現(xiàn)代納米科學(xué)與納米材料-文庫吧資料
2025-01-09 02:14本頁面
【正文】 ） 暗場像 （ 衍射電子 ） 1. TEM的分辨率 在電子圖像上能分辨開的相鄰兩點在試樣上的距離稱為電子顯微鏡的分辨率 ， 亦稱點分辨率 。 加速電壓：會聚點 。 ?電壓對 TEM的影響 ： 電壓要穩(wěn)定 透射電壓：與放大倍數(shù)有關(guān) 。 由中間鏡 （ 弱激磁長焦距透鏡 ， 020倍 ） 和投影鏡 （ 強(qiáng)激磁短焦距透鏡 ） 組成 。 樣品銅網(wǎng)圖 : (左 )方孔； (右 )圓孔 3 . 成像系統(tǒng) ?物鏡 — 是形成第一副電子圖像或衍射花樣的透鏡， 決定成像分辨率的極限 。 調(diào)解線圈電流 ， 可調(diào)節(jié)電子束斑大小 。 1. 照明系統(tǒng)： ?電子槍： (提供高照明電流 ， 電流密度和電子束相干性低的電子束 ） 通常用 V形鎢絲或LaB6熱離子發(fā)射源或場發(fā)射源 （ 高真空用外加電場誘發(fā)的電子發(fā)射 、 用于高分辨 ） ?溫度達(dá)到 2023K以上 ， 發(fā)射強(qiáng)度高的穩(wěn)定的電子 ， 在加速加壓的作用下 ， 定向運(yùn)動 ， 在光闌小孔的控制下 ， 允許一定發(fā)散角范圍的電子穿過光闌得到未聚焦的電子束 。減小激磁電流，可使電磁透鏡磁場強(qiáng)度降低、焦距變長 (由 f1變?yōu)?f2 ） 。 式中： V0—— 電子加速電壓； R—— 透鏡半徑； NI—— 激磁線圈安匝數(shù)； A—— 與透鏡結(jié)構(gòu)有關(guān)的比例常數(shù)。 軸對稱的磁場對運(yùn)動電子總是起會聚作用 。 磁透鏡 運(yùn)動的電子在磁場中受到的洛倫茲力 : BvqF????電子在磁場中的受力和運(yùn)動： ?電子運(yùn)動與磁場同向：電子不受磁場影響 ?電子運(yùn)動與磁場垂直：電子在與磁場垂直的平面做均勻圓周運(yùn)動 ?電子運(yùn)動與磁場交角 θ：電子是一螺旋線 當(dāng)電子經(jīng)過短線圈造成的磁場時 ， 短線圈形成的磁場是不均勻的 ， 作用于電子的力是變化的 。 ?電子在靜電場中遵循電子光學(xué)折射定律 — sin?1/sin ?2=(V2)1/2/ (V1)1/2=ne2/ ne1 ?(V)1/2起著電子光學(xué) 折射率 的作用，靜電透鏡用來使電子槍的陰極發(fā)射出的電子會聚成很細(xì)的電子束，而不是成像。) 相對論修正后 的電子波長 (197。經(jīng)相對論修正后，電于波長與加速電壓之間的關(guān)系為： 式中 m0為電子的靜止質(zhì)量， c為光速。 2. 電子顯微鏡的電子光學(xué)理論 電子的波動性及電子波的波長 根據(jù)德布洛依假設(shè)，運(yùn)動微粒和一個平面單色波相聯(lián)系，以速度為 v, 質(zhì)量為 m的微粒相聯(lián)系的德布洛依波的波長為： ??m???其中 為普朗克常數(shù)。晶格分辨本領(lǐng)達(dá)到 1— 2197。的電子顯微鏡。 1986諾貝爾獎。放大率 :l2倍。 9)感應(yīng)電動勢 ：自由載流子在半導(dǎo)體的局部電場作用下 ,各自運(yùn)動到一定的區(qū)域積累起來 ,形成凈空間電荷而產(chǎn)生電位差。 原子核 (連續(xù)波長 X射線 )和核外電子 (二次電子和特征 X射線 ) 7)X射線 (光子 )：由于原子的激發(fā)和退激發(fā)過程，從樣品的原子內(nèi)部發(fā)射出來的具有一定能量的特征 X射線，發(fā)射深度為 — 5μm 范圍。 AES 6)非彈性散射電子：入射電子受到原子核的吸引改變方向電子。 吸收電子像 (表面化學(xué)成份和表面形貌信息 ) 5)俄歇電子：從距樣品表面幾 197。透過樣品的入射電子為透射電子，其能量近似于入射電子能量。 50eVSEM 2)背散射電子：從距樣品表面 — 1μm 深度范圍內(nèi)散射回來的入射電子，其能量近似入射電子能量。 1)二次電子：從距樣品表面 l00 197。 電子顯微鏡： 當(dāng)高能入射電子束轟擊樣品表面時，入射電子束與樣品間存在相互作用，有 99%以上的入射電子能量轉(zhuǎn)變成樣品熱能，而余下的約 1％
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