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正文內(nèi)容

計(jì)算機(jī)維護(hù)與維修第4章-文庫吧資料

2024-10-09 01:16本頁面
  

【正文】 比超過 1: ,這樣內(nèi)存可以裝入更多的芯片,從而增大單位容量。 BLP封裝與 Kingmax內(nèi)存的 TinyBGA封裝相似, BLP的封裝技術(shù)使得電阻值大幅下降,芯片溫度也大幅下降,工作的頻率可達(dá)到更高。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 4. BLP封裝 ? BLP( Bottom Lead Package,底部引腳封裝)封裝方式是新一代的封裝技術(shù),它是在傳統(tǒng)封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上采用的一種逆向電路,由底部直接伸出引腳,其優(yōu)點(diǎn)是能節(jié)省大約 90%的電路,因此大大節(jié)約了封裝成本,同時(shí)使封裝尺寸及芯片表面溫度大幅下降。 TinyBGA封裝的電路連接與傳統(tǒng)方式不同,內(nèi)存芯片和電路板的連接依賴芯片中心位置的細(xì)導(dǎo)線。 TSOP封裝在外觀上較輕薄,它在封裝芯片的周圍做出引腳,直接焊在 PCB板的表面,焊點(diǎn)和 PCB板的接觸面積小,使得芯片向 PCB板傳遞熱量相對困難。SOJ封裝一般用在 EDO RAM內(nèi)存上,現(xiàn)在一般很少采用這種封裝方式了。內(nèi)存芯片的封裝方式可分為以下幾類。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 RDRAM內(nèi)存 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 內(nèi)存芯片的封裝方式 ? 內(nèi)存主要由內(nèi)存芯片和電路板兩部分組成,并通過集成電路封裝技術(shù)將其組成為一根完整的內(nèi)存條,這種集成電路封裝技術(shù)就是內(nèi)存芯片的封裝技術(shù)。 ? RDRAM需要專用的 RIMM插槽和芯片組的支持,而且要求 RIMM插槽必須全部插滿,否則空余的插槽需插上專用的 RDRAM終結(jié)器。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 DDR2內(nèi)存 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 6) RDRAM ? RDRAM全稱為 Rambus DRAM,它是由 Rambus公司開發(fā)的,是一種具有獨(dú)特的系統(tǒng)帶寬、芯片和芯片接口的新型 DRAM。 DDR2內(nèi)存采用了 240pin的 FBGA封裝,采用較先進(jìn)的 ,工作電壓為 。現(xiàn)在市場的主流就是 DDR 400內(nèi)存。 DDR SDRAM都是以內(nèi)存芯片的工作頻率來命名的。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 4) DDR SDRAM(雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器) ? DDR SDRAM采用并行數(shù)據(jù)總線傳輸方式,其位寬為 64bit,工作時(shí)的電壓為 。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 SDRAM內(nèi)存 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 4) DDR SDRAM(雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器) ? DDR SDRAM( Double Data Rate SDRAM)是在 SDRAM內(nèi)存的基礎(chǔ)上發(fā)展而來的,一般簡稱為 DDR,其傳輸速率是同頻率SDRAM內(nèi)存?zhèn)鬏斔俾实膬杀丁?SDRAM內(nèi)存一般按照其工作頻率來命名,SDRAM除了作為內(nèi)存存儲芯片外還可以作為顯卡的存儲芯片。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 3) SDRAM(同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲器) ? SDRAM( Synchronous Dynamic RAM)采用一種雙存儲體結(jié)構(gòu),它的工作頻率與 CPU的外頻一樣。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 2) EDO RAM(擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出存儲器) ? EDO RAM全稱為 Extended Data Out RAM,是 486時(shí)代以及早期的 Pentium個(gè)人計(jì)算機(jī)中常用的一種內(nèi)存,它的運(yùn)行速度比 FPM RAM快,可在兩個(gè)時(shí)鐘周期就傳送一次數(shù)據(jù),使存取速度提高 30%,大大提高了計(jì)算機(jī)的運(yùn)行效率。 計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)培訓(xùn)教程 1) FPM RAM(快頁模式存儲器) ? FPM RAM全稱為 Fast Page Mode RAM,是在早期的個(gè)人計(jì)算機(jī)中使用最廣泛的內(nèi)存,它在三個(gè)時(shí)鐘周期才傳送一次數(shù)據(jù),因此性能較低。但是ROM保存的數(shù)據(jù)在斷電后可保持不變,因此多用于存放一次性寫入的程序或數(shù)據(jù),如用于存儲主板和顯卡 BIOS
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