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正文內(nèi)容

溫度傳感器設計報告-文庫吧資料

2025-08-10 03:03本頁面
  

【正文】 P2^6。當OE輸入高電平 時,輸出三態(tài)門打開,轉換結果的數(shù)字量輸出到數(shù)據(jù)總線上。下降沿啟動 A/D轉換,之后EOC輸出信號變低,指示轉換正在進行。此地址經(jīng)譯碼選通8路模擬輸入之一到比較器。   GND:地。   REF(+)、REF():基準電壓?! LK:時鐘脈沖輸入端。   OE:數(shù)據(jù)輸出允許信號,輸入,高電平有效。   START: A/D轉換啟動信號,輸入,高電平有效?! ?1~28:8位數(shù)字量輸出端。下面說明各引腳功能。   6)工作溫度范圍為40~+85攝氏度   7)低功耗,約15mW。   2)具有轉換起??刂贫恕?XTAL2:振蕩器反相放大器的輸出端。Flash存儲器編程時,該引腳加上+12V的編程允許電源Vpp,當然這必須是該器件是使用12V編程電壓Vpp。需注意的是:如果加密位LB1被編程,復位時內(nèi)部會鎖存EA端狀態(tài)。EA/VPP:外部訪問允許。PSEN:程序儲存允許(PSEN)輸出是外部程序存儲器的讀選通信號,當AT89C51 由外部程序存儲器取指令(或數(shù)據(jù))時,每個機器周期兩次PSEN有效,即輸出兩個脈沖。該位置位后,只有一條MOVX和MOVC指令ALE才會被激活。對Flash存儲器編程期間,該引腳還用于輸入編程脈(PROG)。即使不訪問外部存儲器,ALE 仍以時鐘振蕩頻率的l/6 輸出固定的正脈沖信號,因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。當振蕩器工作時,RST引腳出現(xiàn)兩個機器周期以上高電平將使單片機復位。P3口除了作為一般的I/O口線外,更重要的用途是它的第二功能,如下表所示:圖5P3口還接收一些用于Flash閃速存儲器編程和程序校驗的控制信號。對P3 口寫入“1”時,它們被內(nèi)部上拉電阻拉高并可作為輸入端口。P3口:P3口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的8 位雙向I/O 口。在訪問8 位地址的外部數(shù)據(jù)存儲器(如執(zhí)行MOVXRI 指令)時,P2 口線上的內(nèi)容(也即特殊功能寄存器(SFR)區(qū)中R2寄存器的內(nèi)容),在整個訪問期間不改變。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口,作輸入口使用時,因為內(nèi)部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流(IIL)。FIash編程和程序校驗期間,P1接收低8位地址。對端口寫“1”,通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可作輸入口。在FIash編程時,P0口接收指令字節(jié),而在程序校驗時,輸出指令字節(jié),校驗時,要求外接上拉電阻。作為輸出口用時,每位能吸收電流的方式驅動8個TTL邏輯門電路,對端口寫“1”可作為高阻抗輸入端用。掉電方式保存RAM中的內(nèi)容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個硬件復位。同時,AT89C51可降至0Hz的靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。 2)、LM35封裝介紹: 圖2:封裝形式1 圖3:封裝形式2 圖4:封裝形式4(此次采用的封裝)單片機AT89C51AT89C51是美國ATMEL公司生產(chǎn)的低電壓,高性能CMOS8位單片機,片內(nèi)含4k bytes的可反復擦寫的只讀程序存儲器(PEROM)和128 bytes的隨機存取數(shù)據(jù)存儲器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存儲技術生產(chǎn),兼容標準MCS51指令系統(tǒng),片內(nèi)置通用8位中央處理器(CPU)和Flash存儲單元,功能強大AT89C51單片機可為您提供許多高性價比的應用場合,可靈活應用于各種控制領
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