【正文】 輯0時(shí) ，相應(yīng)的電壓近似為0V；而當(dāng)vI處于邏輯1時(shí)，相應(yīng)的電壓近似為VDD?！　∠聢D表示CMOS反相器電路，由兩只增強(qiáng)型MOSFET組成，其中一個(gè)為N溝道結(jié)構(gòu)，另一個(gè)為P溝道結(jié)構(gòu)。場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小第十三節(jié) 單元電路13．1 CMOS反相器　　由本書(shū)模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強(qiáng)型兩類(lèi)。這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小　　由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸　　　出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化　　～1pF之間8. 低頻噪聲系數(shù)NF　　三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS　　由于在數(shù)字電路中 ，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似　　導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響 ，是漏極特性某一點(diǎn)切線(xiàn)的斜率的倒數(shù)　　是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)　　在VDS為某一固定數(shù)值的條件下 ，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱(chēng)為跨導(dǎo)　　在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱(chēng)為柵源擊穿電壓BVGS。ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：　　（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿　?。?）漏源極間的穿通擊穿　　3. 漏源擊穿電壓BVDS　　這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示　　2. 直流輸入電阻RGS　　標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；　　MOS管結(jié)構(gòu)圖MOS管主要參數(shù)：　　當(dāng)前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。此外，幾乎所有的超大規(guī)模存儲(chǔ)器件 ，以及PLD器件都采用CMOS藝制造，且費(fèi)用較低。12．1 CMOS邏輯門(mén)電路CMOS邏輯門(mén)電路是在TTL電路問(wèn)世之后 ，所開(kāi)發(fā)出的第二種廣泛應(yīng)用的數(shù)字集成器件，從發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看，由于制造工藝的改進(jìn)，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為占主導(dǎo)地位的邏輯器件 。最早的TTL門(mén)電路是74系列，后來(lái)出現(xiàn)了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。稱(chēng)TransistorTransistor Logic,即BJTBJT邏輯門(mén)電路，是數(shù)字電子技術(shù)中常用的一種邏輯門(mén)電路，應(yīng)用較早，技術(shù)已比較成熟。 ，輸出即刻就會(huì)發(fā)生相應(yīng)的變化，即抗干擾性能較差。這種觸發(fā)器的觸發(fā)信號(hào)是高電平有效，因此在邏輯符號(hào)的S端和R端沒(méi)有小圓圈。從另外一個(gè)角度來(lái)說(shuō)，正因?yàn)镽端和S端完成置0、置1都是低電平有效，所以二者不能同時(shí)為0。 觸發(fā)器保持狀態(tài)時(shí)，輸入端都加非有效電平（高電平），需要觸發(fā)翻轉(zhuǎn)時(shí)，要求在某一輸入端加一負(fù)脈沖，例如在S端加負(fù)脈沖使觸發(fā)器置1，該脈沖信號(hào)回到高電平后，觸發(fā)器仍維持1狀態(tài)不變，相當(dāng)于把S端某一時(shí)刻的電平信號(hào)存儲(chǔ)起來(lái)，這體現(xiàn)了觸發(fā)器具有記憶功能。