晶體缺陷及其材料性能的影響-文庫吧資料
2025-08-07 21:37本頁面
【正文】 的基本性質(zhì)與行為，對建立金屬強化機制將具有重要的理論和實際意義。此外，點缺陷還影響其他物理性質(zhì)，如擴散系數(shù)，內(nèi)耗，介電常數(shù)等，在堿金屬的鹵化物晶體中，由于雜質(zhì)或過多的金屬離子等點缺陷對可見光的選擇性吸收，會使晶體呈現(xiàn)色彩，這種點缺陷稱為色心。4. 密度的變化：對一般金屬，輻照引起體積膨脹，但是效應(yīng)不明顯，~%，這種現(xiàn)象可以用弗侖克爾缺陷來描述5. 電阻：增加電阻，晶體點陣的有序結(jié)構(gòu)被破壞，使原子對自由電子的散射效果提升。3．電阻率:金屬的電阻來源于離子對傳導(dǎo)電子的散射。在一般情形下，點缺陷主要影響晶體的物理性質(zhì)，如比容、比熱容、電阻率等。使熵值增大使晶體穩(wěn)定?？瘴皇墙饘倬w結(jié)構(gòu)中固有的點缺陷，空位會與原子交換位置造成原子的熱激活運輸，空位的遷移直接影響原子的熱運輸，從而影響材料的電、熱、磁等工程性能。特點:其化學(xué)組成隨周圍氣氛的性質(zhì)及其分壓大小而變化。 定義:指組成上偏離化學(xué)中的定比定律所形成的缺陷。類型:弗侖克爾缺陷（Frenkel defect）和肖脫基缺陷（Schottky defect）熱缺陷濃度與溫度的關(guān)系:溫度升高時，熱缺陷濃度增加 定義:亦稱為組成缺陷，是由外加雜質(zhì)的引入所產(chǎn)生的缺陷。 按缺陷產(chǎn)生的原因分類：熱缺陷、雜質(zhì)缺陷、非化學(xué)計量缺陷、其它原因（如電荷缺陷，輻照缺陷等）。也稱為三維缺陷，指晶體中在三維方向上相對尺度比較大的缺陷，和基質(zhì)晶體已經(jīng)不屬于同一物相，是異相缺陷。包括晶界、相界、表面、堆積層錯、鑲嵌結(jié)構(gòu)等。包括螺型位錯與刃型位錯等各類位錯，線缺陷的產(chǎn)生及運動與材料的韌性、脆性密切相關(guān)。點缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫動力學(xué)過程等有關(guān)。（零維缺陷） 缺陷尺寸處于原子大小的數(shù)量級上，即三維方向上缺陷的尺寸都很小。我們把實際晶體中偏離理想完整點陣的部位或結(jié)構(gòu)稱為晶體缺陷。在理想的晶體結(jié)構(gòu)中，所有的原子、離子或分子都處于規(guī)則的點陣結(jié)構(gòu)的位置上，也就是平衡位置上。這是一種理想的完美晶體，它在現(xiàn)實中并不存在，只作為理論研究模型。 生長缺陷的密度一般比較低, 而變形晶體缺陷的密度較高且普遍存在。 如果是在應(yīng)力作用下晶體發(fā)生變形時產(chǎn)生的, 則稱為變形晶體缺陷。根據(jù)缺陷在晶體中分布的幾何特點, 可將其分為3大類, 即點缺陷、線缺陷和面缺陷。眾所周知, 晶體是由離子、原子或分子有規(guī)律地排列而構(gòu)成的, 這種晶體稱為完整晶體。70年代隨著離子減薄技術(shù)的應(yīng)用, 為電子顯微鏡作為倍數(shù)極高的礦物巖相學(xué)觀察工具提供了先決條件, 也為天然變形礦物晶體缺陷和塑性流動的研究開辟了新的途徑。后來, 材料科學(xué)家發(fā)現(xiàn)這類缺陷不僅控制著材料的力學(xué)性狀, 而且對材料的若干物理性質(zhì)(如導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性等) 有直接的影響, 故在冶金物理學(xué)和材料科學(xué)領(lǐng)域里逐漸發(fā)展了晶體缺陷理論。關(guān)鍵詞:晶體缺陷 。研究晶體缺陷因此具有了尤其重要的意義。晶體缺陷及其對材料性能的影響摘要
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