第九章離子鍵和離子晶體-文庫吧資料
2025-07-26 18:08本頁面
【正文】 極化對化合物性質(zhì)的影響 離子在周圍帶相反電荷離子的作用下，原子核與電子發(fā)生相對位移，導(dǎo)致離子變形而產(chǎn)生誘導(dǎo)偶極，這種現(xiàn)象稱為 離子極化 。 在標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下，使單位物質(zhì)的量的離子晶體變?yōu)闅鈶B(tài)陽離子和氣態(tài)陰離子時所吸收的能量稱為離子晶體的晶格能。 AB 型離子晶體的離子半徑比與配位數(shù)、晶體構(gòu)型的關(guān)系 第三節(jié) 離子晶體的晶格能 離子鍵的強(qiáng)度常用離子晶體的晶格能來度量。由于陽離子相對較小，它有可能接觸更少的陰離子，可能使配位數(shù)減少到４。但當(dāng) r+/r－ 時，陽離子相對較大，它有可能接觸更多的陰離子，從而使配位數(shù)提高到 8。 四、離子晶體的半徑比規(guī)則 陽、陰離子半徑比與配位數(shù)的關(guān)系的示意圖 a b c 在 △ abc 中 ， ab = bc = 2(r++r－ ), ac = 4r－ ，則 : [2(r++r－ )]2 + [2(r++ r－ )]2 = (4r－ )2 r+ = r－ 陽、陰離子的半徑比為： 當(dāng) r+/r－ = 時，陽、陰離子是直接接觸，陰離子也是直接接觸。陽、陰離子是否能緊密接觸與陽、陰離子半徑之比 r+/r－ 有關(guān)。 離子晶體的結(jié)構(gòu)類型，與離子半徑、離子的電荷數(shù)、離子的電子組態(tài)有關(guān)，其中與離子半徑的關(guān)系更為密切。 （ 3） ZnS 型晶體 : ZnS 型晶體的晶胞也是正立方體，每個晶胞中有 4 個 Zn2+ 和 4 個 S2。 （ 2） NaCl 型晶體 : NaCl 型晶體是 AB 型晶體中最常見的晶體構(gòu)型，它的晶胞也是正立方體，每個晶胞中有 4 個 Na+ 和 4 個 Cl。CsCl 晶體就是 CsCl 晶胞沿著立方體的面心依次堆積而成。對于AB 型離子晶體，常見的有 CsCl 型、 NaCl 型和 ZnS 型三種典型晶體結(jié)構(gòu)類型。但是當(dāng)離子晶體熔融或溶于水時，產(chǎn)生自由移動的陽、陰離子，從而可以導(dǎo)電。這是因?yàn)楫?dāng)離子晶體受到外力作用時，各層晶格結(jié)點(diǎn)上的離子發(fā)生位移，使原來異號離子相間排列的穩(wěn)定狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)橥栯x子相鄰的排斥狀態(tài)，晶體結(jié)構(gòu)遭到破壞。離子晶體一般具有較高的熔點(diǎn)、沸點(diǎn)和較大的硬度。晶體就是由無數(shù)個相互緊密排列的晶胞所組成。 按晶格格點(diǎn)上微粒之間的作用力不同，可分為離子晶體、原子晶體、分子晶體和金屬晶體。 一、晶格和晶胞 構(gòu)成晶體的微觀粒子在三維空間進(jìn)行有規(guī)則的排列，把組成晶體的每一個微觀粒子抽象為一個點(diǎn)，由這些點(diǎn)按一定規(guī)則組成的幾何構(gòu)型稱為 晶格 。 （ 2）晶體具有固定的熔點(diǎn)，而非晶體沒有固定的熔點(diǎn)。 第二節(jié) 離子晶體 一、晶格和晶胞 二、離子晶體的特征 三、離子晶體的類型 四、離子晶體的半徑比規(guī)則
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