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正文內(nèi)容

基于51單片機溫室大棚自動檢測畢業(yè)設(shè)計論文-文庫吧資料

2025-07-04 00:20本頁面
  

【正文】 D1602初始化讀取溫度值自動檢測是否超過預(yù)定值蜂鳴器不報警蜂鳴器報警1602顯示控制設(shè)備啟動圖41系統(tǒng)軟件流程圖 鍵盤復(fù)位檢測是否按下讀取按鍵值,送入單片機單片機顯示存儲數(shù)據(jù),顯示屏顯示數(shù)據(jù)否是從新設(shè)定設(shè)定結(jié)束圖42 按鍵檢測流程圖includeincludedefine uchar unsigned chardefine uint unsigned int sbit DQ=P1^0。圖34 報警電路 DHT11電路 圖35 DHT11電路 按鍵掃描電路圖36按鍵掃描電路當(dāng)按鍵按下時各I/O口被為低電平。在系統(tǒng)上電時電容的大小為10uf,電阻的大小為10K,=10K*10uf=,電容的的電壓為0=,。 MCU復(fù)位 圖33 MCU復(fù)位電路單片機的復(fù)位需要在RST引腳持續(xù)2us高電平,單片機在上電啟動時復(fù)位一次,當(dāng)按鍵按下的時候系統(tǒng)再次的復(fù)位,如果釋放后再按下系統(tǒng)還會復(fù)位。如果振蕩器已起振,則在XTAL2引腳上會輸出3v左右正弦波,振蕩頻率fosc取決于晶振的頻率,電容CC11主要作用是幫助起振,成為起振電容,其大小一般在20100PF之間,當(dāng)時鐘為12MHZ時典型值為30PF,這次設(shè)計為33PF。 MCU晶振電路圖32 MCU晶振電路與電源電路相同,時鐘電路也是單片機運行不可缺少的電路,它控制單片的心臟,MCU 就是通過復(fù)雜的時序電路完成不同的指令功能,時鐘信號可有兩種方式產(chǎn)生:一種是內(nèi)部方式利用芯片內(nèi)部的振蕩電路產(chǎn)生時鐘信號,另一種為外部方式時鐘信號由外部引入。7DB0低4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 0位(最低位)8DB1低4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 1位9DB2低4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 2位10DB3低4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 3位11DB4高4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 4位12DB5高4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 5位13DB6高4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 6位14DB7高4位三態(tài)、 雙向數(shù)據(jù)總線 7位(最高位)(也是busy flag)15BLA背光電源正極16BLK背光 電源負(fù)極   表23 寄存器控制表RSR/W操作說明00寫入指令寄存器(清除屏等)01讀busy flag(DB7),以及讀取位址計數(shù)器(DB0~DB6)值10寫入數(shù)據(jù)寄存器(顯示各字型等)11從數(shù)據(jù)寄存器讀取數(shù)據(jù)第三章系統(tǒng)的硬件設(shè)計和連接 電源電路圖31 電源電路如圖所示電源電路C1,C2作為濾波作用,LED為電源指示作用。5R/WR/W為讀寫信號線,高電平(1)時進(jìn)行讀操作,低電平(0)時進(jìn)行寫操作。 表23 1602引腳功能表引腳符號功能說明1VSS一般接地2VDD接電源(+5V)3V0液晶顯示器對比度調(diào)整端,接正電源時對比度最弱,接地電源時對比度最高(對比度過高時會產(chǎn)生“鬼影”,使用時可以通過一個10K的電位器調(diào)整對比度)。(2)避免結(jié)露情況下使用。 (單線雙向)DATA 用于微處理器與 DHT11之間的通訊和同步,采用單總線數(shù)據(jù)格式,一次通訊時間4ms左右, 用戶MCU發(fā)送一次開始信號后,DHT11從低功耗模式轉(zhuǎn)換到高速模式,等待主機開始信號結(jié)束后,DHT11發(fā)送響應(yīng)信號,送出40bit的數(shù)據(jù),并觸發(fā)一次信號采集,DHT11接收到開始信號觸發(fā)一次溫濕度采集,如果沒有接收到主機發(fā)送開始信號,。傳感器上電后,要等待 1s 以越過不穩(wěn)定狀態(tài)在此期間無需發(fā)送任何指令。