由于置0或置1都是觸發(fā)信號(hào)低電平有效，因此，S端和R端都畫(huà)有小圓圈。從功能方面看，它只能在S和R的作用下置0和置1，所以又稱(chēng)為置0置1觸發(fā)器，或稱(chēng)為置位復(fù)位觸發(fā)器。這里所加的輸入信號(hào)（低電平）稱(chēng)為觸發(fā)信號(hào)，由它們導(dǎo)致的轉(zhuǎn)換過(guò)程稱(chēng)為翻轉(zhuǎn)。 同理，稱(chēng)R端為置0端或復(fù)位端。因置位的決定條件是S=0,故稱(chēng)S 端為置1端。Q=Q=0時(shí)，稱(chēng)觸發(fā)器處于1態(tài)，反之觸發(fā)器處于0態(tài)。一般規(guī)定觸發(fā)器Q端的狀態(tài)作為觸發(fā)器的狀態(tài)。 =0、S=1時(shí)，則Q=1,Q=0,觸發(fā)器置0。它有兩個(gè)輸入端R、S和兩個(gè)輸出端Q、Q。Micro (單位為英寸) .注明:1英寸=第十節(jié) 晶振＂X”,＂Y”:能產(chǎn)生具有一定幅度及頻率波形的振蕩器.::測(cè)量電阻方法:用萬(wàn)用表RX10K檔測(cè)量石英晶體振蕩器的正,則說(shuō)明該石英晶體振蕩器已漏電或擊穿損壞.動(dòng)態(tài)測(cè)量方法:用是波器在電路工作時(shí)測(cè)量它的實(shí)際振蕩頻是否符合該晶體的額定振蕩頻率,如果是,說(shuō)明該晶振是正常的,如果該晶體的額定振蕩頻率偏低,偏高或根本不起振,表明該晶振已漏電或擊穿損壞第十一節(jié) 基本邏輯門(mén)電路 門(mén)電路的概念：實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路，叫邏輯門(mén)電路。 Slot是一種插槽封裝形式,是一種長(zhǎng)方形的插槽(圖七). 圖六 圖七第九節(jié) PCB的簡(jiǎn)介 PCB的英文縮寫(xiě)PCB(Printed Circuit Board) PCB的作用:PCB作為一塊基板,他是裝載其它電子元器件的載體,所以一塊PCB設(shè)計(jì)的好壞將直接影響到產(chǎn)品質(zhì)量的好壞. PCB的分類(lèi)和常見(jiàn)的規(guī)格:根據(jù)層數(shù)可分為單面板,而顯示卡用的是8層板. 而主機(jī)板的尺寸為:AT規(guī)格的主機(jī)板尺寸一般為13X12(單位為英寸)。3．代換法 代換法是用已知完好的同型號(hào)、同規(guī)格集成電路來(lái)代換被測(cè)集成電路，可以判斷出該集成電路是否損壞。 1．非在線(xiàn)測(cè)量 非在線(xiàn)測(cè)量潮在集成電路未焊入電路時(shí)，通過(guò)測(cè)量其各引腳之間的直流電阻值與已知正常同型號(hào)集成電路各引腳之間的直流電阻值進(jìn)行對(duì)比，以確定其是否正常。 1. 對(duì)于BGA封裝（用坐標(biāo)表示）：在打點(diǎn)或是有顏色標(biāo)示處逆時(shí)針開(kāi)始數(shù)用英文字母表示－A,B,C,D,E……(其中I,O基本不用)，順時(shí)針用數(shù)字表示－1，2，3，4，5，6……其中字母位橫坐標(biāo)，數(shù)字為縱坐標(biāo) 如：A1,A22. 對(duì)于其他的封裝：在打點(diǎn)，有凹槽或是有顏色標(biāo)示處逆時(shí)針開(kāi)始數(shù)為第一腳，第二腳，第三腳…… 集成電路常用的檢測(cè)方法有在線(xiàn)測(cè)量法、非在線(xiàn)測(cè)量法和代換法。 （3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。 （2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱(chēng)之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。 （1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。測(cè)量NPN型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值的方法和測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的方法相反.