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2025-02-22 02:17本頁(yè)面
【正文】 影液 溶解干膜 濃度增高降低了溶解速度，須迅速補(bǔ)充新液以維持速度 ,否則則會(huì)出現(xiàn) 水池效應(yīng) 造成側(cè)蝕的速度成倍增長(zhǎng)并導(dǎo)致側(cè)蝕。 2. 若補(bǔ)充藥液是使用氯化鈉或 HCL過量，則有可能產(chǎn)生氯氣，對(duì)人體有害。 雖然增加 HCl的濃度往往可加快蝕刻速度，但亦可能發(fā)生下述的缺點(diǎn)。式中因產(chǎn)生 CuCl沉澱 ，會(huì)阻止蝕刻反應(yīng)繼續(xù)發(fā)生，但因 CL2 的存在溶解 CuCl，維持了蝕刻反應(yīng)的循環(huán)進(jìn)行。 直覺的聯(lián)想，在氯化銅酸性蝕刻液中， Cu2+及 Cu+應(yīng)是以 CuCl2 及 CuCl存 在才對(duì)， 即離子方程式 (1)可知 : Cu(銅箔 ) + CuCl2（二價(jià)銅） 2CuCl(一價(jià)銅 ) (2) 但事實(shí)非完全正確，兩者事實(shí)上是以和 HCl形成的一龐大錯(cuò)化物存在的 : Cu176。金屬銅可在銅溶液中被氧化而溶解，見下面反應(yīng)式 （ 1） Cu176。 因?yàn)辂|性蝕刻主要用于以電鍍層 (PLATED RESIST)為抗蝕刻層的 PCB外層線路的生產(chǎn) ,在這裡不做過多描述 . 第二部分 :製程原理 (蝕刻 ) 銅可以三種氧化狀態(tài)存在，原子形成 Cu176。 鹼性蝕刻反應(yīng)之中間態(tài)亞銅離子之溶解度很差，必須輔助以氨水、氨離子及空氣中大量的氧使其繼續(xù)氧化成為可溶的二價(jià)銅離子，而又再成為蝕銅的氧化劑週而復(fù)始的繼續(xù)蝕銅直到銅量太多而減慢為止。 第二部分 制程原理（顯影） D/F CCL PI+AD A/W or MASK UV LIGHT D/F CCL PI+AD PI+AD CCL D/F 顯影流程示意圖 曝光 顯影 蝕刻 剝暯 基材 乾膜 曝光之乾膜 銅箔 DES流程示意圖 第二部分 制程原理（顯影） 在前面干膜製程的介紹里我們已經(jīng)了解干膜 係由一種負(fù)型自由基式的聚合物組成 . 未經(jīng)過曝光光線照射並發(fā)生聚合反應(yīng)之干膜之主要成分 :ResistCOOH與顯影液的主要成分 CO32－ 發(fā)生如下的反應(yīng) : ResistCOOH + CO32－ HCO3－ + ResistCOO 本反應(yīng)實(shí)際為一種皂化作用，故於程中會(huì)產(chǎn)生類似肥皂狀的泡沫 ,未聚合之干膜中負(fù)型自由基式的聚合物溶入溶液 H20 + CO32 HCO3 + OH – 反應(yīng)的平衡式為 : K = [HCO3 ][OH] / [CO32 ] PH = 14 + log｛ K． [CO32 ]/ [HCO3 ]｝ 第二部分 :製程原理 (顯影 ) 為掌握顯影之品質(zhì)，製程中需嚴(yán)格控制 [CO32]/[HCO3]的濃度比值 (PH值控制 )，以得最佳之線路顯影效果 ,亦即可以通過控制 PH值進(jìn)而控制顯影之效果 . 生產(chǎn)中所需的 CO32通常由 Na2CO3來提供 , 並通過更換槽液來維持顯影液中的 [CO32]/[HCO3]濃度比值 —— 這也是我們生產(chǎn)中保持每生產(chǎn)固定量產(chǎn)品需換槽的原因 . 當(dāng)然 ,隨著工藝的更新 , 以的 K2CO3代替 Na2CO3用于顯影也逐步為行業(yè)所接受 . K2CO3顯影相對(duì)於 Na2CO3有著許多優(yōu)點(diǎn) , 在顯影品質(zhì)上和操作上均較 Na2CO3容易控制 , 以 K2CO3顯影容易完成顯影液的自動(dòng)添加 .但是在生產(chǎn)成本上 K2CO3顯影高于 Na2CO3顯影 . 第二部分 :製程原理 (顯影 ) K2CO3與 Na2CO3比較如下 ： 對(duì)照項(xiàng)目 K2CO3自動(dòng)添加 Na2CO3 控制添加方式 以 PH值自動(dòng)控制 依照生產(chǎn)板數(shù)換槽控制 顯影點(diǎn) 固定 60~62% 變動(dòng) 48~60% 配槽 濃縮液體 粉末 主槽配槽頻率 1次 /5000m2 90次 /1個(gè)月 添加槽配槽頻率 每月 45次 每月 180次 清槽頻率 5000m21次 每月多次 停線管理 每 5000m22～ 4小時(shí) 45小時(shí)以上每月 槽液管理 每周校正一次方便
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