【正文】 R/W(SID)H/L并行的讀寫選擇信號(hào)；串行的數(shù)據(jù)口6E(CLK)H/L并行的使能信號(hào)；串行的同步時(shí)鐘7DB0H/L數(shù)據(jù)08DB1H/L數(shù)據(jù)19DB2H/L數(shù)據(jù)210DB3H/L數(shù)據(jù)311DB4H/L數(shù)據(jù)412DB5H/L數(shù)據(jù)513DB6H/L數(shù)據(jù)614DB7H/L數(shù)據(jù)715PSBH/L并/串行接口選擇：H并行；L串行16NC空腳17/RETH/L復(fù)位 低電平有效18NC空腳19LED_A背光源正極（LED+5V）20LED_K背光源負(fù)極（LEDOV）邏輯工作電壓(VDD)：～電源地(GND)：0V工作溫度(Ta)：0～60℃(常溫) / 20～75℃（寬溫）三、接口時(shí)序模塊有并行和串行兩種連接方法（時(shí)序如下）：8位并行連接時(shí)序圖MPU寫資料到模塊MPU從模塊讀出資料串行連接時(shí)序圖串行數(shù)據(jù)傳送共分三個(gè)字節(jié)完成：第一字節(jié)：串口控制—格式 11111ABC A為數(shù)據(jù)傳送方向控制：H表示數(shù)據(jù)從LCD到MCU，L表示數(shù)據(jù)從MCU到LCD B為數(shù)據(jù)類型選擇：H表示數(shù)據(jù)是顯示數(shù)據(jù)，L表示數(shù)據(jù)是控制指令 C固定為0第二字節(jié)：(并行)8位數(shù)據(jù)的高4位—格式 DDDD0000第三字節(jié)：(并行)8位數(shù)據(jù)的低4位—格式 0000DDDD串行接口時(shí)序參數(shù)：(測(cè)試條件：T=25℃ VDD=) 主程序void main(void){ //display1()。1℃,1kHZ Ac測(cè)試）最大溫差：≥75℃（單層已經(jīng)是最高）外形尺寸：40*40*裝配壓力：85N/cm2外部引線：150mm（量大可定）工作環(huán)境：溫度范圍 55℃～83℃（過(guò)高的環(huán)境溫度將直接影響制冷效率）封裝工藝：四周標(biāo)準(zhǔn)704硅橡膠密封包裝標(biāo)準(zhǔn)：泡沫盒包裝,存放條件 環(huán)境溫度10℃～40℃存放條件：40~60℃二．加熱模塊本模塊采用的是12V50W的防水型加熱棒，溫度上升比較快并且穩(wěn)定。單片機(jī)的復(fù)位方式可由手動(dòng)復(fù)位完成。單片機(jī)的RST管腳為主機(jī)提供了一個(gè)外部復(fù)位信號(hào)輸入口。 DS18B20的寫時(shí)序，對(duì)于DS18B20的寫時(shí)序仍然分為寫0時(shí)序和寫1時(shí)序兩個(gè)過(guò)程，對(duì)于DS18B20寫0時(shí)序和寫1時(shí)序的要求不同，當(dāng)要寫0時(shí)序時(shí)，單總線要被拉低至少60us，保證DS18B20能夠在15us到45us之間能夠正確地采樣IO總線上的“0”電平，當(dāng)要寫1時(shí)序時(shí)，單總線被拉低之后，在15us之內(nèi)就得釋放單線?！　?duì)于DS18B20的讀時(shí)隙是從主機(jī)把單總線拉低之后，在15秒之內(nèi)就得釋放單總線，以讓DS18B20把數(shù)據(jù)傳輸?shù)絾慰偩€上。數(shù)據(jù)和命令的傳輸都是低位在先。所有時(shí)序都是將 DS18B20的復(fù)位時(shí)序 DS18B20的讀時(shí)序 DS18B20的寫時(shí)序主機(jī)作為主設(shè)備，單總線器件作為從設(shè)備。DS18B20有嚴(yán)格的通信協(xié)議來(lái)保證各位數(shù)據(jù)傳輸?shù)恼_性和完整性。 DS18B20的讀寫時(shí)序圖2. DS18B20的使用方法　　由于DS18B20采用的是1－Wire總線協(xié)議方式，即在一根數(shù)據(jù)線實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的雙向傳輸，而對(duì)AT89S51單片機(jī)來(lái)說(shuō)，硬件上并不支持單總線協(xié)議，因此，我們必須采用軟件的方法來(lái)模擬單總線的協(xié)議時(shí)序來(lái)完成對(duì)DS18B20芯片的訪問(wèn)。見(jiàn)表244。見(jiàn)表243。表35 DS18B20的ROM操作指令操作指令33H55HCCHF0HECH含義讀ROM匹配ROM跳過(guò)ROM搜索ROM報(bào)警搜索ROM表36 DS18B20的存儲(chǔ)器操作指令操作指令4EHBEH48H44HD8HB4H含義寫讀內(nèi)部復(fù)制溫度轉(zhuǎn)換重新調(diào)出讀電源主機(jī)一旦檢測(cè)到DS18B20的存在，根據(jù)DS18B2的工作協(xié)議，就應(yīng)對(duì)ROM進(jìn)行操作，接著對(duì)存儲(chǔ)器操作，最后進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。DSl8B20約定在每次通信前必須對(duì)其復(fù)位，具體的復(fù)位時(shí)序如圖242所示。