第六節(jié) 場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)：FET(Fieldeffect transistor) 場(chǎng)效應(yīng)管分類(lèi)：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 場(chǎng)效應(yīng)管電路符號(hào)： D D G G 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管 S S N溝道 P溝道:G(柵極),D(漏極),S(源極) D D D D GG G G 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管 S S S 增強(qiáng)型 S 耗盡型 N溝道 P溝道 N溝道 P溝道注：場(chǎng)效應(yīng)管屬于電壓控制型元件，又利用多子導(dǎo)電故稱(chēng)單極型元件，且具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，無(wú)二次擊穿現(xiàn)象等優(yōu)點(diǎn)。測(cè)量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測(cè)得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動(dòng)),所測(cè)得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c。 半導(dǎo)體三極管的好壞檢測(cè)a。按功能分：開(kāi)關(guān)管和放大 半導(dǎo)體三極管特性：三極管具有放大功能（三極管是電流控制型器件－通過(guò)基極電流或是發(fā)射極電流去控制集電極電流；又由于其多子和少子都可導(dǎo)電稱(chēng)為雙極型元件） NPN型三極管共發(fā)射極的特性曲線(xiàn)。按機(jī)構(gòu)分：PNP管和NPN管 d。按頻率分：高頻管和低頻管 b。當(dāng)然它們也有c極在中間的。中、小功率管有的b極可能在中間。不過(guò)對(duì)于高耐壓的管子，這個(gè)方法就不適用了。第三種方法：先判定管子的NPN或PNP類(lèi)型及其b極后，將表置于R10kΩ檔，對(duì)NPN管，黑表筆接e極，紅表筆接c極時(shí)，表針可能會(huì)有一定偏轉(zhuǎn)，對(duì)PNP管，黑表筆接c極，紅表筆接e極時(shí)，表針可能會(huì)有一定的偏轉(zhuǎn)，反過(guò)來(lái)都不會(huì)有偏轉(zhuǎn)。根據(jù)表針的偏轉(zhuǎn)幅度，還可以估計(jì)出管子的放大能力，當(dāng)然這是憑經(jīng)驗(yàn)的。當(dāng)然測(cè)量時(shí)表筆要交換一下測(cè)兩次，比較讀數(shù)后才能最后判定。由此就可判定管子的c、e極。然后再將管子倒過(guò)來(lái)再測(cè)一遍，測(cè)得hFE值比較大的一次，各管腳插入的位置是正確的。 判別半導(dǎo)體三極管的類(lèi)型. 如果已知某個(gè)半導(dǎo)體三極管的基極,可以用紅表筆接基極,黑表筆分別測(cè)量其另外兩個(gè)電極引腳,如果測(cè)得的電阻值很大,則該三極管是NPN型半導(dǎo)體三極管,如果 測(cè)量的電阻值都很小,則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管. 現(xiàn)在常見(jiàn)的三極管大部分是塑封的，如何準(zhǔn)確判斷三極管的三只引腳哪個(gè)是b、c、e？三極管的b極很容易測(cè)出來(lái)，但怎么斷定哪個(gè)是c哪個(gè)是e？ a。.判別半導(dǎo)體三極管的c極和e極：確定基極后，對(duì)于NPN管，用萬(wàn)用表兩表筆接三極管另外兩極，交替測(cè)量?jī)纱?，若兩次測(cè)量的結(jié)果不相等，則其中測(cè)得阻值較小得一次黑筆接的是e極，紅筆接得是c極（若是PNP型管則黑紅表筆所接得電極相反）。判別半導(dǎo)體三極管基極：用萬(wàn)用表黑表筆固定三極管的某一個(gè)電極，紅表筆分別接半導(dǎo)體三極管另外兩各電極，觀(guān)察指針偏轉(zhuǎn)，若兩次的測(cè)量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測(cè)量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導(dǎo)體三極管一個(gè)引腳極繼續(xù)測(cè)量，直到找到基極。 用萬(wàn)用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類(lèi)型(用指針式萬(wàn)用表). a。 交流信號(hào)從基極輸入，發(fā)射極輸出，那集電極就叫公共極。