04微機(jī)接口-第四章-文庫(kù)吧資料
2025-08-10 07:41本頁(yè)面
【正文】 PROM的基本存儲(chǔ)電路和 FAMOS結(jié)構(gòu) P P S D SIO2 SIO2 +++ N基底 源極 漏極 多晶硅浮置柵 字選線 浮置柵 場(chǎng)效應(yīng)管 位線 (a) EPROM的基本存儲(chǔ)結(jié)構(gòu) (b) 浮置柵雪崩注入型場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu) 典型的 EPRAM芯片 常 用 的 典 型 EPROM 芯 片 有 ： 2716（ 2K 8） 、 2732（ 4K 8） 、 2764（ 8K 8） 、27128（ 16K 8） 、 27256（ 32K 8） 、 27512（ 64K 8） 等 。 三、可擦除、可編程 ROM（ EPROM） 在實(shí)際工作中 ， 一個(gè)新設(shè)計(jì)的程序往往需要經(jīng)歷調(diào)試 、 修改過(guò)程 ， 如果將這個(gè)程序?qū)懺?ROM和PROM中 ， 就很不方便了 。 (2) EPROM通過(guò)紫外線光源擦除 (編程后，窗口應(yīng)貼上不透光膠紙 )。 若準(zhǔn)備寫(xiě)入 1， 則向位線送高電平 ， 此時(shí)管子截止 ， 熔絲將被保留；若準(zhǔn)備寫(xiě)入 0， 則向位線送低電平 ， 此時(shí)管子導(dǎo)通 ， 控制電流使熔絲燒斷 ， 不可能再恢復(fù) ， 故只能進(jìn)行一次編程 。 圖 串接了一個(gè)可熔金屬絲 ， 出廠時(shí) ， 所有存儲(chǔ)單元的熔絲都是完好的 。 (3) 只能使用一次，一旦進(jìn)行了編程不能擦除其內(nèi)信息。 特點(diǎn)： (1) 出廠時(shí)里面沒(méi)有信息。圖 型 ROM的結(jié)構(gòu)圖，容量為 256 4位。 X譯碼輸出選中某一行，但這一行中，哪一個(gè)能輸出與 I/O電路相連，還取決于 Y譯碼輸出，故每次只選中一個(gè)單元。 復(fù)合譯碼結(jié)構(gòu) 如圖 1024 1位的 MOS ROM電路。位于矩陣交叉點(diǎn)并與位線和被選字線相連的二極管導(dǎo)通，使該位線上輸出電位為低電平，結(jié)果輸出為“ 0”，否則為“ 1”。 (3) 可由二極管和三極管電路組成。 D7 D0 它包含有 (1) 地址譯碼器 (2) 存儲(chǔ)矩陣 (3) 控制邏輯 (4) 輸出電路 圖 ROM組成框圖 一、掩膜 ROM 特點(diǎn)： (1) 器件制造廠在制造時(shí)編制程序 ,用戶(hù)不能修改。 圖 (a) Intel 2164 DRAM芯片引腳圖 GND Din A7 A5 A4 A3 A6 Dout VCC A0 A1 A2 NC 2164 1 16 8 9 WE RAS CAS A0~A7：地址輸入 CAS：列地址選通 RAS：行地址選通 WE：寫(xiě)允許 Din：數(shù)據(jù)輸入 Dout： 數(shù)據(jù)輸出 Vcc：電源 GND：地 圖 (b) Intel 2164 DRAM內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖 Dout WE Din CAS RAS A7 … A1 A0 8 位 地 址 鎖 存 器 128 128 矩陣 128個(gè)讀出放大器 1/2列譯碼 128個(gè)讀出放大器 128 128 矩陣 128 128 矩陣 128個(gè)讀出放大器 1/2列譯碼 128個(gè)讀出放大器 128 128 矩陣 4選1 I/O門(mén)控 輸出緩沖器 行時(shí) 鐘緩 沖器 列時(shí) 鐘緩 沖器 寫(xiě)允 許時(shí) 鐘緩 沖器 數(shù)據(jù) 輸入 緩沖 器 包含： (1) 存儲(chǔ)體 (2)外圍電路 a. 地址譯碼器 b. 讀 /寫(xiě)控制及 I/O電路 c. 片選控制 CS 二、 RAM的組成 只讀存儲(chǔ)器 (ROM) ROM主要由地址譯碼器、存儲(chǔ)矩陣、控制邏輯和輸出電路四部分組成（如圖 ），與 RAM不同之處是 ROM在使用時(shí)只能讀出，不能隨機(jī)寫(xiě)入。隨后由列選通信號(hào) CAS選通 8位列地址并鎖存 ， 16位地址可選中 64K存儲(chǔ)單元中的任何一個(gè)單元 。 為了減少地址線引腳數(shù)目 ， 采用行和列兩部分地址線各 8條 ， 內(nèi)部設(shè)有行 、 列地址鎖存器 。 典型的動(dòng)態(tài) RAM芯片 一種典型的 DRAM如 Intel 2164。 特點(diǎn)： (1) 每次讀出后 ， 內(nèi)容被破壞 ， 要采取恢復(fù)措施 ， 即需要刷新 ， 外圍電路復(fù)雜 。 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 6264 NC A4 A5 A6 A7 A8 A9 A10 A11 A12 I/O1 I/O2 I/O3 GND VCC WE CE2 A3 A2 A1 OE A0 CE1 I/O8 I/O7 I/O6 I/O5 I/O4 表 6264的操作方式 I/O1~ I/O8 IN 寫(xiě) 0 1 0 0 IN 寫(xiě) 1 1 0 0 OUT 讀 0 1 0 1 高阻 輸出禁止 1 1 0 1 高阻 未選中 0 高阻 未選中 1 I/O1~ I/O8 方式 WE CE1 CE2 OE 圖 SRAM 6264引腳圖 DRAM的基本存儲(chǔ)電路 (存儲(chǔ)單元 )有單管和四管等結(jié)構(gòu) ， 這里僅介紹單管存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)原理 。 圖 SRAM 6264芯片的引腳圖，其容量為 8K 8位，即共有 8K（ 213）個(gè)單元，每單元 8位。 典型的靜態(tài) RAM芯片 不同的靜態(tài) RAM的內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本相同 ， 只是在不同容量時(shí)其存儲(chǔ)體的矩陣排列結(jié)構(gòu)不同 。 特點(diǎn)： (1) 不需要刷新，簡(jiǎn)化外圍電路。 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RAM 一、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 SRAM 圖 6個(gè) MOS管組成的 雙穩(wěn)態(tài)電路 。 4. 可靠性 可靠性指存儲(chǔ)器對(duì)電磁場(chǎng)及溫度等變化的抗干擾能力 。 指啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所需的時(shí)間
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