透明導電薄膜tco之原理及其應用發(fā)展-文庫吧資料
2024-08-02 06:02本頁面
【正文】 2. TCO的導電原理 3. TCO的光學性質(zhì) 4. TCO 薄膜之市場應用及未來發(fā)展 TCO薄膜的導電原理 (ntype TCO) ITO ?In2O3為氧化物半導體，加入 SnO2作為雜質(zhì)參雜，可以產(chǎn)生一個導電電子 ?In2O3晶格中之氧缺陷 (Oxygen vacancy)一個氧空缺，可以產(chǎn)生兩個導電電子 Band gap (Eg) Crystallized at T 150 186。 3. 部分 AZO靶材可在 100% Ar環(huán)境下成膜，製程控制容易 。C ITO成膜時基板溫度： RT ITO之組成及特性 銦 (In)礦的主要應用 資料來源：工研院經(jīng)資中心 各種 TCO材料 ZnO系透明導電膜 主要成員 ： ZnO (3~5 104 Ωcm) ZnO:In (IZO) (2~4 104 Ωcm )、 ZnO:Ga(GZO) (104 Ωcm)、 ZnO:Al (AZO) (104 Ωcm)、 ZnO:Ti 特點 ： 1. ZnO礦產(chǎn)產(chǎn)能大 。 ?純金屬薄膜 ?? ?Au、 Ag、 Pt、 Cu、 Al、 Cr、 Pd、 Rh，在 10nm厚度的薄膜， 均有某種程度的可見光透光度 ?早期使用之透明電極 ?缺點：光的吸收度大、硬度低、穩(wěn)定性差 透明導電薄膜 透明導電薄膜 ?金屬化合物薄膜 (TCO) 泛指具有透明導電性之氧化物、氮化物、氟化物 a. 氧 (氮 )化物： In2O SnO ZnO、 CdO、 TiN b. 摻雜氧化物： In2O3:Sn (ITO)、 ZnO:In (IZO)、 ZnO:Ga (GZO) ZnO:Al (AZO)、 SnO2:F、 TiO2:Ta c. 混合氧化物： In2O3ZnO、 CdIn2O Cd2SnO Zn2SnO4 History of TCO ??? 1907年 最早使用 CdO材料為透明導電鍍膜，應用在 photovoltaic cells. ? 1940年代 ，以 Spray Pyrolysis及 CVD 方式沉積 SnOx於玻璃基板上 . ?? ? 1970年代 ，以 Evaporation 及 Sputtering 方式沉積 InOx及 ITO.
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