單結(jié)晶體管的識別及檢測-文庫吧資料
2025-07-13 13:16本頁面
【正文】 。單結(jié)晶體管的檢測圖72－3為單結(jié)晶體管BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號。國產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號有BT3BT3BT33等。谷點電壓VV是單結(jié)晶體管由導通轉(zhuǎn)向截止的臨界點。綜上所述，峰點電壓VP是單結(jié)晶體管由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ呐R界點。過了谷點以后，IE繼續(xù)增大，VE略有上升，但變化不大，此時單結(jié)晶體管進入飽狀態(tài)，圖中對應于谷點V以右的特性，稱為飽和區(qū)。由于PN結(jié)承受了正向電壓而導通，此后RB1 急劇減小，VE隨之下降，IE迅速增大，單結(jié)晶體管呈現(xiàn)負阻特性，負阻區(qū)如圖722 (b)中的PV段所示。（a）測試電路 (b)伏安特性圖722 單結(jié)晶體管伏安特性當外加電壓VEηVBB+VD時(VD為PN結(jié)正向壓降)，PN結(jié)承受反向電壓而截止，故發(fā)射極回路只有微安級的反向電流，單結(jié)晶體管子處于截止區(qū)，如圖722(b)的aP段所示。EB2EPN結(jié)B1NPEB1B2VDARB1RB2B1B2EDVBB(a)結(jié)構(gòu)示意圖 (b)符號 (c)結(jié)構(gòu)等效電路圖721 單結(jié)晶體管IEVEBTEBREEEEB1B2mAV截止區(qū) 負阻區(qū) 飽和區(qū)VP PVIEIVVVa IP單結(jié)
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