連接方便,特殊封裝形式可根據(jù)用戶需求而提供。超小的體積、極低的功耗,信號傳輸距離可達(dá)20米以上,使其成為各類應(yīng)用甚至最為苛刻的應(yīng)用場合的最佳選則。校準(zhǔn)系數(shù)以程序的形式儲存在OTP內(nèi)存中,傳感器內(nèi)部在檢測信號的處理過程中要調(diào)用這些校準(zhǔn)系數(shù)。因此該產(chǎn)品具有品質(zhì)卓越、超快響應(yīng)、抗干擾能力強、性價比極高等優(yōu)點。它應(yīng)用專用的數(shù)字模塊采集技術(shù)和溫濕度傳感技術(shù),確保產(chǎn)品具有極高的可靠性與卓越的長期穩(wěn)定性。根據(jù)以上的內(nèi)容可知只有P1口是標(biāo)準(zhǔn)的I/O口,所以我們選用P1口作為數(shù)據(jù)端口,P1口可逐位分別定義各口線為輸入或輸出線[7]。XTAL2:片內(nèi)振蕩器反相放大器的輸出端。在FLASH編程期間,此引腳也用于施加12V編程電源(VPP)。EA/VPP:外部程序存儲器訪問允許。在由外部程序存儲器取指期間,每個機器周期兩次/PSEN有效。如果微處理器在外部執(zhí)行狀態(tài)ALE禁止,置位無效。此時,ALE只有在執(zhí)行MOVX,MOVC指令是ALE才起作用。然而要注意的是:每當(dāng)用作外部數(shù)據(jù)存儲器時,將跳過一個ALE脈沖。在平時,ALE端以不變的頻率周期輸出正脈沖信號,此頻率為振蕩器頻率的1/6。當(dāng)訪問外部存儲器時,地址鎖存允許的輸出電平用于鎖存地址的低位字節(jié)。當(dāng)振蕩器復(fù)位器件時,要保持RST腳兩個機器周期的高電平時間。外部的程序存儲器由PSEN信號選通,數(shù)據(jù)存儲器則由WR和RD讀寫信號選通,因為2=64k,所以AT89S51最大可外接64kB的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。如果沒有系統(tǒng)擴展時,也可以作為用戶的I/O口使用。P2口也是雙向口。當(dāng)P3口寫入“1”后,它們被內(nèi)部上拉為高電平,并用作輸入。P2口在FLASH編程和校驗時接收高八位地址信號和控制信號。P2口當(dāng)用于外部程序存儲器或16位地址外部數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行存取時,P2口輸出地址的高八位。并因此作為輸入時,P2口的管腳被外部拉低,將輸出電流。P1口可以驅(qū)動4個TTL負(fù)載。專門為用戶使用的I/O口,是準(zhǔn)雙向口,P1口為8位準(zhǔn)雙向口,每一位均可單獨定義為輸入或輸出口。P1口被外部下拉為低電平時,將輸出電流,這是由于內(nèi)部上拉的緣故。P1口:P1口是一個內(nèi)部提供上拉電阻的8位雙向I/O口,P1口緩沖器能接收輸出4TTL門電流。P0口在訪問外部存儲器時,P0口既是一個真正的雙向數(shù)據(jù)總線口,又是輸出8位地址口。P0能夠用于外部程序數(shù)據(jù)存儲器,它可以被定義為數(shù)據(jù)/地址的低八位。 1. P0口P0口:P0口為一個8位漏級開路雙向I/O口,每腳可吸收8TTL門電流。(2)位尋址區(qū)(20H2FH):這個區(qū)內(nèi)的每一個字節(jié)的每一位都有自身的地址,因而可以位操作,(3)通用RAM區(qū);可以作為數(shù)據(jù)緩存器使用,一般應(yīng)用中,常把堆棧開辟在此區(qū)域。(1) 工作寄存器區(qū)(0X000X1F)共32個字節(jié),每個字節(jié)作為一個工作寄器,分為四個組,每個組都有8個寄存器,分別用R0R7表示。(2)的作用片外ROM的選通端,當(dāng)=0時選通外部ROM。當(dāng)=1時;先內(nèi)后外,即當(dāng)程序存儲器地址在0000H—0FFFH時,選則內(nèi)部ROM,而當(dāng)?shù)刂烦^0FFFH時,選擇外部ROM。STC89C52的引腳如圖22所示(1):P0口(2):P1口(3):P2口(4):P3口,除作為一般的I/O口,還有以下功能:RXD、TXD構(gòu)成串口;INT1 INT0位外部中斷引腳;T0、T1為定時器/計數(shù)器引腳;WR 為讀允許,RD為寫允許。XTAL2 XTAL1VccRAM 128BSFR21個定時/計數(shù)器 2個ROM/EPROM/Flash 4kb時鐘電路VssRS EA ALE PSENP0 P1 P2 P3CPU并行口4個串行口全雙工1個中斷系統(tǒng)5個中斷源、2個優(yōu)先級總線控制
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