三極管三種放大電路的區(qū)別及判斷可以從放大電路中通過(guò)交流信號(hào)的傳輸路徑來(lái)判斷，沒(méi)有交流信號(hào)通過(guò)的極，就叫此極為公共極。 a。，放大、飽和、截止，在模擬電路中一般使用放大作用。c。b。 電流放大系數(shù)：對(duì)于三極管的電流分配規(guī)律Ie=Ib+Ic,由于基極電流Ib的變化，使集電極電流Ic發(fā)生更大的變化，即基極電流Ib的微小變化控制了集電極電流較大，這就是三極管的電流放大原理。 `E(發(fā)射極) C(集電極) E(發(fā)射極) C(集電極) B(基極) B(基極) NPN型三極管 PNP型三極管 半導(dǎo)體三極管放大的條件:要實(shí)現(xiàn)放大作用，必須給三極管加合適的電壓，即管子發(fā)射結(jié)必須具備正向偏壓，而集電極必須反向偏壓,這也是三極管的放大必須具備的外部條件。它分NPN型和PNP型兩種類(lèi)型，這兩種類(lèi)型的三極管從工作特性上可互相彌補(bǔ)，所謂OTL電路中的對(duì)管就是由PNP型和NPN型配對(duì)使用。 第五節(jié) 半導(dǎo)體三極管 半導(dǎo)體三極管英文縮寫(xiě)：Q/T 半導(dǎo)體三極管在電路中常用“Q”加數(shù)字表示，如：Q17表示編號(hào)為17的三極管。 c、 常用穩(wěn)壓二極管的型號(hào)及穩(wěn)壓值如下表：型 號(hào) 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N4734 1N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761穩(wěn)壓值 15V 27V 30V 75V 半導(dǎo)體二極管的伏安特性：二極管的基本特性是單向?qū)щ娦裕ㄗⅲ海唬? 半導(dǎo)體二極管的伏安特性曲線(xiàn)：（通過(guò)二極管的電流Ｉ與其兩端電壓Ｕ的關(guān)系曲線(xiàn)為二極管的伏安特性曲線(xiàn)。 b、故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開(kāi)路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。 穩(wěn)壓二極管的基本知識(shí) a、穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。（2）變?nèi)菪阅茏儾顣r(shí)，高頻調(diào)制電路的工作不穩(wěn)定，使調(diào)制后的高頻信號(hào)發(fā)送到對(duì)方被對(duì)方接收后產(chǎn)生失真。在工作狀態(tài)，變?nèi)荻O管調(diào)制電壓一般加到負(fù)極上，使變?nèi)荻O管的內(nèi)部結(jié)電容容量隨調(diào)制電壓的變化而變化。 變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管內(nèi)部 “PN結(jié)” 的結(jié)電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)出來(lái)的一種特殊二極管。用萬(wàn)用表(指針表)判斷半導(dǎo)體二極管的極性:通常選用萬(wàn)用表的歐姆檔(R﹡100或R﹡1K),然后分別用萬(wàn)用表的兩表筆分別出接到二極管的兩個(gè)極上出,當(dāng)二極管導(dǎo)通,測(cè)的阻值較小(一般幾十歐姆至幾千歐姆之間),這時(shí)黑表筆接的是二極管的正極,(一般為幾百至幾千歐姆),這時(shí)黑表筆接的是二極管的負(fù)極,紅表筆接的是二極管的正極. c。 半導(dǎo)體二極管的識(shí)別方法： a。鍺二極管在兩極加上電壓,. 半導(dǎo)體二極管主要特性是單向?qū)щ娦?，也就是在正向電壓的作用下，?dǎo)通電阻很??；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無(wú)窮大。 半導(dǎo)體二極管的導(dǎo)通電壓是: a。 電感的好壞測(cè)量:,磁性有無(wú)缺損,裂縫,金屬部分有無(wú)腐蝕氧化,標(biāo)志有無(wú)完整清晰,測(cè)線(xiàn)圈的直流電阻,或指針不動(dòng),可判斷電感器本體嚴(yán)重短路,線(xiàn)圈的局部短路需用專(zhuān)用儀器進(jìn)行檢測(cè).第四節(jié) 半導(dǎo)體二極管 英文縮寫(xiě)：D (Diode) 電路符號(hào)是 半導(dǎo)體二極管的分類(lèi) 分類(lèi)：a 按材質(zhì)分：硅二極管和鍺二極管； b按用途分：整流二極管，檢