操作協(xié)議為：初使化DS18B20（發(fā)復(fù)位脈沖）→發(fā)ROM功能命令→發(fā)存儲(chǔ)器操作命令→處理數(shù)據(jù)。 另外，由于DS18B20單線通信功能是分時(shí)完成的，它有嚴(yán)格的時(shí)隙概念，因此讀寫時(shí)序很重要。減法計(jì)數(shù)器1對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行減法計(jì)數(shù)，當(dāng)減法計(jì)數(shù)器1的預(yù)置值減到0時(shí)，溫度寄存器的值將加1，減法計(jì)數(shù)器1的預(yù)置將重新被裝入，減法計(jì)數(shù)器1重新開始對(duì)低溫度系數(shù)晶振產(chǎn)生的脈沖信號(hào)進(jìn)行計(jì)數(shù)，如此循環(huán)直到減法計(jì)數(shù)器計(jì)數(shù)到0時(shí)，停止溫度寄存器的累加，此時(shí)溫度寄存器中的數(shù)值就是所測(cè)溫度值。器件中還有一個(gè)計(jì)數(shù)門，當(dāng)計(jì)數(shù)門打開時(shí)，DS18B20就對(duì)低溫度系數(shù)振蕩器產(chǎn)生的時(shí)鐘脈沖進(jìn)行計(jì)數(shù)進(jìn)而完成溫度測(cè)量。主機(jī)ROM的前56位來(lái)計(jì)算CRC值，并和存入DS18B20的CRC值作比較，以判斷主機(jī)收到的ROM數(shù)據(jù)是否正確。因此，可用多只DS18B20同時(shí)測(cè)量溫度并進(jìn)行報(bào)警搜索。表34 溫度精度配置溫度/℃二進(jìn)制表示十六進(jìn)制表示+1250000 0111 1101 000007D0H+850000 0101 0101 00000550H+0000 0001 1001 00000191H+0000 0000 1010 000100A2H+0000 0000 0000 00100008H00000 0000 0000 10000000H1111 1111 1111 0000FFF8H1111 1111 0101 1110FF5EH1111 1110 0110 1111FE6FH551111 1100 1001 0000FC90HDS18B20完成溫度轉(zhuǎn)換后，就把測(cè)得的溫度值與RAM中的TH、TL字節(jié)內(nèi)容作比較。當(dāng)符號(hào)位S＝0時(shí)，表示測(cè)得的溫度值為正值，可以直接將二進(jìn)制位轉(zhuǎn)換為十進(jìn)制；當(dāng)符號(hào)位S＝1時(shí)，表示測(cè)得的溫度值為負(fù)值，要先將補(bǔ)碼變成原碼，再計(jì)算十進(jìn)制數(shù)值。轉(zhuǎn)換完成后的溫度值就以16位帶符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼形式存儲(chǔ)在高速暫存存儲(chǔ)器的第2字節(jié)。第9字節(jié)讀出前面所有8字節(jié)的CRC碼，可用來(lái)檢驗(yàn)數(shù)據(jù)，從而保證通信數(shù)據(jù)的正確性。因此，在實(shí)際應(yīng)用中要將分辨率和轉(zhuǎn)換時(shí)間權(quán)衡考慮。具體見(jiàn)表241。 高8位 S S S S S 26 25 24 低8位 23 22 21 20 21 22 23 24 表32 DS18B20的字節(jié)存放表由下圖可以看到，Dsl8820的內(nèi)部存儲(chǔ)器是由8個(gè)單元組成，其中第0、1個(gè)存放測(cè)量溫度值，第3分別存放報(bào)警溫度的上下限值，第4單元為配置單元，7單元在DSl8820這里沒(méi)有被用到。 用 序號(hào) 寄存器名稱 0 溫度低字節(jié) 以16位補(bǔ)碼形式存放 5 保留字節(jié)2 1 溫度高字節(jié) 6 計(jì)數(shù)器余值 2 TH/用戶字節(jié)1 存放溫度上限 7 計(jì)數(shù)器/℃ 3 HL/用戶字節(jié)2 存放溫度下限 8 CRC 以12位轉(zhuǎn)化為例說(shuō)明溫度高低字節(jié)存放形式及計(jì)算：12位轉(zhuǎn)化后得到的12位數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)在18B20的兩個(gè)高低兩個(gè)8位的RAM中，二進(jìn)制中的前面5位是符號(hào)位。低5位一直為1，TM是工作模式位，用于設(shè)置DS18B20在工作模式還是在測(cè)試模式，DS18B20出廠時(shí)該位被設(shè)置為0，用戶要去改動(dòng)，R1和Ｒ0決定溫度轉(zhuǎn)換的精度位數(shù)，來(lái)設(shè)置分辨率。DS18B20工作時(shí)寄存器中的分辨率轉(zhuǎn)換為相應(yīng)精度的溫度數(shù)值。頭2個(gè)字節(jié)包含測(cè)得的溫度信息，第3和第4字節(jié)TH和TL的拷貝，是易失的，每次上電復(fù)位時(shí)被刷新。DS18B20溫度傳感器的內(nèi)部存儲(chǔ)器還包括一個(gè)高速暫存RAM和一個(gè)非易失性的可電擦除的EERAM。