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2025-02-09 05:21本頁面
【正文】 義 S=A/(B+C) W=(B+C)/Δ H=A/Δ Δ：曲線積分面積 圖 3 S 參數(shù)及 W 參數(shù)變化． 400℃ 退火溫度以前 :S， W 參數(shù)基本不變，說明在這一階段 缺陷保持穩(wěn)定 ，正電子被缺陷所俘獲，與低動(dòng)量電子湮沒的概率沒有明顯變化． 400 到 900 ℃ 間時(shí)，可以看到隨著退火溫度逐漸升高， S 參數(shù)逐漸減小，W 參數(shù)逐漸增大，結(jié)合壽命譜分析，這是由于 Zn 空位開始恢復(fù)，空位團(tuán)逐漸收縮 直至消失，從而導(dǎo)致正電子與低動(dòng)量電子發(fā)生湮沒的概率降低所造成的． 退火溫度高于 900℃ ， S 參數(shù)、 W 參數(shù)保持不變也說明了此時(shí)樣品中 空位型缺陷已經(jīng)基本被清除 ． 退火處理 Fe43 Co43 Hf7 B6 Cu1非晶合金的正電子湮沒研究 金屬的 S參數(shù)與溫度 T的關(guān)系 T＝ 空位處湮滅 )/exp( kTHACvv ??捕獲率同單空位濃度成正比 Co合金 S參數(shù)隨退火溫度的變化 空位遷移 回復(fù) 位錯(cuò)攀移 回復(fù) 溶質(zhì)－缺陷復(fù)合體 3種成分 應(yīng)變速率對(duì) S－ ε曲線的影響 純鐵慢速拉伸 空位聚集 空位飽和 PAT測(cè)量裂紋尖端塑性區(qū) 計(jì)算： 測(cè)量： S值與退火溫度 正電子湮沒誘發(fā)俄歇電子能譜裝置的物理設(shè)計(jì) 秦秀波 王 平 姜小盼 于潤(rùn)升 王寶義 魏 龍 如圖 1(a)， 50 eV 正電子在 4 103 T 均勻磁場(chǎng)中傳輸，在 E B 能量選擇器的作用下偏離軸心 30 mm進(jìn)入法拉第筒，并在另一個(gè)E B 板的作用下回到軸心、飛出法拉第筒，入射到 200 mm 處的樣品。 600 ℃ 左右迅速降低，進(jìn)一步證明了 空位團(tuán)正在恢復(fù) ． 退火溫度達(dá)到 900 ℃ 時(shí)， τ2迅速減少至 185ps，且此時(shí)從壽命譜中只能分解出單壽命分量，并且隨著退火溫度進(jìn)一步升高不再發(fā)生變化，充分說明了樣品中的 空位團(tuán)已經(jīng)被退火消除 了． 正電子壽命 τ1及 τ2隨退火溫度的變化也有可能是 晶粒增大 的結(jié)果． 考慮到正電子在 ZnO 晶體中擴(kuò)散長(zhǎng)度大約為 50 nm， 在低溫退火時(shí)， ZnO樣品中晶粒直徑小于 50 nm，因此 絕大部分正電子都在晶粒的邊界和界面處湮沒． 退火溫度達(dá)到 700 ℃ 時(shí)，晶粒直徑增加到 60 nm，比正電子擴(kuò)散長(zhǎng)度要大，會(huì)導(dǎo)致正電子主要在 晶體內(nèi)發(fā)生自由湮沒，減少了正電子被缺陷俘獲的概率． 經(jīng)過 1000 ℃ 高溫退火后， ZnO 的粒徑增大至 165 nm 左右，此時(shí)界面成分比例仍比較大，考慮到正電子有達(dá) 50 nm 的擴(kuò)散長(zhǎng)度，只要界面存在 正電
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