的正離子 ，這些正離子的存在 ， 使得 UGS=0時 ， 就有垂直電場進入半導體 ， 并吸引自由電子到半導體的表層而形成 N型導電溝道 。 （ 2） 常數(shù)?? GSUDSD UfI )(01 2 3 4 5 612345ID / m AUG S (t h )UGS / VUDS＝ 10 V 圖 轉移特性曲線 圖 ， 與結型場效應管類似 ，也分為可變電阻區(qū) 、 恒流區(qū) （ 放大區(qū) ） 、 夾斷區(qū)和擊穿區(qū) ， 其含義與結型場效應管輸出特性曲線的幾個區(qū)相同 。 3） 特性曲線 （ 1 常數(shù)?? GSUGSD UfI )( 由圖 ， 當 UGSUGS(th)時 ，導電溝道沒有形成 ， ID=0。 必須強調 ， 這種管子當 UGSUGS(th)時 ， 反型層（ 導電溝道 ） 消失 ， ID=0。 當 UGSUGS(th)時 ， UGS增大 、 電場增強 、 溝道變寬 、 溝道電阻減小 、 ID增大；反之 ， UGS減小 ， 溝道變窄 ， 溝道電阻增大 ， ID減小 。 反型層使漏極與源極之間成為一條由電子構成的導電溝道 ，當加上漏源電壓 UGS之后 ， 就會有電流 ID流過溝道 。 ( a ) ( b )N＋N＋P 型襯底S G DRDUDDRDUDDGDSUGG 圖 3. 9 N溝道增強型 MOS (a)示意圖； (b)電路圖 當 UGS0時 ， 柵極與襯底之間產生了一個垂直于半導體表面 、 由柵極 G指向襯底的電場 。 當 UGS=0時 ， 漏極與源極之間沒有原始的導電溝道 ， 漏極電流 ID=0。 ( a ) ( c )N＋N＋P 襯底S G D鋁二氧化硅( S i O2)( 襯底引線)BDGBS( b )DGBS圖 MOS管的結構及其圖形符號 2） 工作原理 圖 N溝道增強型 MOS管的工作原理示意圖 ，圖 （ b） 是相應的電路圖 。 這種場效應管柵極 、 源極 、 漏極之間都是絕緣的 ， 所以稱之為絕緣柵場效應管 。 1） 結構和符號 圖 N溝道增強型 MOS管的示意圖 。 MOS管可分為 N溝道和 P溝道兩種 。 而絕緣柵型場效應管的柵極與漏極 、 源極及溝道是絕緣的 ， 輸入電阻可高達10+9Ω以上 。 絕緣柵型場效應管 在結型場效應管中 ， 柵源間的輸入電阻一般為10+6~10+9Ω。 （ 4） 擊穿區(qū) 。 當 UGSU GS(off)時 ， 場效應管的導電溝道被耗盡層全部夾斷 ， 由于耗盡層電阻極大 ， 因而漏極電流 ID幾乎為零 。 圖 是恒流區(qū) ， 在此區(qū)域 ID不隨 UDS的增加而增加 ， 而是隨著 UGS的增大而增大 ， 輸出特性曲線近似平行于 UDS軸 ，ID 受 UGS的控制 ， 表現(xiàn)出場效應管電壓控制電流的放大作用 ， 場效應管組成的放大電路就工作在這個區(qū)域 。 而對于不同的柵源電壓 UGS， 則有不同的電阻值 RDS， 故稱為可變電阻區(qū) 。 當 UGS不變 ， UDS由零逐漸增加
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